公开(公告)号：CN1285101C

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN03106094.3

申请日：2003-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 马哲申 ,  道格拉斯·詹姆斯·特威滕 ,  许胜籘 ,  李宗霑

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/263 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  H01L29/1054 ,  Y10S438/933

Abstract: 本发明提供了一种松弛SiGe衬底的生产方法，其使用分子氢注入法来形成具有高锗含量的松弛硅锗层，该方法包括：在硅衬底上提供单晶硅缓冲层；提供一层覆盖单晶硅缓冲层的单晶硅锗(Si1-xGex)层；用离子化的分子氢(H2+)注入单晶硅锗(Si1-xGex)层；至少退火单晶硅锗(Si1-xGex)层；和作为对退火的响应，将单晶硅锗(Si1-xGex)层转换为松弛Si1-xGex层。

公开(公告)号：CN1435862A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03103459.4

申请日：2003-01-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 马哲申 ,  道格拉斯·詹姆斯·特威滕 ,  许胜籘

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/322 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  Y10S438/933

Abstract: 一种制造半导体基质的方法，其包括形成具有相对高的Ge含量的SiGe层的方法，其包括制备硅基质；沉积SiGe层至厚度约100nm－500nm，其中SiGe层的Ge含量以摩尔分数计算等于或者大于22％；以大约1·1016cm－2－5·1016cm－2的剂量和大约20keV－45keV的能量，把H+离子注入到SiGe层；在惰性气氛下，在约650℃－950℃热退火硅基质和SiGe层30秒钟到30分钟，以松弛SiGe层；和在松弛的SiGe层上沉积一层厚度约5nm－30nm的张力—应变的硅层。

公开(公告)号：CN1263089C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN03103459.4

申请日：2003-01-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 马哲申 ,  道格拉斯·詹姆斯·特威滕 ,  许胜籘

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/322 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  Y10S438/933

Abstract: 一种制造半导体基质的方法，其包括形成具有相对高的Ge含量的SiGe层的方法，其包括制备硅基质；沉积SiGe层至厚度约100nm-500nm，其中SiGe层的Ge含量以摩尔分数计算等于或者大于22%；以大约1·1016cm-2-5·1016cm-2的剂量和大约20keV-45keV的能量，把H+离子注入到SiGe层；在惰性气氛下，在约650℃-950℃热退火硅基质和SiGe层30秒钟到30分钟，以松弛SiGe层；和在松弛的SiGe层上沉积一层厚度约5nm-30nm的拉应变的硅层。

公开(公告)号：CN1444253A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03106094.3

申请日：2003-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 马哲申 ,  道格拉斯·詹姆斯·特威滕 ,  许胜籘 ,  李宗霑

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/263 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  H01L29/1054 ,  Y10S438/933

Abstract: 本发明提供了一种松弛SiGe基质的生产方法，其使用分子氢注入法来形成具有高锗含量的松弛硅锗层，该方法包括：在硅基质上提供单晶硅缓冲层；提供一层覆盖单晶硅缓冲层的单晶硅锗(Si1－xGex)层；用离子化的分子氢(H2+)注入单晶硅锗(Si1－xGex)层；至少退火单晶硅锗(Si1－xGex)层；和作为对退火的响应，将单晶硅锗(Si1－xGex)层转换为松弛Si1－xGex层。