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公开(公告)号：CN106324038A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510775915.4
申请日：2015-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/3121 , G01N27/128 , H01L21/76802 , H01L21/7682 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L28/60
Abstract: 本发明提供一种气体传感器，包括衬底、加热器、介电层、感测电极和气体敏感膜。衬底具有感测区域和围绕感测区域的周围区域，并且衬底还具有设置在感测区域中的开口。将加热器设置为至少位于开口上面，并且加热器的电阻率约大于6×10-8ohm·m。介电层设置在加热器上。感测电极设置在介电层上。气体敏感膜设置在感测电极上。本发明还提供了使用气体传感器的集成电路器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN104049021B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201310554567.9
申请日：2013-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/414 , B81B7/00
Abstract: 本发明提供了一种生物场效应晶体管（BioFET）以及一种制造BioFET器件的方法。该方法包括：使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺相容的或者典型的互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的一个或多个工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件包括：衬底、晶体管结构、隔离层、位于隔离层的开口中的界面层、以及位于界面层上方的金属冠结构。界面层和金属冠结构设置在晶体管的与栅极结构相对的一侧上。
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公开(公告)号：CN103803479A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310039862.0
申请日：2013-01-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01N27/4145 , B01L3/502707 , B01L9/527 , B01L2200/025 , B01L2200/027 , B01L2200/10 , B01L2200/143 , B01L2300/0645 , G01N21/75 , G01N27/3271 , G01N27/3275 , G01N33/5438 , Y10T29/49
Abstract: 本发明提供了一种生物场效应晶体管(BioFET)设备的测试和处理方法、系统和装置。晶圆级生物传感器处理工具包括晶圆载物台、集成电微流控探针卡以及流体供应器和回流器。该集成电微流控探针卡包括流控底座(其可以为透明的)、流控底座中的微流体通道、位于流控底座的底部的至少一个微流控探针和多个电探针顶端、位于流控底座的侧部的流体和电子输入口和输出口以及位于流控底座上的至少一个操作凸缘。该方法包括对准晶圆、安装集成电微流控探针卡、使测试流体流动以及测试电气性能。该工具还可以用于标识或标记晶圆上的设备区中的流体。本发明还提供了一种集成电微流控探针卡、系统及其使用方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112299362A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201911175794.4
申请日：2019-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种微机电系统(MEMS)装置。所述微机电系统装置包括介电结构，介电结构设置在第一半导体衬底之上，其中介电结构至少局部地界定空腔。第二半导体衬底设置在介电结构之上。所述第二半导体衬底包括可移动体，其中可移动体的相对的侧壁设置在空腔的相对的侧壁之间。防粘连结构设置在可移动体与介电结构之间，其中防粘连结构是第一硅系半导体。
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公开(公告)号：CN103803479B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310039862.0
申请日：2013-01-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01N27/4145 , B01L3/502707 , B01L9/527 , B01L2200/025 , B01L2200/027 , B01L2200/10 , B01L2200/143 , B01L2300/0645 , G01N21/75 , G01N27/3271 , G01N27/3275 , G01N33/5438 , Y10T29/49
Abstract: 本发明提供了一种生物场效应晶体管(BioFET)设备的测试和处理方法、系统和装置。晶圆级生物传感器处理工具包括晶圆载物台、集成电微流控探针卡以及流体供应器和回流器。该集成电微流控探针卡包括流控底座(其可以为透明的)、流控底座中的微流体通道、位于流控底座的底部的至少一个微流控探针和多个电探针顶端、位于流控底座的侧部的流体和电子输入口和输出口以及位于流控底座上的至少一个操作凸缘。该方法包括对准晶圆、安装集成电微流控探针卡、使测试流体流动以及测试电气性能。该工具还可以用于标识或标记晶圆上的设备区中的流体。本发明还提供了一种集成电微流控探针卡、系统及其使用方法。
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公开(公告)号：CN106495086A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610600300.2
申请日：2016-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2201/0214 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/0015 , B81C1/00158 , B81C1/00182 , B81C1/00301 , B81C2203/035 , B81C2203/0792 , G01L9/0041 , G01L9/0042 , G01L9/0044 , G01L9/0045 , G01L9/0048 , G01N27/123 , B81B7/0096 , B81C3/001 , G01N27/00 , G01N27/128
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括第一器件和第二器件。第一器件包括：第一衬底；穿过第一衬底并且填充有导电或半导体材料的多个通孔；第一氧化物层，围绕导电或半导体材料；腔体，被第一衬底围绕；金属材料，设置在第一表面上方；第二氧化物层，设置在第二表面上方；膜，设置在第二氧化物层和腔体上方；加热器，设置在膜内；感测电极，设置在膜和加热器上方；以及感测材料，设置在腔体上方并且与感测电极接触。第二器件包括第二衬底和设置在第二衬底上方的接合结构。金属材料与接合结构接合以将第一器件与第二器件集成。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN104049021A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310554567.9
申请日：2013-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/414 , B81B7/00
Abstract: 本发明提供了一种生物场效应晶体管（BioFET）以及一种制造BioFET器件的方法。该方法包括：使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺相容的或者典型的互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的一个或多个工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件包括：衬底、晶体管结构、隔离层、位于隔离层的开口中的界面层、以及位于界面层上方的金属冠结构。界面层和金属冠结构设置在晶体管的与栅极结构相对的一侧上。
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公开(公告)号：CN103426930A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310192704.9
申请日：2013-05-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336 , G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4145
Abstract: 本发明提供了一种生物场效应晶体管(BioFET)和制造BioFET器件的方法。该方法包括使用与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的或者是典型的CMOS工艺的一个或多个工艺步骤形成BioFET。该BioFET器件可以包括衬底；设置在衬底的第一表面上的栅极结构和在衬底的第二表面上形成的界面层。界面层可以允许受体被放置在界面层上以检测存在的生物分子或生物实体。BioFET器件的放大因数可以由与第一表面上的栅极结构相关的电容和与第二表面上形成的界面层相关的电容的差值提供。本发明还提供了一种用于信号放大的具有双栅极生物场效应晶体管的系统和方法。
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