公开(公告)号：CN106486547B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201510860860.7

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭成毅 ,  叶致锴 ,  江宏礼 ,  陈宏铭 ,  杨育佳

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置结构，包括：鳍结构，设于半导体基板上，其中鳍结构包括第一表面以及第二表面，其中第一表面相对于第二表面倾斜；及钝化层，覆盖鳍结构的第一表面及第二表面，其中覆盖第一表面的钝化层的第一部分的厚度大抵与覆盖第二表面的钝化层的第二部分的厚度相同。本公开实施例亦提供此半导体装置结构的制造方法。

公开(公告)号：CN103000506B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201210100440.5

申请日：2012-04-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宏铭 ,  张志豪 ,  尤志豪

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/401 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7845

Abstract: 本发明公开了改进的硅化物形成方式及相关器件。一种示例性的方法包括：提供具有在其中的间隔的源极区域和漏极区域的半导体材料；形成栅极结构，该栅极结构介于该源极区域和漏极区域之间；在该栅极结构上方实施栅极替换工艺，从而形成在其中的金属栅电极；在该金属栅电极上方形成硬掩模层；在半导体材料中的相应的源极区域和漏极区域上方形成硅化物层；去除该硬掩模层，从而暴露金属栅电极；以及形成源极接触件和漏极接触件，每个源极接触件和漏极接触件都与硅化物层中相应的一个电连接。

公开(公告)号：CN102446974B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201110307170.0

申请日：2011-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏达 ,  傅竹韵 ,  黄信烨 ,  杨淑婷 ,  陈宏铭

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/02293 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

Abstract: 本公开关于一种鳍片场效应晶体管(FinFET)。FinFET的示例性结构包括具有顶面的基板；在基板顶面上并具有锥形顶面的第一绝缘区域和第二绝缘区域；延伸在第一和第二绝缘区域之间的基板顶面上的基板的鳍片，其中鳍片包括凹陷部分，其具有低于第一和第二绝缘区域的锥形顶面的顶面，其中鳍片包括非凹陷部分，其具有高于所述锥形顶面的顶面；和在所述鳍片的非凹陷部分上的栅极堆叠。

公开(公告)号：CN103000506A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210100440.5

申请日：2012-04-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宏铭 ,  张志豪 ,  尤志豪

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/401 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7845

Abstract: 本发明公开了改进的硅化物形成方式及相关器件。一种示例性的方法包括：提供具有在其中的间隔的源极区域和漏极区域的半导体材料；形成栅极结构，该栅极结构介于该源极区域和漏极区域之间；在该栅极结构上方实施栅极替换工艺，从而形成在其中的金属栅电极；在该金属栅电极上方形成硬掩模层；在半导体材料中的相应的源极区域和漏极区域上方形成硅化物层；去除该硬掩模层，从而暴露金属栅电极；以及形成源极接触件和漏极接触件，每个源极接触件和漏极接触件都与硅化物层中相应的一个电连接。

公开(公告)号：CN102044469A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010116658.0

申请日：2010-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 袁峰 ,  李宗霖 ,  陈宏铭 ,  张长昀

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0203 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/764 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/845

Abstract: 本发明提供一种集成电路结构及其形成方法。上述集成电路结构包括一基板；两个隔绝区，位于上述基板上方，其中两个上述隔绝区的其中之一包括位于其中的一孔洞；以及一第一半导体条状物，介于两个上述隔绝区之间且邻接于两个上述隔绝区，其中上述第一半导体条状物包括一顶部，上述顶部形成位于两个上述隔绝区上方的一鳍状物。本发明可在鳍状场效晶体管的栅极的正下方形成孔洞。因为孔洞为空气的袋状物，其介电常数约等于1.0，所以可以降低浅沟槽隔绝区的等效介电常数。因此可降低寄生电容的电容值，改善最终的集成电路的性能。

公开(公告)号：CN106486547A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201510860860.7

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭成毅 ,  叶致锴 ,  江宏礼 ,  陈宏铭 ,  杨育佳

