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公开(公告)号：CN1581372A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410049027.6
申请日：2004-06-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01C17/00 , H01C17/14 , H01C17/065 , H01C7/00 , H01L21/00
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1608
Abstract: 一种当与高度结晶的晶种层结合时，在PCMO薄膜上获得可逆电阻转换的方法，其包括：通过MOCVD以高度结晶的形式沉积厚度为约50A～300A的PCMO薄膜的晶种层；通过旋涂法将厚度为约500A～3000A的第二PCMO薄膜层沉积在该晶种层上以形成复合PCMO层；通过施加脉冲宽度为约75ns～1μs的、约－4V～－5V的负电脉冲提高半导体设备中复合PCMO膜的电阻；通过施加脉冲宽度大于2.0μs的、约+2.5V～+4V的正电脉冲降低半导体设备中复合PCMO层的电阻。
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公开(公告)号：CN1574288A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410045714.0
申请日：2004-05-21
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1608 , H01L45/1625
Abstract: 提供不对称晶体结构存储单元及其制造方法。该方法包括：形成底部电极；在底部电极上形成具有多晶结构的电脉冲变化电阻(EPVR)第一层；邻近第一层形成具有纳米晶或非晶结构的EPVR第二层；以及覆在第一和第二EPVR层上形成顶部电极。EPVR材料包括CMR、高温超导体(HTSC)，或钙钛矿金属氧化物材料。在一种情况下，在550和700℃之间的温度范围内用金属有机旋涂(MOD)工艺淀积EPVR第一层。在小于或等于第一层的淀积温度的温度下形成EPVR第二层。在去除溶剂步骤之后，在小于或等于550℃的温度下形成MOD淀积的EPVR第二层。
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公开(公告)号：CN1510162A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN200310123290.0
申请日：2003-12-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: C23C16/06 , C23C16/40 , H01L21/3205
CPC classification number: G11C13/0007 , C23C16/40 , G11C2213/31 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1616
Abstract: MOCVD法用于形成含金属膜，含金属膜的通式是M’xM”(1－x)MyOz，其中，M’是选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Y、Sc、Yb、Lu和Gd的金属；M”是选自Mg、Ca、Sr、Ba、Pb、Zn和Cd的金属；M是选自Mn、Ce、V、Fe、Co、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zr、Hf和Ni的金属；x是0－1；y是0、1或2；z是1－7的整数。MOCVD法使用选自醇盐前体、β－二酮化物前体和羰基金属前体的前体组合，生成包括电阻记忆材料的含金属膜。
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公开(公告)号：CN104969319A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480007026.7
申请日：2014-01-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2063 , H01G9/2031 , H01L51/0078 , Y02E10/542
Abstract: 提供一种能量供体增强的染料敏化太阳能电池(DSC)。在透明基板上形成透明导电氧化物(TCO)膜，并且在TCO上形成n型半导体层。n型半导体层暴露于具有在第一波长(A1)和比所述第一波长长的第二波长(A2)下的吸光度局部最大值的溶解的染料(D1)。用染料(D1)将n型半导体层官能化，形成敏化n型半导体层。加入与敏化n型半导体层接触的包含溶解的能量供体材料(ED1)的氧化还原电解质。能量供体材料(ED1)能够进行向染料(D1)的非辐射能量转移，其能够进行向n型半导体的电荷转移。在一个方面中，染料(D1)是金属卟啉，如锌卟啉(ZnP)，并且能量供体材料(ED1)包括苝-单酰亚胺材料或化学改性的苝-单酰亚胺材料。
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公开(公告)号：CN1262683C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200310123290.0
申请日：2003-12-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: C23C16/06 , C23C16/40 , H01L21/3205
CPC classification number: G11C13/0007 , C23C16/40 , G11C2213/31 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1616
