公开(公告)号：CN115528099A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211046548.0

申请日：2022-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林玉珠 ,  江文智 ,  任啟中 ,  苏明宏 ,  苏美甄 ,  李家纬 ,  苏冠玮 ,  盘家铭

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开所述的一些实施方式提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括耦合至半导体结构的基板的第一端点。第一端点包括形成在基板上的穿隧层、形成在穿隧层上的第一导电结构和形成在第一导电结构的顶表面和第一弯曲侧表面上的介电质结构。半导体结构包括耦合至基板的第二端点。第二端点包括形成在隔离结构上的第二导电结构。第二导电结构具有第二弯曲侧表面，以及介电质结构设置在第一弯曲侧表面和第二弯曲侧表面之间。

公开(公告)号：CN117096104A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310971920.7

申请日：2019-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏冠玮 ,  黄俊育 ,  林志勋 ,  谢炳邦

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本文公开了用于改进层间介电(ILD)层形貌的方法和产生的集成电路器件。示例性方法包括在晶圆的第一区域上方形成具有第一厚度的第一接触蚀刻停止层，在晶圆的第二区域上方形成具有第二厚度的第二接触蚀刻停止层，并且在第一接触蚀刻停止层和第二接触蚀刻停止层上方形成ILD层。在第一区域和第二区域之间存在第一形貌变化。第二厚度与第一厚度不同，以实现小于第一形貌变化的第二形貌变化。第一形貌变化可以由设置在第一区域中的晶圆上方的第一栅极结构与设置在第二区域中的晶圆上方的第二栅极结构之间的高度差引起。本发明的实施例还涉及用于改进层间介电层形貌的方法。

公开(公告)号：CN115528100A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211054961.1

申请日：2022-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林玉珠 ,  江文智 ,  任啟中 ,  苏明宏 ,  苏美甄 ,  李家纬 ,  苏冠玮 ,  盘家铭

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本文描述的一些实施方式提供一种半导体结构和其制造方法。半导体结构包括耦合至半导体结构的基板的第一端点，其中第一端点包括形成在基板上的穿隧层的第一部分和形成在穿隧层的第一部分上的第一栅极。半导体结构包括耦合至基板并且邻近于第一端点的第二端点，其中第二端点包括形成在基板上的穿隧层的第二部分、形成在穿隧层的第二部分上的第二栅极和形成在第二栅极的顶表面和侧表面上的介电质结构。半导体结构包括耦合至绝缘结构并且邻近于第二端点的第三端点，其中第三端点包括形成在绝缘结构上的第三栅极。

公开(公告)号：CN110648968A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910211341.6

申请日：2019-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏冠玮 ,  黄俊育 ,  林志勋 ,  谢炳邦

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本文公开了用于改进层间介电(ILD)层形貌的方法和产生的集成电路器件。示例性方法包括在晶圆的第一区域上方形成具有第一厚度的第一接触蚀刻停止层，在晶圆的第二区域上方形成具有第二厚度的第二接触蚀刻停止层，并且在第一接触蚀刻停止层和第二接触蚀刻停止层上方形成ILD层。在第一区域和第二区域之间存在第一形貌变化。第二厚度与第一厚度不同，以实现小于第一形貌变化的第二形貌变化。第一形貌变化可以由设置在第一区域中的晶圆上方的第一栅极结构与设置在第二区域中的晶圆上方的第二栅极结构之间的高度差引起。本发明的实施例还涉及用于改进层间介电层形貌的方法。