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公开(公告)号：CN112912192B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202080005844.9
申请日：2020-03-09
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: B22F1/10 , B23K35/26 , H01B1/00 , H01B1/22 , C09J7/35 , B22F7/04 , B22F9/00 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J11/06 , C22C13/00 , C22C13/02 , C09J187/00
Abstract: 本发明的含金属粒子的组合物，其包含至少一种热固化性树脂R、固化剂H、互相不同的至少三种金属粒子P。金属粒子P包含：焊料合金粒子P1，其含至少含有一种金属A的锡合金，所述金属A是在200℃以下的共晶温度条件下与锡形成共晶的金属；至少一种金属粒子P2，其含块体熔点超过420℃的金属B，并且具有比焊料合金粒子P1拥有的固相线温度高的熔点；以及至少一种金属粒子P3，其包含与焊料合金粒子P1中包含的金属形成金属间化合物的金属C。
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公开(公告)号：CN112912192A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202080005844.9
申请日：2020-03-09
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: B22F1/00 , B23K35/26 , H01B1/00 , H01B1/22 , C09J7/35 , B22F7/04 , B22F9/00 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J11/06 , C22C13/00 , C22C13/02 , C09J187/00
Abstract: 本发明的含金属粒子的组合物，其包含至少一种热固化性树脂R、固化剂H、互相不同的至少三种金属粒子P。金属粒子P包含：焊料合金粒子P1，其含至少含有一种金属A的锡合金，所述金属A是在200℃以下的共晶温度条件下与锡形成共晶的金属；至少一种金属粒子P2，其含块体熔点超过420℃的金属B，并且具有比焊料合金粒子P1拥有的固相线温度高的熔点；以及至少一种金属粒子P3，其包含与焊料合金粒子P1中包含的金属形成金属间化合物的金属C。
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公开(公告)号：CN118632763A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202380019261.5
申请日：2023-02-14
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供可提高接合层的剪切强度、耐热性、导电性及散热性的接合材料组合物、接合材料组合物的制造方法、接合膜、接合体的制造方法及接合体。本发明的接合材料组合物的特征在于，含有：包含第1金属粒子(P1)和第2金属粒子(P2)的金属粒子(P)、以及助熔剂，上述第1金属粒子(P1)由包含Cu的核(C 1)和被覆上述核(C1)的Cu2O层构成，上述第2金属粒子(P2)由包含Cu的核(C2)和被覆上述核(C2)的Sn构成，或者由包含Cu的核(C2)和被覆上述核(C2)的含有Sn的焊料构成。
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公开(公告)号：CN109642123A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052197.5
申请日：2017-12-05
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/20 , B32B5/28 , B32B7/02 , B32B27/00 , C09J1/00 , C09J7/21 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/52
Abstract: 本发明提供一种接合膜及晶圆加工用带，其可以在将半导体元件与基板接合而成的半导体装置中提高机械强度、热循环特性。一种接合膜，其特征在于，其为用于接合半导体元件(2)与基板(40)的接合膜(13)，其具有导电性接合层(13a)，所述导电性接合层(13a)是将含有金属微粒(P)的导电性糊剂填充于包含多孔体或网眼状体的强化层的孔或网眼中而成的。
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公开(公告)号：CN114051522B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202080047771.X
申请日：2020-07-01
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/30 , C09J101/28 , C09J9/02 , C09J171/02 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供连接耐热性充分且可靠性高，而且无关于半导体元件的电极种类，与基板的接合良好，接合工序简易的接合膜、晶片加工用胶带、接合体的制造方法、接合体及贴合体。一种用于将半导体元件(2)与基板(40)接合的接合膜(13)，其特征在于，具有：包含金属微粒(P)的导电性糊料成形为膜状而成的导电性接合层(13a)，以及具有初粘性且层叠于导电性接合层(13a)的初粘层(13b)，相对于导电性接合层(13a)内的金属微粒(P)，初粘层(13b)含有0.1质量％～1.0质量％的金属微粒(M)，上述金属微粒(M)的熔点为250℃以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114051522A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202080047771.X