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置结构，包括：鳍结构，设于半导体基板上，其中鳍结构包括第一表面以及第二表面，其中第一表面相对于第二表面倾斜；及钝化层，覆盖鳍结构的第一表面及第二表面，其中覆盖第一表面的钝化层的第一部分的厚度大抵与覆盖第二表面的钝化层的第二部分的厚度相同。本公开实施例亦提供此半导体装置结构的制造方法。

公开(公告)号：CN102044469B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201010116658.0

申请日：2010-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 袁峰 ,  李宗霖 ,  陈宏铭 ,  张长昀

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0203 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/764 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/845

Abstract: 本发明提供一种集成电路结构及其形成方法。上述集成电路结构包括一基板；两个隔绝区，位于上述基板上方，其中两个上述隔绝区的其中之一包括位于其中的一孔洞；以及一第一半导体条状物，介于两个上述隔绝区之间且邻接于两个上述隔绝区，其中上述第一半导体条状物包括一顶部，上述顶部形成位于两个上述隔绝区上方的一鳍状物。本发明可在鳍状场效晶体管的栅极的正下方形成孔洞。因为孔洞为空气的袋状物，其介电常数约等于1.0，所以可以降低浅沟槽隔绝区的等效介电常数。因此可降低寄生电容的电容值，改善最终的集成电路的性能。

公开(公告)号：CN102034868B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201010288100.0

申请日：2010-09-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 袁锋 ,  陈宏铭 ,  李宗霖 ,  张长昀 ,  万幸仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/308 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853

Abstract: 本发明关于鳍式场效应晶体管的隔离结构。本发明公开了一种半导体装置及场效应晶体管，该鳍式场效应晶体管包括含一主要表面的基材；多个鳍式结构，突出此基材的主要表面，其中每个鳍式结构均包含由一过渡位置所分离的上部及下部，此过渡位置位于鳍式结构的侧壁与基材主要表面夹角85度处，其中此上部具有与此基材主要表面实质上垂直的侧壁及具有第一宽度的顶面，此下部具有位于此上部的两侧锥形侧壁及具有第二宽度的底部，此第二宽度大于此第一宽度；及多个隔离结构位于此些鳍式结构之间，其中每个隔离结构均自此基材的此主要表面延伸至过渡位置上方的一点。本发明可用以形成或制造用于无隔离凹陷的鳍式场效应晶体管的鳍式结构。

公开(公告)号：CN102446974A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110307170.0

申请日：2011-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏达 ,  傅竹韵 ,  黄信烨 ,  杨淑婷 ,  陈宏铭

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/02293 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

Abstract: 本公开关于一种鳍片场效应晶体管(FinFET)。FinFET的示例性结构包括具有顶面的基板；在基板顶面上并具有锥形顶面的第一绝缘区域和第二绝缘区域；延伸在第一和第二绝缘区域之间的基板顶面上的基板的鳍片，其中鳍片包括凹陷部分，其具有低于第一和第二绝缘区域的锥形顶面的顶面，其中鳍片包括非凹陷部分，其具有高于所述锥形顶面的顶面；和在所述鳍片的非凹陷部分上的栅极堆叠。

公开(公告)号：CN102074572A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010528793.6

申请日：2010-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 袁锋 ,  李宗霖 ,  陈宏铭 ,  张长昀

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211

Abstract: 一种集成电路结构，包括一基底，其具有一第一部分于一第一元件区中与一第二部分于一第二元件区中；以及两个隔离区于该第一元件区中且于该基底上。所述两个隔离区包括一第一介电材料其具有一第一k值。一半导体条介于所述两个隔离区之间并与所述两个隔离区邻接，随着该半导体条的一顶部部分形成一半导体鳍状物于所述两个隔离区的顶部表面上。一额外的隔离区于该第二元件区中且于该基底上。该额外的隔离区包括一第二介电材料其具有大于该第一k值的一第二k值。通过使用低介电常数材料来形成元件内浅沟槽隔离区，减少了鳍式场效应晶体管的寄生栅极电容并且增加分别的鳍式场效应晶体管的速度。