公开(公告)号：CN114051522B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202080047771.X

申请日：2020-07-01

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 新田纳泽福 ,  藤原英道 ,  佐藤义浩

IPC: C09J7/30 ,  C09J101/28 ,  C09J9/02 ,  C09J171/02 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供连接耐热性充分且可靠性高，而且无关于半导体元件的电极种类，与基板的接合良好，接合工序简易的接合膜、晶片加工用胶带、接合体的制造方法、接合体及贴合体。一种用于将半导体元件(2)与基板(40)接合的接合膜(13)，其特征在于，具有：包含金属微粒(P)的导电性糊料成形为膜状而成的导电性接合层(13a)，以及具有初粘性且层叠于导电性接合层(13a)的初粘层(13b)，相对于导电性接合层(13a)内的金属微粒(P)，初粘层(13b)含有0.1质量％～1.0质量％的金属微粒(M)，上述金属微粒(M)的熔点为250℃以下。

公开(公告)号：CN114051522A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202080047771.X

申请日：2020-07-01

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 新田纳泽福 ,  藤原英道 ,  佐藤义浩

IPC: C09J7/30 ,  C09J101/28 ,  C09J9/02 ,  C09J171/02 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供连接耐热性充分且可靠性高，而且无关于半导体元件的电极种类，与基板的接合良好，接合工序简易的接合膜、晶片加工用胶带、接合体的制造方法、接合体及贴合体。一种用于将半导体元件(2)与基板(40)接合的接合膜(13)，其特征在于，具有：包含金属微粒(P)的导电性糊料成形为膜状而成的导电性接合层(13a)，以及具有初粘性且层叠于导电性接合层(13a)的初粘层(13b)，相对于导电性接合层(13a)内的金属微粒(P)，初粘层(13b)含有0.1质量％～1.0质量％的金属微粒(M)，上述金属微粒(M)的熔点为250℃以下。

公开(公告)号：CN113921448B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202111184223.4

申请日：2017-11-09

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 新田纳泽福 ,  佐藤义浩 ,  藤原英道

IPC: H01L21/683 ,  C09J7/24 ,  C09J7/38 ,  C09J9/02

Abstract: 本发明提供连接耐热性充分且可靠性高、将半导体元件与基板接合的接合工序简便的接合膜和贴合体。所述贴合体的特征在于，使具有基材膜和设于该基材膜上的粘合剂层的粘合膜、用于将半导体元件与基板接合的接合膜、以及半导体晶片贴合而成，所述接合膜具有将包含金属微粒(P)的导电性浆料以膜状成形而得的导电性接合层、和具有粘性且层叠于所述导电性接合层的粘性层，所述导电性接合层贴合于所述粘合剂层，所述半导体晶片贴合于所述粘性层。所述粘性层是可热分解的，并且所述粘性层包含使金属微粒(P)还原的物质，粘性层因接合时的加热而将所述粘性层热分解，所述导电性接合层的所述金属微粒发生烧结，由此将所述半导体元件与所述基板接合。

公开(公告)号：CN113921448A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111184223.4

申请日：2017-11-09

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 新田纳泽福 ,  佐藤义浩 ,  藤原英道

IPC: H01L21/683 ,  C09J7/24 ,  C09J7/38 ,  C09J9/02

Abstract: 本发明提供连接耐热性充分且可靠性高、将半导体元件与基板接合的接合工序简便的接合膜和贴合体。所述贴合体的特征在于，使具有基材膜和设于该基材膜上的粘合剂层的粘合膜、用于将半导体元件与基板接合的接合膜、以及半导体晶片贴合而成，所述接合膜具有将包含金属微粒(P)的导电性浆料以膜状成形而得的导电性接合层、和具有粘性且层叠于所述导电性接合层的粘性层，所述导电性接合层贴合于所述粘合剂层，所述半导体晶片贴合于所述粘性层。所述粘性层是可热分解的，并且所述粘性层包含使金属微粒(P)还原的物质，粘性层因接合时的加热而将所述粘性层热分解，所述导电性接合层的所述金属微粒发生烧结，由此将所述半导体元件与所述基板接合。

公开(公告)号：CN109715752B

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201780057303.9

申请日：2017-11-09

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 新田纳泽福 ,  佐藤义浩 ,  藤原英道

IPC: C09J7/10 ,  B32B27/00 ,  B32B27/18 ,  C09J7/20 ,  C09J9/02 ,  C09J201/00 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01L21/301 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供连接耐热性充分且可靠性高、将半导体元件与基板接合的接合工序简便的接合膜、晶片加工用胶带、接合体的制造方法及接合体。本发明的接合膜的特征在于，是用于将半导体元件(2)与基板(40)接合的接合膜(13)，具有将包含金属微粒(P)的导电性浆料以膜状成形而得的导电性接合层(13a)、和具有粘性且层叠于所述导电性接合层的粘性层(13b)。粘性层(13b)因接合时的加热而将所述粘性层(13b)热分解，所述导电性接合层(13a)的所述金属微粒(P)发生烧结，由此将所述半导体元件(2)与所述基板(40)接合。

公开(公告)号：CN109715752A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780057303.9

申请日：2017-11-09

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 新田纳泽福 ,  佐藤义浩 ,  藤原英道

IPC: C09J7/10 ,  B32B27/00 ,  B32B27/18 ,  C09J7/20 ,  C09J9/02 ,  C09J201/00 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01L21/301 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供连接耐热性充分且可靠性高、将半导体元件与基板接合的接合工序简便的接合膜、晶片加工用胶带、接合体的制造方法及接合体。本发明的接合膜的特征在于，是用于将半导体元件(2)与基板(40)接合的接合膜(13)，具有将包含金属微粒(P)的导电性浆料以膜状成形而得的导电性接合层(13a)、和具有粘性且层叠于所述导电性接合层的粘性层(13b)。粘性层(13b)因接合时的加热而将所述粘性层(13b)热分解，所述导电性接合层(13a)的所述金属微粒(P)发生烧结，由此将所述半导体元件(2)与所述基板(40)接合。