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公开(公告)号：CN102812520A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201180014310.3
申请日：2011-03-18
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: B23K35/0244 , H01B1/22 , H01L21/4853 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05644 , H01L2224/1132 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16505 , H01L2224/2732 , H01L2224/29101 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32225 , H01L2224/32505 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48644 , H01L2224/81121 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81203 , H01L2224/8184 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/8384 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/35121 , H05K3/3484 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明提供导电性糊料，其用于形成空穴(空隙)的不均匀分布少、不存在粗大空隙和裂纹、热循环特性提高、且抗裂性和接合强度优异的导电连接部件。一种导电性糊料，其特征在于，其包含50质量%～85质量%的金属微粒(P)和50质量%～15质量%的由有机溶剂(S)构成或者由有机溶剂(S)与有机粘结剂(B)构成的有机分散介质(D)(质量%的合计为100质量%)，所述金属微粒(P)由金属微粒(P1)和金属微粒(P2)构成，所述金属微粒(P1)由选自金属和合金的1种或2种以上构成且平均一次粒径为1nm～150nm，所述金属微粒(P2)与金属微粒(P1)为同种金属且平均一次粒径为1μm～10μm，其混配比例(P1/P2)为80质量%～95质量%/20质量%～5质量%(质量%的合计为100质量%)。
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公开(公告)号：CN114051522B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202080047771.X
申请日：2020-07-01
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/30 , C09J101/28 , C09J9/02 , C09J171/02 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供连接耐热性充分且可靠性高，而且无关于半导体元件的电极种类，与基板的接合良好，接合工序简易的接合膜、晶片加工用胶带、接合体的制造方法、接合体及贴合体。一种用于将半导体元件(2)与基板(40)接合的接合膜(13)，其特征在于，具有：包含金属微粒(P)的导电性糊料成形为膜状而成的导电性接合层(13a)，以及具有初粘性且层叠于导电性接合层(13a)的初粘层(13b)，相对于导电性接合层(13a)内的金属微粒(P)，初粘层(13b)含有0.1质量％～1.0质量％的金属微粒(M)，上述金属微粒(M)的熔点为250℃以下。
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公开(公告)号：CN114051522A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202080047771.X
申请日：2020-07-01
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/30 , C09J101/28 , C09J9/02 , C09J171/02 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供连接耐热性充分且可靠性高，而且无关于半导体元件的电极种类，与基板的接合良好，接合工序简易的接合膜、晶片加工用胶带、接合体的制造方法、接合体及贴合体。一种用于将半导体元件(2)与基板(40)接合的接合膜(13)，其特征在于，具有：包含金属微粒(P)的导电性糊料成形为膜状而成的导电性接合层(13a)，以及具有初粘性且层叠于导电性接合层(13a)的初粘层(13b)，相对于导电性接合层(13a)内的金属微粒(P)，初粘层(13b)含有0.1质量％～1.0质量％的金属微粒(M)，上述金属微粒(M)的熔点为250℃以下。
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公开(公告)号：CN109642123B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201780052197.5
申请日：2017-12-05
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/20 , B32B5/28 , B32B7/027 , B32B7/025 , B32B7/022 , B32B27/00 , C09J1/00 , C09J7/21 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/52
Abstract: 本发明提供一种接合膜及晶圆加工用带，其可以在将半导体元件与基板接合而成的半导体装置中提高机械强度、热循环特性。一种接合膜，其特征在于，其为用于接合半导体元件(2)与基板(40)的接合膜(13)，其具有导电性接合层(13a)，所述导电性接合层(13a)是将含有金属微粒(P)的导电性糊剂填充于包含多孔体或网眼状体的强化层的孔或网眼中而成的。
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公开(公告)号：CN109562493A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780048680.6
申请日：2017-07-31
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: B23K35/363 , B23K20/00 , B23K20/16 , B23K35/24 , B23K35/26 , B23K35/28 , H01B5/00 , C22C12/00 , C22C13/00
Abstract: 提供一种能在相对低温下进行电子部件等金属间的高强度接合的含金属粒子的组合物。一种含金属粒子的组合物，其特征在于，由包含金属元素(M)的金属微粒(P1)、低熔点金属粉(P2)和活化剂(A)构成，所述包含金属元素(M)的金属微粒(P1)的一次颗粒的粒径为1nm以上且500nm以下，并且块体熔点超过420℃；所述低熔点金属粉(P2)由熔点为420℃以下的金属或合金构成，并且不可避免地含有氧；所述活化剂(A)在分子结构中包含一个以上的能与氧原子结合而不随之生成水的磷或硫。