申请日：2020-07-01
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/30 , C09J101/28 , C09J9/02 , C09J171/02 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供连接耐热性充分且可靠性高，而且无关于半导体元件的电极种类，与基板的接合良好，接合工序简易的接合膜、晶片加工用胶带、接合体的制造方法、接合体及贴合体。一种用于将半导体元件(2)与基板(40)接合的接合膜(13)，其特征在于，具有：包含金属微粒(P)的导电性糊料成形为膜状而成的导电性接合层(13a)，以及具有初粘性且层叠于导电性接合层(13a)的初粘层(13b)，相对于导电性接合层(13a)内的金属微粒(P)，初粘层(13b)含有0.1质量％～1.0质量％的金属微粒(M)，上述金属微粒(M)的熔点为250℃以下。
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公开(公告)号：CN109642123B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201780052197.5
申请日：2017-12-05
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/20 , B32B5/28 , B32B7/027 , B32B7/025 , B32B7/022 , B32B27/00 , C09J1/00 , C09J7/21 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/52
Abstract: 本发明提供一种接合膜及晶圆加工用带，其可以在将半导体元件与基板接合而成的半导体装置中提高机械强度、热循环特性。一种接合膜，其特征在于，其为用于接合半导体元件(2)与基板(40)的接合膜(13)，其具有导电性接合层(13a)，所述导电性接合层(13a)是将含有金属微粒(P)的导电性糊剂填充于包含多孔体或网眼状体的强化层的孔或网眼中而成的。
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公开(公告)号：CN113921448B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202111184223.4
申请日：2017-11-09
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J7/24 , C09J7/38 , C09J9/02
Abstract: 本发明提供连接耐热性充分且可靠性高、将半导体元件与基板接合的接合工序简便的接合膜和贴合体。所述贴合体的特征在于，使具有基材膜和设于该基材膜上的粘合剂层的粘合膜、用于将半导体元件与基板接合的接合膜、以及半导体晶片贴合而成，所述接合膜具有将包含金属微粒(P)的导电性浆料以膜状成形而得的导电性接合层、和具有粘性且层叠于所述导电性接合层的粘性层，所述导电性接合层贴合于所述粘合剂层，所述半导体晶片贴合于所述粘性层。所述粘性层是可热分解的，并且所述粘性层包含使金属微粒(P)还原的物质，粘性层因接合时的加热而将所述粘性层热分解，所述导电性接合层的所述金属微粒发生烧结，由此将所述半导体元件与所述基板接合。
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公开(公告)号：CN113921448A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111184223.4
申请日：2017-11-09
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J7/24 , C09J7/38 , C09J9/02
Abstract: 本发明提供连接耐热性充分且可靠性高、将半导体元件与基板接合的接合工序简便的接合膜和贴合体。所述贴合体的特征在于，使具有基材膜和设于该基材膜上的粘合剂层的粘合膜、用于将半导体元件与基板接合的接合膜、以及半导体晶片贴合而成，所述接合膜具有将包含金属微粒(P)的导电性浆料以膜状成形而得的导电性接合层、和具有粘性且层叠于所述导电性接合层的粘性层，所述导电性接合层贴合于所述粘合剂层，所述半导体晶片贴合于所述粘性层。所述粘性层是可热分解的，并且所述粘性层包含使金属微粒(P)还原的物质，粘性层因接合时的加热而将所述粘性层热分解，所述导电性接合层的所述金属微粒发生烧结，由此将所述半导体元件与所述基板接合。
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公开(公告)号：CN109715752B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201780057303.9
申请日：2017-11-09
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/10 , B32B27/00 , B32B27/18 , C09J7/20 , C09J9/02 , C09J201/00 , H01B1/00 , H01B1/22 , H01L21/301 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供连接耐热性充分且可靠性高、将半导体元件与基板接合的接合工序简便的接合膜、晶片加工用胶带、接合体的制造方法及接合体。本发明的接合膜的特征在于，是用于将半导体元件(2)与基板(40)接合的接合膜(13)，具有将包含金属微粒(P)的导电性浆料以膜状成形而得的导电性接合层(13a)、和具有粘性且层叠于所述导电性接合层的粘性层(13b)。粘性层(13b)因接合时的加热而将所述粘性层(13b)热分解，所述导电性接合层(13a)的所述金属微粒(P)发生烧结，由此将所述半导体元件(2)与所述基板(40)接合。
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