微型铂热电阻温度传感器的镶嵌式电极引出方法

    公开(公告)号:CN100504326C

    公开(公告)日:2009-06-24

    申请号:CN200710071883.5

    申请日:2007-03-14

    Abstract: 微型铂热电阻温度传感器的镶嵌式电极引出方法,它涉及一种电极引出方法。它为了满足超薄体的要求,本发明步骤如下:一:清洗Al2O3基板(1);二:激光刻槽:采用激光器加工Al2O3基板(1),在Al2O3基板(1)的一端约1/3处开出两个电极沟槽(2);三:电极(3)埋入:将电极(3)埋入电极沟槽(2)中,再以高温导电粘结剂填平电极(3)与电极沟槽(2)之间的空隙,在700~900℃温度下热处理1h烧结高温导电粘结剂,将电极(3)固定在电极沟槽(2)中;四:溅射铂膜(4);五:制版调阻。它使敏感膜表面平整、无突起物,电极焊接点不另增加传感器的厚度,实现狭缝、窄条、微空间等检测微小的局部温度信息的目的。本发明实现了铂热电阻温度传感器的微型、超薄化,具有工艺简单、可操作性强等特点。

    酞菁钯-聚苯胺混合杂化有机半导体气敏材料的制作方法

    公开(公告)号:CN100489034C

    公开(公告)日:2009-05-20

    申请号:CN200710071955.6

    申请日:2007-03-28

    Abstract: 酞菁钯-聚苯胺混合杂化有机半导体气敏材料的制作方法,它涉及一种有机半导体气敏材料的制作方法,本发明的目的是为解决现有的大部分气敏材料是无机半导体材料,存在着功耗大、灵敏度低、选择性差等问题。本发明制作方法的步骤为:单物质中间体的合成、组分的计算和设计以及混合杂化。本发明测试结构表明:(1)对NO2敏感性:当配比率为x=0.3~0.9时,对NO2气体呈P型气敏变化规律,气敏度最大为40倍以上。当配比率为x=0.1~0.2时,气敏度最大为0.06倍以上。(2)对SO2敏感性:当x=0.3~0.9左右时,灵敏度最大,可达0.01倍以上。(3)对NO敏感性:当配比率为x=0.01~0.1时,气敏度最大为0.09倍以上,(4)对Cl2敏感性:x=0.1~0.9时,复合膜有最佳的灵敏性,气敏度为0.04倍以上。

    酞菁钯-聚苯胺混合杂化有机半导体气敏材料的制作方法

    公开(公告)号:CN101045817A

    公开(公告)日:2007-10-03

    申请号:CN200710071955.6

    申请日:2007-03-28

    Abstract: 酞菁钯-聚苯胺混合杂化有机半导体气敏材料的制作方法,它涉及一种有机半导体气敏材料的制作方法,本发明的目的是为解决现有的大部分气敏材料是无机半导体材料,存在着功耗大、灵敏度低、选择性差等问题。本发明制作方法的步骤为:单物质中间体的合成、组分的计算和设计以及混合杂化。本发明测试结构表明:(1)对NO2敏感性:当配比率为x=0.3~0.9时,对NO2气体呈P型气敏变化规律,气敏度最大为40倍以上。当配比率为x=0.1~0.2时,气敏度最大为0.06倍以上。(2)对SO2敏感性:当x=0.3~0.9左右时,灵敏度最大,可达0.01倍以上。(3)对NO敏感性:当配比率为x=0.01~0.1时,气敏度最大为0.09倍以上,(4)对Cl2敏感性:x=0.1~0.9时,复合膜有最佳的灵敏性,气敏度为0.04倍以上。

    平板夹心结构的半导体式气体传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN101021501A

    公开(公告)日:2007-08-22

    申请号:CN200710071957.5

    申请日:2007-03-28

    Abstract: 平板夹心结构的半导体式气体传感器及其制造方法,它涉及一种具有平板夹心结构的半导体式气体传感器及其制造方法,为了解决现有结构形式半导体式传感器的电阻大、电导率低、加热功耗高的问题。本发明的平板夹心结构的半导体式气体传感器的所述的基片上刻蚀有加热器,在绝缘隔离层上刻蚀有敏感电极,在加热器上镀绝缘隔离层,在敏感电极上镀有敏感膜,在敏感膜上设置多孔电极,其制造方法由基片选择与清洗、制作加热器、制作隔离层和制作敏感电极等步骤完成。本发明的平板夹心结构的半导体式气体传感器具有电阻小、电导率高、加热功耗低的优点,其制造方法具有制作工艺精度高的优点。

    微型铂热电阻温度传感器的镶嵌式电极引出方法

    公开(公告)号:CN101021442A

    公开(公告)日:2007-08-22

    申请号:CN200710071883.5

    申请日:2007-03-14

    Abstract: 微型铂热电阻温度传感器的镶嵌式电极引出方法,它涉及一种电极引出方法。它为了满足超薄体的要求,本发明步骤如下:一、清洗Al2O3基板(1);二、激光刻槽:采用激光器加工Al2O3基板(1),在Al2O3基板(1)的一端约1/3处开出两个电极沟槽(2);三、电极(3)埋入:将电极(3)埋入电极沟槽(2)中,再以高温导电粘结剂填平电极(3)与电极沟槽(2)之间的空隙,在700~900℃温度下热处理1h烧结高温导电粘结剂,将电极(3)固定在电极沟槽(2)中;四、溅射铂膜(4);五、制版调阻。它使敏感膜表面平整、无突起物,电极焊接点不另增加传感器的厚度,实现狭缝、窄条、微空间等检测微小的局部温度信息的目的。本发明实现了铂热电阻温度传感器的微型、超薄化,具有工艺简单、可操作性强等特点。

