公开(公告)号：CN1285101C

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN03106094.3

申请日：2003-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 马哲申 ,  道格拉斯·詹姆斯·特威滕 ,  许胜籘 ,  李宗霑

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/263 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  H01L29/1054 ,  Y10S438/933

Abstract: 本发明提供了一种松弛SiGe衬底的生产方法，其使用分子氢注入法来形成具有高锗含量的松弛硅锗层，该方法包括：在硅衬底上提供单晶硅缓冲层；提供一层覆盖单晶硅缓冲层的单晶硅锗(Si1-xGex)层；用离子化的分子氢(H2+)注入单晶硅锗(Si1-xGex)层；至少退火单晶硅锗(Si1-xGex)层；和作为对退火的响应，将单晶硅锗(Si1-xGex)层转换为松弛Si1-xGex层。

公开(公告)号：CN1469433A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03149086.7

申请日：2003-06-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 道格拉斯·詹姆斯·特威特 ,  许胜籘 ,  马哲申 ,  李宗霑

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  C30B31/22 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  Y10S438/933

Abstract: 一种在硅基片上制造Si1－xGex膜的方法包括：制备硅基片；在该硅基片上外延沉积Si1－xGex层，在其间形成Si1－xGex/Si界面；在高于Tc的温度下无定形化Si1－xGex层，以形成无定形化的、分级的SiGe层；在约650℃－约1100℃的温度下将无定形的、分级的SiGe层退火约10秒钟－约60分钟，以重结晶SiGe层。

公开(公告)号：CN1263119C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN03102933.7

申请日：2003-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜藤 ,  李宗霑 ,  马哲申 ,  道格拉斯·詹姆斯·特威特

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823878

Abstract: 一种用于生产CMOS器件的方法，包括：在硅基底上外延附生地形成应变硅锗SiGe层，其中应变硅锗SiGe层具有锗含量；外延附生地在应变硅锗SiGe层上形成硅保护层；在硅保护层上形成栅氧化层；在栅氧化层上淀积第一多晶硅层；将H+离子注入到在应变硅锗SiGe层和硅基底的界面之下的深度；通过浅沟槽隔离(STI)形成沟槽，所述沟槽延伸到硅基底中；将获得的结构退火以便松弛应变硅锗SiGe层；在所述结构上淀积氧化物层和第二多晶硅层，由此填满沟槽；将在上述步骤之后获得的结构平面化到位于沟槽中的第二多晶硅层的部分的水平面的顶部。

公开(公告)号：CN1237575C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN03149086.7

申请日：2003-06-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 道格拉斯·詹姆斯·特威特 ,  许胜籘 ,  马哲申 ,  李宗霑

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  C30B31/22 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  Y10S438/933

Abstract: 一种在硅基片上制造Si1-xGex膜的方法包括：制备硅基片；在该硅基片上外延沉积Si1-xGex层，在其间形成Si1-xGex/Si界面；在高于Tc的温度下无定形化Si1-xGex层，以形成无定形化的、分级的SiGe层；在约650℃-约1100℃的温度下将无定形的、分级的SiGe层退火约10秒钟-约60分钟，以重结晶SiGe层。

公开(公告)号：CN1435862A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03103459.4

申请日：2003-01-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 马哲申 ,  道格拉斯·詹姆斯·特威滕 ,  许胜籘

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/322 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  Y10S438/933

Abstract: 一种制造半导体基质的方法，其包括形成具有相对高的Ge含量的SiGe层的方法，其包括制备硅基质；沉积SiGe层至厚度约100nm－500nm，其中SiGe层的Ge含量以摩尔分数计算等于或者大于22％；以大约1·1016cm－2－5·1016cm－2的剂量和大约20keV－45keV的能量，把H+离子注入到SiGe层；在惰性气氛下，在约650℃－950℃热退火硅基质和SiGe层30秒钟到30分钟，以松弛SiGe层；和在松弛的SiGe层上沉积一层厚度约5nm－30nm的张力—应变的硅层。

公开(公告)号：CN1263089C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN03103459.4

申请日：2003-01-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 马哲申 ,  道格拉斯·詹姆斯·特威滕 ,  许胜籘

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/322 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  Y10S438/933

Abstract: 一种制造半导体基质的方法，其包括形成具有相对高的Ge含量的SiGe层的方法，其包括制备硅基质；沉积SiGe层至厚度约100nm-500nm，其中SiGe层的Ge含量以摩尔分数计算等于或者大于22%；以大约1·1016cm-2-5·1016cm-2的剂量和大约20keV-45keV的能量，把H+离子注入到SiGe层；在惰性气氛下，在约650℃-950℃热退火硅基质和SiGe层30秒钟到30分钟，以松弛SiGe层；和在松弛的SiGe层上沉积一层厚度约5nm-30nm的拉应变的硅层。

公开(公告)号：CN1444253A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03106094.3

申请日：2003-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 马哲申 ,  道格拉斯·詹姆斯·特威滕 ,  许胜籘 ,  李宗霑

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/263 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  H01L29/1054 ,  Y10S438/933

Abstract: 本发明提供了一种松弛SiGe基质的生产方法，其使用分子氢注入法来形成具有高锗含量的松弛硅锗层，该方法包括：在硅基质上提供单晶硅缓冲层；提供一层覆盖单晶硅缓冲层的单晶硅锗(Si1－xGex)层；用离子化的分子氢(H2+)注入单晶硅锗(Si1－xGex)层；至少退火单晶硅锗(Si1－xGex)层；和作为对退火的响应，将单晶硅锗(Si1－xGex)层转换为松弛Si1－xGex层。

公开(公告)号：CN1437250A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN03102933.7

申请日：2003-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜藤 ,  李宗霑 ,  马哲申 ,  道格拉斯·詹姆斯·特威特

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823878

Abstract: 一种用于生产CMOS器件的方法，包括：在硅基底上外延附生地形成应变硅锗SiGe层，其中应变硅锗SiGe层具有锗含量；外延附生地在应变硅锗SiGe层上形成硅保护层；在硅保护层上形成栅氧化层；在栅氧化层上淀积第一多晶硅层；将H+离子注入到在应变硅锗SiGe层和硅基底的界面之下的深度；通过浅沟槽隔离(STI)形成沟槽，所述沟槽延伸到硅基底中；将获得的结构退火以便松弛应变硅锗SiGe层；在所述结构上淀积氧化物层和第二多晶硅层，由此填满沟槽；将在上述步骤之后获得的结构平面化到位于沟槽中的第二多晶硅层的部分的水平面的顶部。