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公开(公告)号：CN106575786A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580045193.5
申请日：2015-08-20
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 希达亚特·基什道约诺 , 鲁宇浩 , 李宗霑 , 大卫·埃文斯 , 汪龙
CPC classification number: H01M12/08 , H01M8/188 , Y02E60/128
Abstract: 本发明提供一种空气阴极电池，所述空气阴极电池使用具有碳添加剂的锌浆料阳极。所述电池由空气阴极和锌浆料阳极制成。所述锌浆料阳极包含锌粒子和碱性电解质，在所述碱性电解质中具有络合剂和碳添加剂。透水性离子交换膜和电解质室将锌浆料与空气阴极隔开。碳添加剂可以例如为石墨、碳纤维、炭黑或碳纳米粒子。碳添加剂对锌的比例在2.5重量％至10重量％的范围内。碱性电解质在锌浆料中的比例在50体积％至80体积％的范围内。
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公开(公告)号：CN104956527A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201380071590.0
申请日：2013-12-12
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 鲁宇浩 , 希达亚特·基什达吉诺 , 李宗霑 , 戴维·埃文斯
IPC: H01M4/58 , H01M10/054 , H01M10/0566
CPC classification number: H01M4/58 , C01C3/12 , H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M10/054 , H01M10/0566
Abstract: 提供了一种过渡金属铁氰化物(TMH)阴极蓄电池。该蓄电池具有AxMn[Fe(CN)6]y·zH2O阴极，其中A阳离子是碱金属或碱土金属阳离子，如钠或钾，其中x在1至2的范围内，其中y在0.5至1的范围内，且其中z在0至3.5的范围内。AxMn[Fe(CN)6]y·zH2O具有菱形晶体结构，其中Mn2+/3+和Fe2+/3+具有相同还原/氧化电位。该蓄电池还具有电解质，和由A金属、A复合材料或可以寄宿A原子的材料制成的阳极。蓄电池具有单一平台的充电曲线，其中单一平台的充电曲线定义为在15％至85％蓄电池蓄电量之间恒定的充电电压斜率。还提供了制造方法。
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公开(公告)号：CN105164833B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201480024742.6
申请日：2014-04-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/054 , H01M10/0566 , H01M10/0567 , H01M10/058
CPC classification number: H01M4/621 , H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/58 , H01M4/625 , H01M10/054 , H01M10/0567 , H01M10/0568 , H01M10/0569
Abstract: 本发明提供一种过渡金属六氰合铁酸盐(TMHCF)电池电极，所述过渡金属六氰合铁酸盐(TMHCF)电池电极具有Fe(CN)6添加剂。所述电极由覆盖集电器的AxMyFez(CN)n.mH2O粒子构成，其中A阳离子是碱金属阳离子或碱土金属阳离子如钠(Na)、钾(K)、钙(Ca)或镁(Mg)，且M是过渡金属。Fe(CN)6添加剂对所述AxMyFez(CN)n.mH2O粒子进行改性。所述Fe(CN)6添加剂可以是亚铁氰化物([Fe(CN)6]4‑)或铁氰化物([Fe(CN)6]3‑)。本发明还提供相关的具有Fe(CN)6添加剂的TMHCF电池、TMHCF制造方法和TMHCF电池的制造方法。
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公开(公告)号：CN104247131B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201380020567.9
申请日：2013-04-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01M10/054 , H01M4/139 , H01M4/1397 , H01M4/58 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0565 , H01M10/0566
CPC classification number: H01M4/136 , H01M4/0404 , H01M4/0421 , H01M4/0459 , H01M4/1397 , H01M4/623 , H01M4/625 , H01M10/054
Abstract: 本发明提供一种用于制备碱金属离子电池和碱土金属离子电池的电池结构。所述电池具有六氰基金属酸盐正极、非金属负极和非水电解质。本发明提供一种用于在电池组装之前形成所述六氰基金属酸盐电池正极和非金属电池负极的方法。所述正极包含在集电器上的六氰基金属酸盐粒子。所述六氰基金属酸盐粒子具有化学式A’n’AmM1xM2y(CN)6并具有普鲁士蓝六氰基金属酸盐晶体结构。所述六氰基金属酸盐粒子能够为碳‑六氰基金属酸盐粒子的形式。
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公开(公告)号：CN105164833A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201480024742.6
申请日：2014-04-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/054 , H01M10/0566 , H01M10/0567 , H01M10/058
CPC classification number: H01M4/621 , H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/58 , H01M4/625 , H01M10/054 , H01M10/0567 , H01M10/0568 , H01M10/0569
