公开(公告)号：CN101775586A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN201010032484.X

申请日：2010-01-18

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 施云波 ,  冯侨华 ,  赵文杰 ,  修德斌 ,  孙立宁

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C25D11/04 ,  C25D11/10

Abstract: 在非铝基底上电化学定向生长多孔Al2O3膜的制备方法，它涉及多孔Al2O3膜的制备方法。本发明解决了现有制备多孔Al2O3膜的方法复杂，膜厚度大、脆且易碎，采用这种膜制备的纳米线无序且长度过大的问题。方法：一、取基片进行表面清洗，然后烘干，再采用磁控溅射的方式在基片上溅射Al膜，然后在氩气保护下热处理，得镀有Al膜的基片；二、以镀有Al膜的基片为阳极，不锈钢片为阴极，草酸溶液为电解液进行阳极氧化，即完成。本发明简化了制备步骤，操作简单，易于控制，加工成本低廉，制备的Al2O3膜厚度为6～10μm、膜的韧性好，采用本发明中的Al2O3膜制备纳米线，所得纳米线行序且长度在3～5μm可控。

公开(公告)号：CN101769888A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN201010032466.1

申请日：2010-01-14

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 施云波 ,  赵文杰 ,  周真 ,  修德斌 ,  冯侨华

IPC: G01N27/12

Abstract: 复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法，它涉及一种Cl2敏感材料的合成方法。本发明解决了现有方法制作得到的敏感材料敏感性差，使得Cl2传感器普遍存在着功耗高，体积大，只能进行低浓度检测的问题。方法：一、原料混合得到共沉积混合物；二、离心、抽滤、干燥；三、制作In2O3/Nb2O5纳米粉体；四、制作Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt。本发明得到复合纳米半导体材料In2O3/Nb2O5/Pt对Cl2敏感性好，使用本发明制备的Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的Cl2传感器能检测Cl2的量程为0～500ppm，且功耗低，体积小。

公开(公告)号：CN101767994A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN201010032479.9

申请日：2010-01-18

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 施云波 ,  荣鹏志 ,  修德斌 ,  赵文杰 ,  冯侨华

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/626

Abstract: 一种改性锆钛酸铅压电陶瓷粉体的制备方法，它涉及一种压电陶瓷粉体的制备方法。本发明解决了现有固相合成法制备压电陶瓷粉体存在化学配比不能精确控制、粉体活性低、所需烧结温度高、材料均匀性差的问题。方法：一、取Pb(Ac)2·3H2O、TiCl4、MnCl2、NiCl2·6H2O和ZrOCl2·8H2O的可溶性盐溶液混合并搅拌，得混合溶液；二、向混合溶液中加入Sb2O3并搅拌，得悬浊液；三、向悬浊液中加入氨水，得氢氧化物胶体，离心后弃上清液，清洗沉淀，干燥后研磨，得微粉；四、微粉烧结后即得改性锆钛酸铅压电陶瓷粉体。本发明各元素配比得到了精确控制，反应在低温下进行，粉体活性高，粉体均匀性好。

公开(公告)号：CN101762623A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN201010300140.2

申请日：2010-01-08

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 施云波 ,  赵文杰 ,  周真 ,  修德斌 ,  冯侨华

IPC: G01N27/04 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器及其制造方法，涉及一种自热隔离平板双面微结构气体传感器及其制造方法。解决了现有的Si材料的气体传感器存在工艺开发成本高、工艺复杂等问题。基片对角线的四个方位上刻蚀有热隔离槽，基片背面设置有加热电极和信号电极，通过通孔基片正面与背面的加热电极相连通，加热电极为蛇形排列结构，敏感膜附在信号电极上，制造方法如下：一选择基片；二传感器Pt金属薄膜信号电极制备：首先光刻，其次镀膜，最后金属膜剥离；三异面加热电极制备：首先镀膜，然后激光刻蚀；四热隔离；五退火；六附敏感膜。本发明可以作为半导体式Cl2、NOX、CO等气体传感器。

公开(公告)号：CN117091653A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311072604.2

申请日：2023-08-24

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 陈明华 ,  姚远 ,  张家伟 ,  赵文杰 ,  陈桢

IPC: G01D21/02

Abstract: 一种用于储能系统安全监测的双参量薄膜传感器及其制备方法和应用，它涉及一种传感器及其制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有传感器只能检测单一刺激信号，很难做到温度、压力双信号集成，且价格昂贵、配套设施复杂、光信号需解耦，制约了其在电池安全监测领域的发展的问题。一种用于储能系统安全监测的双参量薄膜传感器，由4个温度敏感层、1个压力敏感层、1个叉指电极、4个远端电极和4根导线组成。方法：一、制备浆料；二、制备薄膜；三、制备底层电路；四、制备传感器。一种用于储能系统安全监测的双参量薄膜传感器植入到储能系统中，用于检测储能系统内部的温度和压力。

公开(公告)号：CN116818847A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310746155.9

申请日：2023-06-21

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 徐丹 ,  段晓阳 ,  赵文杰 ,  贾文君 ,  闫瑞田 ,  全卫东

