公开(公告)号：CN114520261A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202110220562.7

申请日：2021-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林玉珠 ,  任啟中 ,  江文智 ,  苏明宏 ,  陈永翰 ,  苏美甄 ,  盤家铭

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 一种晶体管、半导体元件及其形成方法。在一些实行方案中，一或多个半导体处理工具可通过以下操作形成半导体元件的第一端子：将穿隧氧化物层沉积于半导体元件的主体的第一部分上；将第一体积的基于多晶硅的材料沉积于穿隧氧化物层上；及将第一介电层沉积于第一体积的基于多晶硅的材料的上部表面上，且将第二介电层沉积于第一体积的基于多晶硅的材料的侧表面上。一或多个半导体处理工具可通过以下操作形成半导体元件的第二端子：将第二体积的基于多晶硅的材料沉积于半导体元件的主体的第二部分上。第二体积的基于多晶硅的材料的侧表面邻近于第二介电层。

公开(公告)号：CN115528099A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211046548.0

申请日：2022-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林玉珠 ,  江文智 ,  任啟中 ,  苏明宏 ,  苏美甄 ,  李家纬 ,  苏冠玮 ,  盘家铭

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开所述的一些实施方式提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括耦合至半导体结构的基板的第一端点。第一端点包括形成在基板上的穿隧层、形成在穿隧层上的第一导电结构和形成在第一导电结构的顶表面和第一弯曲侧表面上的介电质结构。半导体结构包括耦合至基板的第二端点。第二端点包括形成在隔离结构上的第二导电结构。第二导电结构具有第二弯曲侧表面，以及介电质结构设置在第一弯曲侧表面和第二弯曲侧表面之间。

公开(公告)号：CN115528100A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211054961.1

申请日：2022-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林玉珠 ,  江文智 ,  任啟中 ,  苏明宏 ,  苏美甄 ,  李家纬 ,  苏冠玮 ,  盘家铭

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本文描述的一些实施方式提供一种半导体结构和其制造方法。半导体结构包括耦合至半导体结构的基板的第一端点，其中第一端点包括形成在基板上的穿隧层的第一部分和形成在穿隧层的第一部分上的第一栅极。半导体结构包括耦合至基板并且邻近于第一端点的第二端点，其中第二端点包括形成在基板上的穿隧层的第二部分、形成在穿隧层的第二部分上的第二栅极和形成在第二栅极的顶表面和侧表面上的介电质结构。半导体结构包括耦合至绝缘结构并且邻近于第二端点的第三端点，其中第三端点包括形成在绝缘结构上的第三栅极。