公开(公告)号：CN1437250A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN03102933.7

申请日：2003-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜藤 ,  李宗霑 ,  马哲申 ,  道格拉斯·詹姆斯·特威特

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823878

Abstract: 一种用于生产CMOS器件的方法，包括：在硅基底上外延附生地形成应变硅锗SiGe层，其中应变硅锗SiGe层具有锗含量；外延附生地在应变硅锗SiGe层上形成硅保护层；在硅保护层上形成栅氧化层；在栅氧化层上淀积第一多晶硅层；将H+离子注入到在应变硅锗SiGe层和硅基底的界面之下的深度；通过浅沟槽隔离(STI)形成沟槽，所述沟槽延伸到硅基底中；将获得的结构退火以便松弛应变硅锗SiGe层；在所述结构上淀积氧化物层和第二多晶硅层，由此填满沟槽；将在上述步骤之后获得的结构平面化到位于沟槽中的第二多晶硅层的部分的水平面的顶部。

公开(公告)号：CN1469433A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03149086.7

申请日：2003-06-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 道格拉斯·詹姆斯·特威特 ,  许胜籘 ,  马哲申 ,  李宗霑

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  C30B31/22 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  Y10S438/933

Abstract: 一种在硅基片上制造Si1－xGex膜的方法包括：制备硅基片；在该硅基片上外延沉积Si1－xGex层，在其间形成Si1－xGex/Si界面；在高于Tc的温度下无定形化Si1－xGex层，以形成无定形化的、分级的SiGe层；在约650℃－约1100℃的温度下将无定形的、分级的SiGe层退火约10秒钟－约60分钟，以重结晶SiGe层。

公开(公告)号：CN1263119C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN03102933.7

申请日：2003-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜藤 ,  李宗霑 ,  马哲申 ,  道格拉斯·詹姆斯·特威特

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823878

Abstract: 一种用于生产CMOS器件的方法，包括：在硅基底上外延附生地形成应变硅锗SiGe层，其中应变硅锗SiGe层具有锗含量；外延附生地在应变硅锗SiGe层上形成硅保护层；在硅保护层上形成栅氧化层；在栅氧化层上淀积第一多晶硅层；将H+离子注入到在应变硅锗SiGe层和硅基底的界面之下的深度；通过浅沟槽隔离(STI)形成沟槽，所述沟槽延伸到硅基底中；将获得的结构退火以便松弛应变硅锗SiGe层；在所述结构上淀积氧化物层和第二多晶硅层，由此填满沟槽；将在上述步骤之后获得的结构平面化到位于沟槽中的第二多晶硅层的部分的水平面的顶部。

公开(公告)号：CN1237575C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN03149086.7

申请日：2003-06-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 道格拉斯·詹姆斯·特威特 ,  许胜籘 ,  马哲申 ,  李宗霑

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  C30B31/22 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  Y10S438/933

Abstract: 一种在硅基片上制造Si1-xGex膜的方法包括：制备硅基片；在该硅基片上外延沉积Si1-xGex层，在其间形成Si1-xGex/Si界面；在高于Tc的温度下无定形化Si1-xGex层，以形成无定形化的、分级的SiGe层；在约650℃-约1100℃的温度下将无定形的、分级的SiGe层退火约10秒钟-约60分钟，以重结晶SiGe层。