发明授权
CN100479109C 等离子体处理装置、等离子体处理方法和滞波板
失效 - 权利终止
- 专利标题： 等离子体处理装置、等离子体处理方法和滞波板
- 专利标题（英）： Device and method for plasma processing, and slow-wave plate
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申请号： CN200510077566.5申请日： 2002-03-28
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公开(公告)号： CN100479109C公开(公告)日： 2009-04-15
- 发明人: 大见忠弘 , 平山昌树 , 须川成利 , 后藤哲也
- 申请人： 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本宫城县
- 专利权人： 大见忠弘,东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 大见忠弘,东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本宫城县
- 代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权： 2001-094276 2001.03.28 JP; 2001-340995 2001.11.06 JP
- 分案原申请号： 028009215
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L21/31 ; H01L21/00 ; H05H1/46
摘要：
一种使用了放射线槽天线的微波等离子体处理装置，由与滞波板(18)的热膨胀率接近的材料或通过在构成滞波板(18)的电介质板上附着金属来形成槽板(16)。提高天线中滞波板与构成微波辐射面的槽板之间的粘附性，防止异常放电。
公开/授权文献
- CN1700427A 等离子体处理装置、等离子体处理方法和滞波板 公开/授权日：2005-11-23
IPC分类:
