公开(公告)号：CN114520261A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202110220562.7

申请日：2021-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林玉珠 ,  任啟中 ,  江文智 ,  苏明宏 ,  陈永翰 ,  苏美甄 ,  盤家铭

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 一种晶体管、半导体元件及其形成方法。在一些实行方案中，一或多个半导体处理工具可通过以下操作形成半导体元件的第一端子：将穿隧氧化物层沉积于半导体元件的主体的第一部分上；将第一体积的基于多晶硅的材料沉积于穿隧氧化物层上；及将第一介电层沉积于第一体积的基于多晶硅的材料的上部表面上，且将第二介电层沉积于第一体积的基于多晶硅的材料的侧表面上。一或多个半导体处理工具可通过以下操作形成半导体元件的第二端子：将第二体积的基于多晶硅的材料沉积于半导体元件的主体的第二部分上。第二体积的基于多晶硅的材料的侧表面邻近于第二介电层。