发明公开
- 专利标题： 微波等离子体处理装置、等离子体点火方法、等离子体形成方法及等离子体处理方法
- 专利标题（英）： Microwave plasma process device, plasma ignition method, plasma forming method, and plasma process method
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申请号： CN02807489.0申请日： 2002-03-28
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公开(公告)号： CN1502121A公开(公告)日： 2004-06-02
- 发明人: 大见忠弘 , 平山昌树 , 须川成利 , 后藤哲也
- 申请人： 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社,大见忠弘
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社,大见忠弘
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京东方亿思专利代理有限责任公司
- 代理商 柳春雷; 李其华
- 优先权： 094277／2001 2001.03.28 JP
- 国际申请： PCT/JP2002/003113 2002.03.28
- 国际公布： WO2002/080254 JA 2002.10.10
- 进入国家日期： 2003-09-27
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; H01L21/205 ; B01J19/08 ; C23C16/511 ; H01L21/265 ; H01L21/3065 ; H05H1/46
摘要：
在微波等离子体处理装置(10)中设置促进利用微波进行等离子体点火的等离子体点火促进部件。等离子体点火促进部件具有产生真空紫外线的重氢灯(30)，以及，使真空紫外线透过并将之导入等离子体激发用空间(26)内的透过窗(32)。透过窗(32)构成为凸透镜结构，通过聚焦真空紫外线来促进等离子体激发气体的电离。通过所述结构，可以容易且快速地进行等离子体点火。
公开/授权文献
- CN1311531C 微波等离子体处理装置 公开/授权日：2007-04-18
IPC分类:
