阵列式多参数风传感器芯片基板及其制作方法

    公开(公告)号:CN101021571A

    公开(公告)日:2007-08-22

    申请号:CN200710071956.0

    申请日:2007-03-28

    Abstract: 阵列式多参数风传感器芯片基板及其制作方法,涉及到风传感器领域。本发明解决了现有技术中存在的测量功能单一、热场影响大、不稳定、热平衡时间长的问题。阵列式多参数风传感器芯片基板由基板、n个加热元件、m个热敏元件以及若干个隔热沟槽组成,其中n是大于或等于2的自然数,m=n+1,基板是圆形或者正多边形的非导体平板,在基板的背面固定n个以中心点对称的加热元件,在每相邻的两个加热元件中间,刻有隔热沟槽,在基板的正面,与n个加热元件的位置对应固定有n个热敏元件,在基板正面的中心固定有一个热敏元件,在每相邻的两个热敏元件之间,刻有隔热沟槽。本发明的阵列式多参数风传感器芯片基板可以应用到风传感器以及风参数测量系统中。

    一种CuO/Cu2O修饰石墨烯柔性汗液葡萄糖传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN116421177B

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202310406870.8

    申请日:2023-04-17

    Abstract: 一种CuO/Cu2O修饰石墨烯柔性汗液葡萄糖传感器的制备方法,本发明属于可穿戴电化学传感器领域。本发明是为了解决现有的传统含酶生物传感器由于酶等生物活性物质的活性会受到温度、pH等环境因素的影响致使自身所具备的灵敏度和稳定性的不足的技术问题。方法:一、CuO/Cu2O修饰材料的制备;二、还原氧化石墨烯的制备;三、电化学电极的制备;四、微加热器的制备;五、CuxO/RGO复合材料的涂敷;六、传感器的组装。本发明制备合成CuxO/RGO复合材料,利用Cu作为工作电极,其具备电极活性材料与导电Cu衬底接触良好、成本低等优点。本发明制备的传感器用于检测葡萄糖。

    基于超声波双频相位差的氢气测量系统及方法

    公开(公告)号:CN113030248A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110251272.9

    申请日:2021-03-08

    Abstract: 基于超声波双频相位差的氢气测量系统及方法,属于声学气体检测技术领域。为了解决基于超声波相位差法存在氢气浓度检测范围小的问题。本发明所述系统包括:用于测量当前环境下的气体浓度的超声波测量模块,用于将超声波测量模块输出的电信号转换为幅值的方波信号的信号处理模块,用于将所述方波信号转换为相位差信号的检相模块;产生用于驱动超声波换能器的频率信号;以及根据检相模块传递的相位差信号进行双频相位差法数据处理,根据相位差信号的跨周期数N以及对应的测量相位差确定氢气浓度值的微处理器,以及用于将微处理器发送的频率信号进行放大并提供给超声波测量模块的超声波驱动模块。主要用于氢气的测量。

    一种半导体气体传感器低频温度调制检测方法

    公开(公告)号:CN106018497B

    公开(公告)日:2019-02-19

    申请号:CN201610562247.1

    申请日:2016-07-18

    Abstract: 一种半导体气体传感器低频温度调制检测方法,涉及一种针对半导体气体传感器的低频脉冲加热温度调制检测方法,解决了现有半导体气体传感器恒定加热条件下传感器输出的非线性,选择性差,抗环境温度干扰能力弱等缺点。本发明针对半导体气体传感器采用周期性脉冲调制电压加热方法,在调制频率为0.05‑0.5Hz的周期性矩形波信号、正弦波信号和三角波信号的加热调制电压下,半导体气体传感器输出同周期变化的脉冲电阻信号,通过设定传感器输出信号波形的幅值比△Ra/△Rg(或△Rg/△Ra)作为传感器检测输出信号,在低频温度调制范围内被测气体浓度与传感器输出信号波形的幅值比呈近似线性变化规律。本发明适用于半导体气体传感器。

    基于PSO_BP神经网络的三维定位方法

    公开(公告)号:CN106912105A

    公开(公告)日:2017-06-30

    申请号:CN201710133596.6

    申请日:2017-03-08

    Abstract: 本发明设计了一种基于粒子群算法(Particle Swarm Optimizer,PSO)优化后的BP神经网络的终端三维定位方法,可广泛应用于无线定位领域。本方法过程为:测得某区域内多个基站与终端的距离数据。将实测距离从小到大排序,选择距离最近的四个基站,用这四个基站通过最小二乘法计算出含非视距影响的终端位置。再计算出所有含非视距的终端位置,并计算出每个基站到终端的三维方向角。最后把所得终端位置坐标、基站到终端距离以及三维方向角作为PSO_BP神经网络的特征值输入层,输出层是修正后的终端位置坐标。本发明利用PSO算法优化了BP神经网络,所得结果消除了非视距因素带来的终端位置测量误差,提出的算法具有性能稳定、算法收敛快、定位精度高等优点,适合推广使用。

