公开(公告)号：CN108183087A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201810128085.X

申请日：2012-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕盈缔 ,  陈文昭 ,  毛明瑞 ,  蔡冠智

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明的实施例提供了一种形成应力降低装置的方法。该方法包括：在衬底上形成金属通孔；在所述衬底上沉积应力降低层；对所述应力降低层施加蚀刻工艺以在所述金属通孔上方形成沟槽；用导电材料填充所述沟槽以形成金属结构；以及在所述应力降低层和所述金属结构的上端形成蚀刻阻挡层，其中，所述金属结构的上端包括形成在所述应力降低层中的凸缘部分。

公开(公告)号：CN106601753A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610786074.1

申请日：2016-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑国裕 ,  赵治平 ,  蔡冠智 ,  陈世雄 ,  蔡维恭

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的一些实施例涉及一种半导体器件。半导体器件包括衬底，衬底包括设置在绝缘层上方的硅层。衬底包括晶体管器件区域和射频(RF)区域。互连结构设置在衬底上方并且包括设置在介电结构内的多个金属层。处理衬底设置在互连结构的上表面上方。捕获层使互连结构与处理衬底分离。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN102593096B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201210012935.2

申请日：2012-01-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫昆懋 ,  林志勋 ,  叶玉隆 ,  蔡冠智

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L21/7687 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53295 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L28/88 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 多个金属层包括顶部金属层。将超厚金属(UTM)层设置在所述顶部金属层上方，其中，没有额外的金属层定位在UTM层和顶部金属层之间。将金属-绝缘体-金属(MIM)电容器设置在UTM层下方并且设置在顶部金属层上方。本发明还公开了一种在顶部金属层上形成金属-绝缘体-金属电容器。

公开(公告)号：CN104795384A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410268268.3

申请日：2014-06-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑国裕 ,  蔡维恭 ,  蔡冠智

IPC: H01L23/60 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/84 ,  H01L23/585 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/0607 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据一些实施例，本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件结构包括衬底，且该衬底具有器件区和边缘区。半导体器件结构也包括形成在衬底上的硅层和形成在硅层上的晶体管。晶体管形成在衬底的器件区。半导体器件结构还包括形成在硅层中的金属环。该金属环形成在衬底的边缘区，且该金属环环绕晶体管。

公开(公告)号：CN103247594A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210209629.8

申请日：2012-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕盈缔 ,  陈文昭 ,  毛明瑞 ,  蔡冠智

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种应力降低装置。该应力降低装置包括：在衬底上方形成的金属结构；在衬底上方形成的金属间介电层，其中，金属结构的下部嵌入金属间介电层；以及在金属结构上方形成的倒杯形应力降低层，其中，金属结构的上部嵌入倒杯形应力降低层。

公开(公告)号：CN102593096A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210012935.2

申请日：2012-01-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫昆懋 ,  林志勋 ,  叶玉隆 ,  蔡冠智

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L21/7687 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53295 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L28/88 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 多个金属层包括顶部金属层。将超厚金属(UTM)层设置在所述顶部金属层上方，其中，没有额外的金属层定位在UTM层和顶部金属层之间。将金属-绝缘体-金属(MIM)电容器设置在UTM层下方并且设置在顶部金属层上方。本发明还公开了一种在顶部金属层上形成金属-绝缘体-金属电容器。