公开(公告)号：CN101140798A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200710141048.4

申请日：2007-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子贵 ,  廖忠志 ,  赖逢时 ,  李嘉富

IPC: G11C11/413

CPC classification number: G11C5/14 ,  G11C11/413

Abstract: 本发明提供一种静态随机存取存储器装置。该静态随机存取存储器(SRAM)装置包含至少一存储器单元，具有一源极线以接收一内部供应电源；以及一电压管理电路，耦接至该源极线以产生该内部供应电源，依照该存储器单元各种不同的运作模式将该内部供应电源改变为至少两种不同的电压电平。本发明所提出的实施例在不同运作模式下供应不同的电压；当SRAM在一正常或读取模式下，该电压管理电路以永远高于SRAM周边电源供应电压的一电压供应给该SRAM核阵列；一较高电压使得写入运作(不管故意的或是意外的)较难进行，因而增加静态噪声容限；如此一来，增加了SRAM单元在写入运作时的稳定度。

公开(公告)号：CN104700888A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410743598.3

申请日：2014-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子贵 ,  廖宏仁 ,  陈炎辉 ,  吴经纬

IPC: G11C11/413 ,  G11C11/417

CPC classification number: G11C7/1075 ,  G11C11/413 ,  H01L27/11 ,  H01L2924/0002

Abstract: 一种三端口三维位单元，通常包括设置在第一层级上的单元的读部分。读部分包括多个读端口元件。三端口位单元还包括设置在相对于第一层级垂直堆叠的第二层级上单元的写部分。第一层级和第二层级使用至少一个通孔耦合。写部分包括多个写端口元件。本发明还提供了三维三端口位单元的组装方法。

公开(公告)号：CN102456392A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110311684.3

申请日：2011-10-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子贵 ,  廖宏仁 ,  周绍禹 ,  吴经纬

IPC: G11C7/22 ,  G11C7/02

CPC classification number: G11C7/222

Abstract: 一种存储器器件，提供了存储器器件和时钟偏移发生器，支持至少两个读取操作和写入操作，在存储器器件的读取-读取操作模式、读取-写入操作模式，写入-写入操作模式中，该至少两个读取操作和写入操作可以同时进行。在同时产生的沿会造成有害负载的操作模式中，时钟偏移发生器产生至少两个稳定和平衡的时钟信道，该时钟信道装载了至少两个时钟信号，并且，该时钟偏移发生器改变了时钟信号沿的相对时序，使得该沿及时位移。

公开(公告)号：CN101079318A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710104168.7

申请日：2007-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子贵 ,  赖逢时 ,  李嘉富 ,  林胜祺 ,  王屏薇 ,  张长昀 ,  钟堂轩 ,  李宗霖

IPC: G11C11/41

Abstract: 本发明提供一种静态随机存取存储器单元以及阵列，该静态随机存取存储器单元包括第一负载元件、第一下拉晶体管，以及耦接于第一负载元件与第一下拉晶体管之间的开关盒。开关盒用以接收开关控制信号，在上述静态随机存取存储器单元的读出操作期间，切断位于第一负载元件以及第一下拉晶体管之间的第一连线，以及在写入操作期间导通第一连线。本发明的静态随机存取存储器单元以及阵列可避免静态噪声，以及能容忍较高的噪声与较高的元件不匹配。由于噪声容忍度的改善，静态随机存取存储器单元可被使用在非常小尺寸的技术上，操作电压也可被减小。