IPC: G01N27/12

Abstract: 一种Pt‑WS2@BP纳米花复合材料及其制备方法和应用，本发明为了解决目前气体传感领域选择性差，工作温度高的技术问题。本发明涉及半导体气体传感领域。该材料首先采用一步水热法，原料包括钨酸钠、硫脲和草酸，合成WS2三维花状纳米球，然后与BP纳米片混合，并加入氯铂酸进行超声均匀混合，真空干燥得到贵金属Pt负载的WS2@BP纳米复合材料，其中WS2三维花状纳米球微观形貌呈现片状纳米花结构，BP纳米片呈现纳米片层结构。本发明制备工艺简单，制得的Pt‑WS2@BP纳米花复合材料，在低温下对二氧化氮气体具有良好的响应和恢复特性以及优异的选择性。本发明制备的复合材料用于半导体气体传感领域。

公开(公告)号：CN110357614A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910679104.2

申请日：2019-07-25

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 徐丹 ,  赵文杰 ,  陈明华 ,  刘刚

IPC: C04B35/47 ,  C04B35/634 ,  C04B41/88

Abstract: 一种室温顺电-铁电可调的陶瓷材料及其制备方法，本发明涉及电子功能陶瓷材料领域，具体涉及一种室温顺电-铁电可调的陶瓷材料及其制备方法。本发明要解决现有钛酸锶材料的量子起伏效应阻碍铁电有序形成的技术问题。该陶瓷材料的化学式为(1-x)SrTiO3-xLiAlSiO4，本发明使用固相合成方法通过掺杂LiAlSiO4使钛酸锶在室温下由正常顺电相材料转变为具有微弱铁电性材料，并通过逐渐增加LiAlSiO4掺杂含量，来获得铁电性逐步增加的钛酸锶陶瓷材料。本发明工艺简单，成本低廉，不需要特殊工艺处理即可获得室温顺电-铁电可调的陶瓷材料。本发明制备的陶瓷材料应用于压电马达、执行机构、传感器、驱动器及换能器中。

公开(公告)号：CN110048694A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910325291.4

申请日：2019-04-22

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 陈寅生 ,  罗中明 ,  孙崐 ,  赵文杰

IPC: H03H21/00

Abstract: 基于变元步长的随机傅里叶特征核最小均方算法，属于核自适应滤波器优化领域，本发明为解决现有核自适应滤波系统中性能最好的基于随机傅里叶特征的核最小均方算法采用固定步长的方法，算法的收敛速度收到限制的问题。本发明具体过程为：计算核自适应滤波器的输出，计算误差；将第n次迭代的权值向量更新为第n+1次迭代的权值向量；将第n次迭代的步长更新为第n+1次迭代的步长；判断第n+1次迭代的步长的值与预先设定的步长取值范围的最小值和最大值的大小，将第n次迭代的元步长更新为第n+1次迭代的元步长，获取第n+1次迭代的核自适应滤波器的输出。本发明用于核自适应滤波系统。

公开(公告)号：CN110041068A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910420724.4

申请日：2019-05-20

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 徐丹 ,  赵文杰 ,  陈明华

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 一种扩散型相变区可调的钛酸钡陶瓷材料及其制备方法，本发明涉及无铅铁电陶瓷材料领域，具体涉及一种扩散型相变区可调的钛酸钡陶瓷材料及其制备方法。本发明要解决现有纯钛酸钡陶瓷材料压电性能弱的技术问题。该钛酸钡陶瓷材料的化学式为(xAlN/(1-x)BT)n，方法：本发明使用固相合成方法通过掺杂AlN使钛酸钡陶瓷材料具有明显的扩散型相变，通过调整AlN掺杂含量和xAlN/(1-x)BT陶瓷材料层数，获得具有扩散型相变区宽度可调的、电学性能优良的、成分渐变式多层陶瓷材料。本发明制备工艺简单，不需要精细粉体和特殊烧结工艺即可获得性能优良的扩散型相变区可调的钛酸钡陶瓷材料。本发明用于制备多层扩散型相变区可调的钛酸钡陶瓷材料。

公开(公告)号：CN109655630A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201910099583.0

申请日：2019-01-31

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 赵文杰 ,  徐丹 ,  陈寅生 ,  刘丛宁 ,  李鹏飞

IPC: G01P1/00 ,  G01P1/02 ,  G01P5/10

Abstract: 一种二维热温差型风速传感器及其环境自补偿方法，属于风速传感器领域，解决了现有氮化铝基的热温差型风速传感器的检测速率较低的问题。传感器：在低热导率的衬底上铺设有导热介质层，加热电极、四个温度探测电极和两个环境温度自补偿电极均设置在导热介质层上。方形的加热电极本体设置在导热介质层的中心，四个扇形的温度探测电极本体分别设置在加热电极本体的四周，两个环境温度自补偿电极本体分别设置在导热介质层的相对的两个边缘处。每个电极本体均设置有两个引出电极。环境自补偿方法：根据两个环境温度自补偿电极的电阻值确定环境温度值，根据环境温度值的变化，调节加热电极两端的电压频率，使所述风速传感器的温度场恒定。