Abstract: 本发明提供一种过渡金属六氰合铁酸盐(TMHCF)电池电极，所述过渡金属六氰合铁酸盐(TMHCF)电池电极具有Fe(CN)6添加剂。所述电极由覆盖集电器的AxMyFez(CN)n.mH2O粒子构成，其中A阳离子是碱金属阳离子或碱土金属阳离子如钠(Na)、钾(K)、钙(Ca)或镁(Mg)，且M是过渡金属。Fe(CN)6添加剂对所述AxMyFez(CN)n.mH2O粒子进行改性。所述Fe(CN)6添加剂可以是亚铁氰化物([Fe(CN)6]4-)或铁氰化物([Fe(CN)6]3-)。本发明还提供相关的具有Fe(CN)6添加剂的TMHCF电池、TMHCF制造方法和TMHCF电池的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1467800A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03131016.8
申请日：2003-05-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/283 , C23C14/10
CPC classification number: H01L21/3165
Abstract: 本发明提供了一种硅片的低温氧化的方法，其包括：将硅片放置在真空室中；将硅片保持在大约室温－350℃；将选自O2和O3的氧化气体引入所述真空室；和用发出自准分子激光器的光来照射所述氧化气体和硅片以产生反应性氧种并在硅片上形成氧化层。
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公开(公告)号：CN1444253A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN03106094.3
申请日：2003-02-24
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 马哲申 , 道格拉斯·詹姆斯·特威滕 , 许胜籘 , 李宗霑
IPC: H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/263 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02502 , H01L21/0251 , H01L21/02532 , H01L21/02694 , H01L29/1054 , Y10S438/933
Abstract: 本发明提供了一种松弛SiGe基质的生产方法，其使用分子氢注入法来形成具有高锗含量的松弛硅锗层，该方法包括：在硅基质上提供单晶硅缓冲层；提供一层覆盖单晶硅缓冲层的单晶硅锗(Si1－xGex)层；用离子化的分子氢(H2+)注入单晶硅锗(Si1－xGex)层；至少退火单晶硅锗(Si1－xGex)层；和作为对退火的响应，将单晶硅锗(Si1－xGex)层转换为松弛Si1－xGex层。
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公开(公告)号：CN1437250A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN03102933.7
申请日：2003-01-24
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 许胜藤 , 李宗霑 , 马哲申 , 道格拉斯·詹姆斯·特威特
IPC: H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/76224 , H01L21/823878
Abstract: 一种用于生产CMOS器件的方法，包括：在硅基底上外延附生地形成应变硅锗SiGe层，其中应变硅锗SiGe层具有锗含量；外延附生地在应变硅锗SiGe层上形成硅保护层；在硅保护层上形成栅氧化层；在栅氧化层上淀积第一多晶硅层；将H+离子注入到在应变硅锗SiGe层和硅基底的界面之下的深度；通过浅沟槽隔离(STI)形成沟槽，所述沟槽延伸到硅基底中；将获得的结构退火以便松弛应变硅锗SiGe层；在所述结构上淀积氧化物层和第二多晶硅层，由此填满沟槽；将在上述步骤之后获得的结构平面化到位于沟槽中的第二多晶硅层的部分的水平面的顶部。
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公开(公告)号：CN105190964B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201480024724.8
申请日：2014-04-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: C01C3/12 , H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/364 , H01M4/5825
Abstract: 本发明提供一种合成金属掺杂的过渡金属六氰合铁酸盐(TMHCF)电池电极的方法。所述方法制备AxFe(CN)6和Fe(CN)6的第一溶液，其中A阳离子可以是碱金属阳离子或碱土金属阳离子。所述方法将所述第一溶液添加到包含M离子和M`离子的第二溶液。M是过渡金属，且M`是金属掺杂剂。在搅拌之后，使所述混合物沉淀以形成AxMcM`dFez(CN)n.mH2O粒子。所述AxMcM`dFez(CN)n.mH2O粒子具有框架和在所述框架中的间隙空间，其中M和M`占据所述框架中的位置。或者，所述方法制备AaA`bMyFez(CN)n.mH2O粒子。A和A`占据所述AaA`bMyFez(CN)n.mH2O粒子框架中的间隙空间。本发明还提供一种金属掺杂的TMHCF电极。
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公开(公告)号：CN104969319A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480007026.7
申请日：2014-01-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2063 , H01G9/2031 , H01L51/0078 , Y02E10/542
Abstract: 提供一种能量供体增强的染料敏化太阳能电池(DSC)。在透明基板上形成透明导电氧化物(TCO)膜，并且在TCO上形成n型半导体层。n型半导体层暴露于具有在第一波长(A1)和比所述第一波长长的第二波长(A2)下的吸光度局部最大值的溶解的染料(D1)。用染料(D1)将n型半导体层官能化，形成敏化n型半导体层。加入与敏化n型半导体层接触的包含溶解的能量供体材料(ED1)的氧化还原电解质。能量供体材料(ED1)能够进行向染料(D1)的非辐射能量转移，其能够进行向n型半导体的电荷转移。在一个方面中，染料(D1)是金属卟啉，如锌卟啉(ZnP)，并且能量供体材料(ED1)包括苝-单酰亚胺材料或化学改性的苝-单酰亚胺材料。
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