公开(公告)号：CN102623381A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210020310.0

申请日：2012-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈文昭 ,  毛明瑞 ,  杨士贤 ,  蔡冠智

IPC: H01L21/70

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01G4/30 ,  H01G4/306 ,  H01G4/40 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16268 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种方法，包括：在半导体衬底的上方形成多个介电层；并且在该多个介电层中形成集成无源器件。然后，从该多个介电层中去除半导体衬底。将电介质衬底接合在多个介电层上。本发明还公开了一种用于在玻璃衬底上制造集成无源器件的方法。

公开(公告)号：CN108183087A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201810128085.X

申请日：2012-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕盈缔 ,  陈文昭 ,  毛明瑞 ,  蔡冠智

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明的实施例提供了一种形成应力降低装置的方法。该方法包括：在衬底上形成金属通孔；在所述衬底上沉积应力降低层；对所述应力降低层施加蚀刻工艺以在所述金属通孔上方形成沟槽；用导电材料填充所述沟槽以形成金属结构；以及在所述应力降低层和所述金属结构的上端形成蚀刻阻挡层，其中，所述金属结构的上端包括形成在所述应力降低层中的凸缘部分。

公开(公告)号：CN103247594A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210209629.8

申请日：2012-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕盈缔 ,  陈文昭 ,  毛明瑞 ,  蔡冠智

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种应力降低装置。该应力降低装置包括：在衬底上方形成的金属结构；在衬底上方形成的金属间介电层，其中，金属结构的下部嵌入金属间介电层；以及在金属结构上方形成的倒杯形应力降低层，其中，金属结构的上部嵌入倒杯形应力降低层。

公开(公告)号：CN103247698B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210195494.4

申请日：2012-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林泰群 ,  陈文昭 ,  戴志和 ,  毛明瑞 ,  蔡冠智

IPC: H01L29/94 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/3105

Abstract: 公开的实施例包括一种电容器结构及形成电容器结构的方法。实施例是一种包括位于衬底上的导体-绝缘体-导体电容器的结构。该导体-绝缘体-导体电容器包括位于衬底上的第一导体、位于第一导体上的介电堆叠件、以及位于介电堆叠件上方的第二导体。介电堆叠件包括第一氮化物层，位于第一氮化物层上方的第一氧化物层，以及位于第一氧化物层上方的第二氮化物层。又一实施例是一种方法包括在衬底上形成第一导体；在第一导体上方形成第一氮化物层；用第一氧化氮(N2O)处理来处理第一氮化物层以形成位于第一氮化物层上的氧化物层；在氧化物层上方形成第二氮化物层；以及在第二氮化层上方形成第二导体。

公开(公告)号：CN103247698A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210195494.4

申请日：2012-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林泰群 ,  陈文昭 ,  戴志和 ,  毛明瑞 ,  蔡冠智

IPC: H01L29/94 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/3105

Abstract: 公开的实施例包括一种电容器结构及形成电容器结构的方法。实施例是一种包括位于衬底上的导体-绝缘体-导体电容器的结构。该导体-绝缘体-导体电容器包括位于衬底上的第一导体、位于第一导体上的介电堆叠件、以及位于介电堆叠件上方的第二导体。介电堆叠件包括第一氮化物层，位于第一氮化物层上方的第一氧化物层，以及位于第一氧化物层上方的第二氮化物层。又一实施例是一种方法包括在衬底上形成第一导体；在第一导体上方形成第一氮化物层；用第一氧化氮(N2O)处理来处理第一氮化物层以形成位于第一氮化物层上的氧化物层；在氧化物层上方形成第二氮化物层；以及在第二氮化层上方形成第二导体。

公开(公告)号：CN108183087B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201810128085.X

申请日：2012-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕盈缔 ,  陈文昭 ,  毛明瑞 ,  蔡冠智

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明的实施例提供了一种形成应力降低装置的方法。该方法包括：在衬底上形成金属通孔；在所述衬底上沉积应力降低层；对所述应力降低层施加蚀刻工艺以在所述金属通孔上方形成沟槽；用导电材料填充所述沟槽以形成金属结构；以及在所述应力降低层和所述金属结构的上端形成蚀刻阻挡层，其中，所述金属结构的上端包括形成在所述应力降低层中的凸缘部分。