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公开(公告)号：CN101728392B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200910131496.5
申请日：2009-04-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/26586 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/0847 , H01L29/1083 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/7835
Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底，形成在所述衬底中的源区和漏区，形成在所述衬底上且设置在所述源区和漏区之间的栅结构，和形成在所述衬底中且在所述栅结构和所述漏区之间的第一隔离结构，所述第一隔离结构包括在接近于所述漏区的边界处的突起。每个突起包括在沿所述漏区边界的第一方向测量的宽度，和沿与所述第一方向垂直的第二方向测量的长度，相邻的突起之间相互间隔一定距离。
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公开(公告)号：CN101252147A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200710162197.9
申请日：2007-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/7835 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/42368 , H01L29/66659
Abstract: 本发明提供一种高压元件，包括：半导体基板；第一阱区，位于上述半导体基板中，上述第一阱区具有第一导电类型；第二阱区，位于上述半导体基板中，且相邻于上述第一阱区，上述第二阱区具有相反于上述第一导电类型的第二导电类型；场效应环状物，形成于一部分上述第一阱区上，其中上述场效应环状物的顶面包括至少一个曲面凹陷，上述场效应环状物具有上述第二导电类型；场效应电介质区，形成于一部分上述场效应环状物上，且延伸至上述第一阱区；栅极结构，形成于一部分上述场效应电介质区上，且延伸至一部分上述第二阱区。本发明能够增加元件击穿电压，同时维持导通电阻。
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公开(公告)号：CN101162697A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710103312.5
申请日：2007-05-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/063 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/42368 , H01L29/66659 , H01L29/7835
Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法。本发明的一个实施例包括基底，基底中的部分顶部区域中具有埋藏层以延伸至漂移区。结构层形成于埋藏层和基底上方，并且高压N阱区和高压P阱区彼此连接。场介电结构位于部分的高压N阱和P阱上方，且栅极介电结构和栅极导电结构形成于高压N阱和高压P阱间的沟道区上方。晶体管的源极和漏极位于高压N阱和高压P阱中，另外，P型场环形成于场介电下的N阱区中。在本发明另一实施例中，具有位于高压N阱中的分隔区的横向能量超级接面金属氧化物半导体元件包括延伸漂移区。本发明的半导体元件具有高击穿电压且有低导通电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101252147B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200710162197.9
申请日：2007-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/7835 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/42368 , H01L29/66659
Abstract: 本发明提供一种高压元件，包括：半导体基板；第一阱区，位于上述半导体基板中，上述第一阱区具有第一导电类型；第二阱区，位于上述半导体基板中，且相邻于上述第一阱区，上述第二阱区具有相反于上述第一导电类型的第二导电类型；场效应环状物，形成于一部分上述第一阱区上，其中上述场效应环状物的顶面包括至少一个曲面凹陷，上述场效应环状物具有上述第二导电类型；场效应电介质区，形成于一部分上述场效应环状物上，且延伸至上述第一阱区；栅极结构，形成于一部分上述场效应电介质区上，且延伸至一部分上述第二阱区。本发明能够增加元件击穿电压，同时维持导通电阻。
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公开(公告)号：CN101728392A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910131496.5
申请日：2009-04-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/26586 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/0847 , H01L29/1083 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/7835
Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底，形成在所述衬底中的源区和漏区，形成在所述衬底上且设置在所述源区和漏区之间的栅结构，和形成在所述衬底中且在所述栅结构和所述漏区之间的第一隔离结构，所述第一隔离结构包括在接近于所述漏区的边界处的突起。每个突起包括在沿所述漏区边界的第一方向测量的宽度，和沿与所述第一方向垂直的第二方向测量的长度，相邻的突起之间相互间隔一定距离。
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公开(公告)号：CN101562195A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200810212304.9
申请日：2008-09-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/063 , H01L29/0623 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/0878 , H01L29/1045 , H01L29/1095 , H01L29/66659 , H01L29/66689 , H01L29/7816 , H01L29/7833 , H01L29/7835 , H01L29/7836
Abstract: 本发明是有关于一种半导体结构，其包括：一半导体基材；一第一高电压掺杂井区，位于该半导体基材上，具有一第一电性；一第二高电压掺杂井区，位于该半导体基材上，具有与该第一电性相反的一第二电性，并横向地邻接该第一高电压掺杂井区；一栅介电层，从该第一高电压掺杂井区上方延伸至该第二高电压掺杂井区上方；一栅极，位于该栅介电层上方；一漏极区，位于该第二高电压掺杂井区之中；一源极区，位于该栅介电层的一侧，与该漏极区反向相对；及一深掺杂p型井区，位于该第二高电压掺杂井区下方，具有该第一电性，其中该深掺杂p型井区实质上并未直接地形成在该漏极区的正下方。本发明可降低源极－漏极之间的开启状态电阻值，增进开启状态的驱动电流。
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公开(公告)号：CN101546785A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910128887.1
申请日：2009-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/36
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/0623 , H01L29/0649
Abstract: 本发明揭示一种集成电路结构，该结构包括：一半导体基底；一阱区，位于半导体基底上方，具有一第一导电型；一含金属层，位于阱区上方，其中含金属层与阱区构成一肖特基势垒(Schottky barrier)；一隔离区，围绕含金属层；以及一深阱区，位于含金属层下方，具有相反于第一导电型的一第二导电型。深阱区至少有一部分与一部分的含金属层呈垂直重叠。深阱区经由阱区而与隔离区及含金属层呈垂直隔开。本发明可以改进击穿电压、降低漏电流，以及可调整击穿电压。
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公开(公告)号：CN220189655U
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202320887060.4
申请日：2023-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露阐述一种具有导电板的半导体结构。所述结构包括：栅极结构，设置于衬底的扩散区上；保护层，与扩散区接触且覆盖栅极结构的侧壁与栅极结构的顶表面的一部分；以及第一绝缘层，与栅极结构及保护层接触。所述结构更包括：导电板，与第一绝缘层接触，其中导电板的第一部分在保护层的水平部分之上在侧向上延伸，且其中导电板的第二部分在保护层的覆盖栅极结构的侧壁的侧壁部分之上延伸。所述结构更包括与导电板接触的第二绝缘层。
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