    一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器

    公开(公告)号:CN104482964B

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201410779711.3

    申请日:2014-12-17

    Abstract: 一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器,适用于风速和风向测量领域。本发明的目的是要解决现有的风速风向传感器受环境温湿度影响较大、工作温度随环境变化、精度低、体积大、成本高等问题。一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器其特征在于:主要由硅基底、二氧化硅绝缘层、渗B半导体加热体、渗B半导体加热体焊盘、风速风向传感器单元焊盘、半导体加热电极、氧化铝绝缘层、风速风向传感器单元、环境温湿度传感器单元、加热体温度传感器单元、连接线和凹槽构成。一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器,内置渗B半导体加热体,可为传感器提供适应的工作温度,从而提高精度;悬臂梁式结构可大大减小热量的浪费;MEMS技术的应用,可使本传感器体积变小、成本降低。

    一种渗B半导体加热温湿度自补偿气体集成传感器

    公开(公告)号:CN104374886B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201410779678.4

    申请日:2014-12-17

    Abstract: 一种渗B半导体加热温湿度自补偿气体集成传感器,适用于多气体测量领域。本发明的目的是要解决现有的气体传感器检测参数单一、受环境温湿度影响较大、传感器工作温度随环境变化、精度低、体积大、成本高等问题。一种渗B半导体加热的温湿度自补偿气体集成传感器其特征在于:主要有硅基底、二氧化硅绝缘层、渗B半导体加热体,氧化铝绝缘层、镍铬合金膜传感器、连接线和凹槽构成。一种渗B半导体加热的温湿度自补偿气体集成传感器,内置渗B半导体加热体,可为传感器提供适应的工作温度,从而提高精度,悬臂梁式结构可大大减小热量的浪费,MEMS技术的应用,不仅实现多传感器的集成,还可使本传感器体积变小、成本降低。

    一种红外光发射与分光集成芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN103030094B

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201210551404.0

    申请日:2012-12-18

    Abstract: 一种红外光发射与分光集成芯片及其制备方法,涉及芯片及其制备方法的领域。本发明是要解决现有的分析仪器由于红外灯泡加上机械斩波器的光源调制模式很难实现仪器的微型化、现有的闪耀光栅制备方法存在成本高和难度大的问题。一种红外光发射与分光集成芯片,其特征在于:它是由芯片内芯、封装外壳、反射镜组成;芯片内芯是由硅基片、二氧化硅层、闪耀光栅、光源电极、测温电阻、光隔离梁和隔离槽制备方法:一、准备硅基片;二、制备二氧化硅层;三、制备光源电极、测温电阻和光隔离梁;四、制备闪耀光栅;五、制备隔离槽;六、制备反射镜;七、封装。本发明适用于光谱仪器的领域。

    氮化铝基集成阵列结构的二维风速风向传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN102998479B

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201210593373.5

    申请日:2012-12-31

    Abstract: 氮化铝基集成阵列结构的二维风速风向传感器及其制造方法,涉及一种测量风速风向传感器及其制造方法。本发明解决了集成热温差原理的风速传感器采用硅基衬底工艺复杂、开发成本较高、传感器响应速率慢、机械性能差等缺点。本发明所述风速风向传感器由八边形氮化铝陶瓷基片、四个温度探测器、四个矩形热隔离槽、四对等腰直角三角形热隔离通孔、两个温度传感器、四个矩形热隔离通孔和一个中间蛇盘形加热器组成,制作该风速风向传感器的方法为先将氮化铝陶瓷基片用丙酮溶液和酒精溶液进行清洗,烘干后在进行涂胶,光刻,再进行镀膜,放入丙酮溶液中溶解光刻胶,激光刻蚀,再放入稀盐酸溶液中清洗,最后进行退火处理,获得传感器。本发明用于测量风速风向。

    溶胶凝胶法制备Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体

    公开(公告)号:CN101767992A

    公开(公告)日:2010-07-07

    申请号:CN201010032467.6

    申请日:2010-01-14

    Abstract: 溶胶凝胶法制备Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体,它涉及一种制备无铅压电陶瓷纳米粉体的方法。本发明解决了传统固相烧结法制得的粉体粒径分布范围宽、纯度低、掺杂元素不均匀、活性低、性能不稳定的问题。方法:一、称取原料;二、制备混合溶液;三、制备凝胶;四、经真空干燥、烧结即得到Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体。本发明方法制作得到的Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体粒径分布范围小、纯度高、掺杂元素均匀、活性高、性能稳定。

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