公开(公告)号：CN102468141A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110228993.4

申请日：2011-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张庆裕 ,  吕奎亮 ,  谢铭峰

IPC: H01L21/027 ,  C23C16/455

CPC classification number: G03F7/167 ,  B05D1/60

Abstract: 一种用于形成薄膜的蒸发喷射沉积装置包括处理室、流体线以及在处理室附近与流体线连接的喷射头。流体线被设置成向喷射头传输聚合物流体和溶剂混合物。喷射头被设置成接收聚合物流体和溶剂混合物并且雾化该聚合物流体和溶剂混合物，从而以基本上蒸发的形式喷出该聚合物流体和溶剂混合物以沉积在表面上，并且由此在溶剂蒸发之后在该表面上形成聚合物薄膜。在实施例中，该蒸发喷射沉积装置可以包括加热装置以对聚合物进行硬烘烤工艺。在实施例中，蒸发喷射沉积装置被设置成向该薄膜聚合物提供沉积后溶剂喷射修整工艺。本发明还提供了一种蒸发聚合物喷射沉积系统。

公开(公告)号：CN105988283B

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201510052976.8

申请日：2015-02-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊羽 ,  陈奕杰 ,  邱丰源 ,  郑英周 ,  吕奎亮 ,  张雅惠 ,  刘如淦 ,  高蔡胜

IPC: G03F1/36

Abstract: 本发明提供了用于制造集成电路的光掩模和方法。光掩模包括：封闭在至少一个第一区域和至少一个第二区域中的多个主要部件，其中，第一区域包括单个主要部件并且第二区域包括多个主要部件；以及设置在第一区域和第二区域之间或者设置在第二区域之间的多个辅助部件。光掩模提高了临界尺寸的精度并且有利于制造集成电路。本发明涉及用于制造集成电路的光掩模和方法。

公开(公告)号：CN107015446A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610858785.5

申请日：2016-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈庆煌 ,  林书宏 ,  吕奎亮 ,  张雅惠 ,  谢弘璋

IPC: G03F9/00

CPC classification number: G03F7/70141 ,  G03F7/70633 ,  G03F9/7076 ,  H01L22/12 ,  Y10S438/975 ,  G03F9/708

Abstract: 用于半导体制造的器件包括衬底和形成在衬底上方的层，其中，层包括对准标记。对准标记包括沿着第一方向纵向定向的多个第一纵长构件，并且该多个第一纵长构件沿着第二方向分布。对准标记还包括沿着与第一方向垂直的第三方向纵向定向的多个第二纵长构件，并且该多个第二纵长构件沿着第二方向分布，其中第二方向与第一方向和第三方向中的每一个都不同。本发明还提供了光刻对准标记。

公开(公告)号：CN105988283A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510052976.8

申请日：2015-02-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊羽 ,  陈奕杰 ,  邱丰源 ,  郑英周 ,  吕奎亮 ,  张雅惠 ,  刘如淦 ,  高蔡胜

IPC: G03F1/36

Abstract: 本发明提供了用于制造集成电路的光掩模和方法。光掩模包括：封闭在至少一个第一区域和至少一个第二区域中的多个主要部件，其中，第一区域包括单个主要部件并且第二区域包括多个主要部件；以及设置在第一区域和第二区域之间或者设置在第二区域之间的多个辅助部件。光掩模提高了临界尺寸的精度并且有利于制造集成电路。本发明涉及用于制造集成电路的光掩模和方法。

公开(公告)号：CN105789049A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201410808179.3

申请日：2014-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 伍海涛 ,  吕奎亮 ,  谢铭峰 ,  刘如淦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了用于图案化鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的鳍的方法。一种示例性方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成多个细长突出物，细长突出物在第一方向上延伸，以及形成覆盖细长突出物的第一部分的掩模，该掩模由具有第一蚀刻速率的第一材料形成。该方法也包括：形成围绕掩模的间隔件，间隔件由蚀刻速率低于第一材料的蚀刻速率的第二材料形成，掩模和间隔件一起覆盖细长突出物的第二部分，细长突出物的第二部分大于细长突出物的第一部分。而且，该方法包括去除多个细长突出物的未由掩模和间隔件覆盖的剩余部分。

公开(公告)号：CN103247574A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210198957.2

申请日：2012-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何韦德 ,  吕奎亮 ,  谢铭峰 ,  张庆裕

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  G03F1/26

CPC classification number: G03F1/38 ,  G03F7/70466 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211

Abstract: 本发明涉及鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的切割掩模图案化工艺，其中，用于以非矩形图案对多个部件(诸如位于集成电路器件上)进行图案化的方法包括：提供包括具有多个伸长凸起的表面的衬底，伸长凸起在第一方向上延伸。在表面上方和多个伸长凸起上方形成第一层，并利用端部切割掩模对其进行图案化。端部切割掩模包括两个紧邻的图案，亚分辨率部件被定位和配置为使得第一层上的合成图案包括两个紧邻的图案以及位于它们之间的连接部分。该方法进一步包括使用第一层上的图案对伸长凸起进行端部切割。