    金属传感检测装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103901484B

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201410080306.2

    申请日:2014-03-06

    Abstract: 本发明公开了一种金属传感检测装置,包括检测壳体,检测壳体表面包覆有绝缘材料层,检测壳体一内侧面安装有防尘腔室,防尘腔室上竖向安装有控制条,防尘腔室穿过控制条与一金属检测传感器连接,金属检测传感器上安装有透明保护件,透明保护件为两个,其顶部及底部均穿过金属检测传感器延伸在检测壳体外,金属检测传感器内安装有防尘罩,防尘罩内设有检测探头,检测探头穿过金属检测传感器与高温阻燃信号电缆线连接,金属检测传感器另一侧安装有挡块。本金属传感检测装置金属检测灵敏度高,稳定性好,抗干扰性强,能起到防尘及绝缘的作用,同时有效保护了冷金属检测器免受高温物体的危害,提高了检测装置的使用寿命。

    阵列式多参数风传感器芯片基板

    公开(公告)号:CN100568022C

    公开(公告)日:2009-12-09

    申请号:CN200710071956.0

    申请日:2007-03-28

    Abstract: 阵列式多参数风传感器芯片基板,涉及到风传感器领域。本发明解决了现有技术中存在的测量功能单一、热场影响大、不稳定、热平衡时间长的问题。阵列式多参数风传感器芯片基板由基板、n个加热元件、m个热敏元件以及若干个隔热沟槽组成,其中n是大于或等于2的自然数,m=n+1,基板是圆形或者正多边形的非导体平板,在基板的背面固定n个以中心点对称的加热元件,在每相邻的两个加热元件中间,刻有隔热沟槽,在基板的正面,与n个加热元件的位置对应固定有n个热敏元件,在基板正面的中心固定有一个热敏元件,在每相邻的两个热敏元件之间,刻有隔热沟槽。本发明的阵列式多参数风传感器芯片基板可以应用到风传感器以及风参数测量系统中。

    电化学定向生长Al2O3超薄膜基板的制造方法

    公开(公告)号:CN101070603A

    公开(公告)日:2007-11-14

    申请号:CN200710071907.7

    申请日:2007-03-20

    Abstract: 电化学定向生长Al2O3超薄膜基板的制造方法,本发明涉及Al2O3膜基板的制造方法。它解决了采取陶瓷工艺制作的Al2O3基板无法满足超薄要求的问题。它通过下述步骤实现:取铝箔进行表面清洗,用丙酮或氢氧化钠来去油,然后用水煮,接着用硝酸抛光,然后用超声清洗,最后烘干;把铝箔置于电解槽中,电解液的温度控制在30~90℃,同时对电解液进行机械搅拌,分别给两个铝箔夹上相反极性的电极,两个铝箔一个为生长极,一个为牺牲极,二者之间施加直流电压,每隔20~30分钟短时间交换电压方向后返回,在生长极的表面上生成Al2O3膜;把作为生长极的铝箔浸入氯化铜溶液,剥离Al2O3膜;对Al2O3膜进行超声清洗和热处理。

    电化学定向生长Al2O3超薄膜基板的制造方法

    公开(公告)号:CN101070603B

    公开(公告)日:2010-05-26

    申请号:CN200710071907.7

    申请日:2007-03-20

    Abstract: 电化学定向生长Al2O3超薄膜基板的制造方法,本发明涉及Al2O3膜基板的制造方法。它解决了采取陶瓷工艺制作的Al2O3基板无法满足超薄要求的问题。它通过下述步骤实现:取铝箔进行表面清洗,用丙酮或氢氧化钠来去油,然后用水煮,接着用硝酸抛光,然后用超声清洗,最后烘干;把铝箔置于电解槽中,电解液的温度控制在30~90℃,同时对电解液进行机械搅拌,分别给两个铝箔夹上相反极性的电极,两个铝箔一个为生长极,一个为牺牲极,二者之间施加直流电压,每隔20~30分钟短时间交换电压方向后返回,在生长极的表面上生成Al2O3膜;把作为生长极的铝箔浸入氯化铜溶液,剥离Al2O3膜;对Al2O3膜进行超声清洗和热处理。

    平板夹心结构的半导体式气体传感器的制造方法

    公开(公告)号:CN100476418C

    公开(公告)日:2009-04-08

    申请号:CN200710071957.5

    申请日:2007-03-28

    Abstract: 平板夹心结构的半导体式气体传感器的制造方法,它涉及一种具有平板夹心结构的半导体式气体传感器的制造方法,为了解决现有结构形式半导体式传感器的电阻大、电导率低、加热功耗高的问题。本发明的制造方法由基片选择与清洗、制作加热器、制作隔离层、制作敏感电极、制作敏感层和制作多孔电机步骤完成。本发明的平板夹心结构的半导体式气体传感器具有电阻小、电导率高、加热功耗低的优点,其制造方法具有制作工艺精度高的优点。

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