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公开(公告)号：CN108368565A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201780004396.9
申请日：2017-05-15
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供兼具高拉伸强度、高柔软性、高导电率及高耐弯曲疲劳性的铜合金线材。本发明的铜合金线材的特征在于，具有如下化学组成：含有Ag：0.1～6.0质量％、P：0～20质量ppm，余量由铜及不可避免的杂质构成；且在线材的平行于长度方向的截面中，纵横比大于等于1.5且和线材长度方向垂直的方向的尺寸小于等于200nm的第二相粒子的个数密度大于等于1.4个/μm2。
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公开(公告)号：CN107848077A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680040603.1
申请日：2016-07-08
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: B23K35/22 , B22F1/02 , B23K35/26 , C22C13/00 , H01B1/00 , H01B1/22 , B23K35/28 , C22C12/00 , C22C18/00
Abstract: 本发明提供在较低温下实现电子部件等的金属间的接合，在接合后有机物残量少，并且实现高强度的接合的含金属微粒的组合物。含金属微粒的组合物，具有：由被覆物(C)被覆表面的至少一部分或者全部、且一次粒子的粒径为1～500nm的、含有体熔点超过420℃的金属元素(M)的金属微粒(P1)；含有体熔点为420℃以下的金属或合金的低熔点金属粉(P2)；和从金属微粒(P1)表面上使被覆物(C)分解除去的活化剂(A)。
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公开(公告)号：CN102812520B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201180014310.3
申请日：2011-03-18
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: B23K35/0244 , H01B1/22 , H01L21/4853 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05644 , H01L2224/1132 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16505 , H01L2224/2732 , H01L2224/29101 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32225 , H01L2224/32505 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48644 , H01L2224/81121 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81203 , H01L2224/8184 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/8384 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/35121 , H05K3/3484 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明提供导电性糊料，其用于形成空穴(空隙)的不均匀分布少、不存在粗大空隙和裂纹、热循环特性提高、且抗裂性和接合强度优异的导电连接部件。一种导电性糊料，其特征在于，其包含50质量%～85质量%的金属微粒(P)和50质量%～15质量%的由有机溶剂(S)构成或者由有机溶剂(S)与有机粘结剂(B)构成的有机分散介质(D)(质量%的合计为100质量%)，所述金属微粒(P)由金属微粒(P1)和金属微粒(P2)构成，所述金属微粒(P1)由选自金属和合金的1种或2种以上构成且平均一次粒径为1nm～150nm，所述金属微粒(P2)与金属微粒(P1)为同种金属且平均一次粒径为1μm～10μm，其混配比例(P1/P2)为80质量%～95质量%/20质量%～5质量%(质量%的合计为100质量%)。
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公开(公告)号：CN113921448B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202111184223.4
申请日：2017-11-09
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J7/24 , C09J7/38 , C09J9/02
Abstract: 本发明提供连接耐热性充分且可靠性高、将半导体元件与基板接合的接合工序简便的接合膜和贴合体。所述贴合体的特征在于，使具有基材膜和设于该基材膜上的粘合剂层的粘合膜、用于将半导体元件与基板接合的接合膜、以及半导体晶片贴合而成，所述接合膜具有将包含金属微粒(P)的导电性浆料以膜状成形而得的导电性接合层、和具有粘性且层叠于所述导电性接合层的粘性层，所述导电性接合层贴合于所述粘合剂层，所述半导体晶片贴合于所述粘性层。所述粘性层是可热分解的，并且所述粘性层包含使金属微粒(P)还原的物质，粘性层因接合时的加热而将所述粘性层热分解，所述导电性接合层的所述金属微粒发生烧结，由此将所述半导体元件与所述基板接合。
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公开(公告)号：CN113921448A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111184223.4
申请日：2017-11-09
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J7/24 , C09J7/38 , C09J9/02
Abstract: 本发明提供连接耐热性充分且可靠性高、将半导体元件与基板接合的接合工序简便的接合膜和贴合体。所述贴合体的特征在于，使具有基材膜和设于该基材膜上的粘合剂层的粘合膜、用于将半导体元件与基板接合的接合膜、以及半导体晶片贴合而成，所述接合膜具有将包含金属微粒(P)的导电性浆料以膜状成形而得的导电性接合层、和具有粘性且层叠于所述导电性接合层的粘性层，所述导电性接合层贴合于所述粘合剂层，所述半导体晶片贴合于所述粘性层。所述粘性层是可热分解的，并且所述粘性层包含使金属微粒(P)还原的物质，粘性层因接合时的加热而将所述粘性层热分解，所述导电性接合层的所述金属微粒发生烧结，由此将所述半导体元件与所述基板接合。
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