公开(公告)号：CN114695366A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202110703759.6

申请日：2021-06-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林玉珠 ,  任啟中 ,  刘怡伶 ,  江文智 ,  廖耕颍 ,  董怀仁

IPC: H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568

Abstract: 揭示一种快闪记忆体元件及其制造方法与其阵列。快闪记忆体元件位于基材上，包含浮动栅极电极、位于基材与浮动栅极电极之间的穿隧介电层、长度较小的控制栅极电极、以及位于浮动栅极电极与长度较小的控制栅极之间的控制栅极介电层。长度较小的控制栅极的主轴的长度小于浮动栅极电极的主轴的长度。

公开(公告)号：CN114664621A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202011536346.5

申请日：2020-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖耕颍 ,  董怀仁 ,  林子平 ,  陈柏仁 ,  陈明凯 ,  陈希贤 ,  苏明宏 ,  林玉珠 ,  任啟中

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 提供一种感应耦合电浆设备及其操作方法，操作感应耦合电浆设备的方法包含：将一第一磁场遮蔽元件设置邻近于一反应室的一第一侧；当第一磁场遮蔽元件设置邻近于该反应室的该第一侧时，进行一第一电浆制程；在进行完该第一电浆制程之后，从该反应室的该第一侧，移除该第一磁场遮蔽元件；以及在从该反应室的该第一侧移除该第一磁场遮蔽元件之后，进行一第二电浆制程。

公开(公告)号：CN114520261A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202110220562.7

申请日：2021-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林玉珠 ,  任啟中 ,  江文智 ,  苏明宏 ,  陈永翰 ,  苏美甄 ,  盤家铭

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 一种晶体管、半导体元件及其形成方法。在一些实行方案中，一或多个半导体处理工具可通过以下操作形成半导体元件的第一端子：将穿隧氧化物层沉积于半导体元件的主体的第一部分上；将第一体积的基于多晶硅的材料沉积于穿隧氧化物层上；及将第一介电层沉积于第一体积的基于多晶硅的材料的上部表面上，且将第二介电层沉积于第一体积的基于多晶硅的材料的侧表面上。一或多个半导体处理工具可通过以下操作形成半导体元件的第二端子：将第二体积的基于多晶硅的材料沉积于半导体元件的主体的第二部分上。第二体积的基于多晶硅的材料的侧表面邻近于第二介电层。

公开(公告)号：CN113851366A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202011229741.9

申请日：2020-11-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖耕颍 ,  董怀仁 ,  林子平 ,  陈柏仁 ,  邱兆村 ,  吴泰进 ,  林玉珠 ,  任啟中 ,  周俊伟

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 一种感应耦合电浆设备及其操作方法，感应耦合电浆设备包含反应室、线圈以及晶圆基座。反应室具有本体以及介电板体，其中本体以及介电板体定义一空间，其中介电板体具有凹槽，凹槽朝向该空间。线圈设置于该介电板体背向该空间的表面。晶圆基座设置于该空间中。

公开(公告)号：CN113540103A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110181730.6

申请日：2021-02-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 任啟中 ,  林玉珠 ,  郭原呈 ,  江文智 ,  廖耕颍 ,  董怀仁

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/11568

Abstract: 本案提供一种具有金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)元件的半导体装置及其制造方法，半导体装置包括：浮栅层，形成于基板中的沟槽内；穿隧介电层，位于沟槽的侧壁及底部上；控制栅介电层，位于浮栅层的顶表面上；控制栅层，位于控制栅介电层的顶表面上；及侧壁间隔物，位于控制栅介电层及控制栅层的侧壁上。