公开(公告)号：CN1165969C

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN01120789.2

申请日：2001-03-21

申请人： 夏普公司 ,  大见忠弘

发明人： 钟筑律夫 ,  田寺孝光 ,  山本达志 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32192 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/511

摘要： 本发明提供一种能够防止异常等离子体的发生、可稳定地实施均匀的等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具备：处理室(1、2)；微波发射构件(5)；以及反应气体供给装置(14、15、21、22)，反应气体供给装置包含反应气体供给路(15)，该供给路具有在微波发射构件的另一壁面和处理室内壁面的一部之间形成的空间，还具备防微波透射构件(16)，该防微波透射构件被配置在微波发射构件的另一壁面上的面对反应气体供给路的区域上。

公开(公告)号：CN1322007A

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：CN01120789.2

申请日：2001-03-21

申请人： 夏普公司 ,  大见忠弘

发明人： 钟筑律夫 ,  田寺孝光 ,  山本达志 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32192 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/511

摘要： 本发明提供一种能够防止异常等离子体的发生、可稳定地实施均匀的等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具备:处理室(1、2);微波发射构件(5);以及反应气体供给装置(14、15、21、22),反应气体供给装置包含反应气体供给路(15),该供给路具有在微波发射构件的另一壁面和处理室内壁面的一部之间形成的空间,还具备防微波透射构件(16),该防微波透射构件被配置在微波发射构件的另一壁面上的面对反应气体供给路的区域上。

公开(公告)号：CN1363719A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN01143879.7

申请日：2001-12-14

申请人： 夏普株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 钟筑律夫 ,  山本达志 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/513 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/32136

摘要： 按照一种等离子体处理方法,送入处理腔体(1)内的处理气体产生等离子体并且借助等离子体对处理腔体(1)内放置的衬底(8)进行处理。衬底(8)包括至少两种类型被等离子体刻蚀的堆叠薄膜(21,22),并且根据被刻蚀的薄膜类型,改变等离子体产生期间内的处理气体。因此可以缩短除主等离子体处理以外的任何过程所需时间从而可以缩短整个等离子体处理的总计时间以改善处理速度。

公开(公告)号：CN1267576C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN01143879.7

申请日：2001-12-14

申请人： 夏普株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 钟筑律夫 ,  山本达志 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/513 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/32136

摘要： 按照一种等离子体处理方法，送入处理腔体(1)内的处理气体产生等离子体并且借助等离子体对处理腔体(1)内放置的衬底(8)进行处理。衬底(8)包括至少两种类型被等离子体刻蚀的堆叠薄膜(21，22)，并且根据被刻蚀的薄膜类型，改变等离子体产生期间内的处理气体。因此可以缩短除主等离子体处理以外的任何过程所需时间从而可以缩短整个等离子体处理的总计时间以改善处理速度。