Abstract: MOCVD法用于形成含金属膜，含金属膜的通式是M’xM”(1-x)MyOz，其中，M’是选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Y、Sc、Yb、Lu和Gd的金属；M”是选自Mg、Ca、Sr、Ba、Pb、Zn和Cd的金属；M是选自Mn、Ce、V、Fe、Co、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zr、Hf和Ni的金属；x是0-1；y是0、1或2；z是1-7的整数。MOCVD法使用选自醇盐前体、β-二酮化物前体和羰基金属前体的前体组合，生成包括电阻记忆材料的含金属膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1497705A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03159896.X
申请日：2003-09-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L27/24 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/77 , H01L27/101
Abstract: 一种制造自对准交叉点存储阵列的方法包括：制备一衬底，包括形成任何支撑电极结构；在衬底上形成一p型阱区域；注入离子形成一深N+型区域；注入离子在N+型区域上形成一浅P+型区域从而形成P+/N结；在P+型区域沉积一阻挡金属层；在阻挡金属层沉积一底部电极层；在底部电极层沉积一牺牲层或氮化硅层；形成图形并对此结构进行刻蚀，从而移走牺牲层、底部电极层、阻挡金属层、P+型区域和N+型区域部分，形成一个沟槽；沉积氧化物填充沟槽；沉积一与剩余底部电极层自对准的PCMO层；沉积一顶部电极层；形成图形并对顶部电极层进行刻蚀；以及，完成存储阵列结构。
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公开(公告)号：CN100423233C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410039794.9
申请日：2004-03-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/10 , G11C11/00
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/77 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供了一种交叉点型存储器阵列，包含：硅基底；在该基底之上形成的绝缘层；在该绝缘层中形成的纳米级沟槽；在该纳米级沟槽中在该硅基底之上形成的厚度为100nm-200nm的硅外延层；在该硅外延层之上形成的第1连接线；在该第1连接线之上形成的庞磁电阻层；在该庞磁电阻层的一部分之上形成的氮化硅层；以及与该氮化硅层邻接而在该庞磁电阻层之上形成的第2连接线。
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公开(公告)号：CN100345214C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN03103460.8
申请日：2003-01-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/222 , B82Y10/00 , G11C11/15
Abstract: 本发明提供一种低功率的MRAM设备和用在MRAM中的磁轭结构。所述MRAM设备包括：基底；多个包括位线和字线的导线；和包括一对磁轭结构的MTJ堆栈，其中，所说的每一个磁轭结构都环绕导线。所述用在MRAM中的磁轭结构的制备方法包括：制备基底；在基底上形成第一个导线；制造MTJ堆栈，包括制造环绕第一个导线的第一个磁轭结构；在MTJ堆栈上形成第二个导线；制造环绕第二个导线的第二个磁轭结构；在该结构上沉积氧化物层；和金属化该结构。
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公开(公告)号：CN1266719C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN03110239.5
申请日：2003-04-07
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , H01F10/193 , H01F21/00 , H01F41/24 , H01L27/08 , H01L28/10 , Y10T29/4902
Abstract: 一种制作本发明的固态电感器的方法，它包括：形成底部电极；形成覆盖底部电极的超巨磁电阻(CMR)薄膜；形成覆盖所述CMR薄膜的顶部电极；对CRM薄膜加给电场处理，并响应所述电场处理，将CMR薄膜转变成CMR薄膜电感。
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公开(公告)号：CN1571140A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410039794.9
申请日：2004-03-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/10 , G11C11/00
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/77 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1683
Abstract: 制造纳米级阻抗交叉点型存储器阵列的方法包括：准备硅基底；在该基底上沉积氧化硅直到所规定的厚度；在该氧化硅内形成纳米级沟槽；在沟槽内沉积第1连接线；在沟槽内在该第1连接线之上沉积存储器阻抗层；在沟槽内在存储器阻抗层之上沉积第2连接线；然后完成存储器阵列。交叉点型存储器阵列，包括：硅基底；在该硅基底上形成的第1连接线；在该第1连接线上形成的特大磁阻层；在一部分该特大磁阻层上形成的氮化硅层；以及与该氮化硅层相邻而在该特大磁阻层上形成的第2连接线。
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