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公开(公告)号：CN112786502A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110191280.9
申请日：2021-02-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/673
Abstract: 本发明提供了一种石墨载盘装置，包括载盘架及石墨载盘，载盘架包括若干支撑杆及分别用于连接各支撑杆两端的两块固定座，各支撑杆设有若干个连接凹槽，支撑杆的连接凹槽能够分别与其他支撑杆的一个连接凹槽形成一组定位凹槽，各连接凹槽底部设有卡槽，同一组定位凹槽的卡槽形成一组定位卡槽，石墨载盘能够垂直定位于一组定位凹槽，且石墨载盘的边沿凸出部能够定位于同一组定位凹槽的一组定位卡槽，本发明既可避免石墨载盘磕碰缺失，提升了石墨载盘的寿命；还防止石墨载盘不稳，倾斜在载盘架上；且卡槽与连接凹槽的侧壁距离设置，烘烤时气流可正常流通，改善了化学反应物去除不充分的问题，提升后续MOCVD制程时外延片的表面良率。
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公开(公告)号：CN111900237A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010811846.9
申请日：2020-08-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种紫外LED芯片及其制作方法，阱垒之间插入一层较薄的AlxInyGa1-x-yN插入层，由于其晶格常数介于InGaN和AlGaN之间，减少了阱垒之间的晶格失配，提高了阱垒界面的晶体质量，削弱了极化电场强度，有利于紫外LED芯片功率的提升。并且对Al组分和In组分进行掺杂梯度优化，实现更有效的电子束缚和更均匀的空穴注入，使载流子在整个多量子阱结构区域分布更加均衡，实现高光效的紫外LED芯片。并且AlxInyGa1-x-yN插入层采用脉冲通源的方法生成，Al和In原子有足够的时间在表面进行迁移，有利于二维层状生长，同时也可以更精细的控制材料组分，进而可提高AlxInyGa1-x-yN插入层的晶体质量。
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公开(公告)号：CN111477727A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010361565.8
申请日：2020-04-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种改善电流扩展层的LED芯片及制作方法，通过只对AlInGaN层进行掺杂，形成了一种间断掺杂的高晶体质量的电流扩展层，利用其间断掺杂的特征形成低阻和高阻交替的状态，进而增强横向电流扩展能力，使电流扩展更加均匀。并且，AlInGaN层能够减小AlaGa1-aN层和InbGa1-bN层的晶格失配，提高了晶体质量，减小了多量子阱层的极化电场，从而获得了更高的光效。以及，AlaGa1-aN层、AlInGaN层和InbGa1-bN层具有的带隙特点，形成对电子有效的束缚作用，减少了电子泄露，极大程度的提升了LED芯片的整体性能。
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公开(公告)号：CN111261757A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010078729.6
申请日：2020-02-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种紫外LED及其制作方法，该LED包括：衬底；缓冲层；电流扩展层；多量子阱有源层；超晶格电子阻挡层，其中，多量子阱有源层包括量子垒结构和量子阱结构，量子垒结构包括第一量子垒层、第二量子垒层和第三量子垒层，第二量子垒层的Al组分高于第一量子垒层和第三量子垒层的Al组分，使得量子垒结构中的Al组分呈阶梯状，以利用第二量子垒层较高的Al组分形成高势垒，从而实现较强的电子阻挡作用，同时利用第一量子垒层和第三量子垒层较低的Al组分，减小量子垒结构和量子阱结构之间的应力，削弱多量子阱有源层中的极化电场，提高多量子阱有源层的辐射复合速率，提高紫外LED的发光功率。
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公开(公告)号：CN110491975A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910831715.4
申请日：2019-09-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED外延片及其制作方法和半导体器件，在第一N型半导体层和第二N型半导体层之间嵌入有N型电子阻挡层，且N型电子阻挡层为N型AlInGaN/GaN层，由于N型AlInGaN/GaN层中AlInGaN和GaN晶格失配较小，通过应力调制，减小了量子阱区域的极化电场，进而能够降低效率骤降带来的不利影响，同时还增加了LED外延片侧向电流扩展能力，使得半导体器件具有良好的电流扩展能力。以及，本发明通过的LED外延片移除了P型电子阻挡层，进而能够增加空穴注入，并缓解了载流子在量子阱中的不均匀分布，使多量子阱有源层发光更加均匀，提高了LED外延片的发光效率，且提高了半导体器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108922946A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810777949.0
申请日：2018-07-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明实施例公开了一种LED结构及其制作方法，该方法包括：提供图形化的衬底；利用物理气相沉积工艺，在所述衬底表面形成的缓冲层，所述缓冲层包括含氢的氮化铝缓冲层；在所述缓冲层背离所述衬底的一侧形成外延结构，从而解决现有LED结构制作方法中，所述氮化铝缓冲层形成后，反应室中仍然存在较多的铝残留，影响后续形成的外延结构的晶体质量，导致所述LED器件的光电性能降低的问题，还可以改善衬底与外延结构之间的晶格应力，使得所述LED的外延结构表面温场均匀，LED结构出射光线的波长的均匀性得到很大提升，同时，减小量子阱受到的量子约束斯塔克效应，使得最后形成的LED的发光性能提升，亮度增加，漏电流减小。
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公开(公告)号：CN106328775B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201610788677.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L33/12 , H01L21/203
Abstract: 本发明公开一种提高发光二极管外延良率的生长方法，一，采用PVD蒸镀衬底；二，采用MOCVD在AlN缓冲层上三维生长第一3D层；三，蚀刻PSS图形侧面和衬底平面上的第一3D层，直至PSS图形侧面的第一3D层被完全蚀刻掉；四，降温继续三维生长第二3D层；五，蚀刻PSS图形侧面和衬底平面上的第二3D层，直至PSS图形侧面的第二3D层被完全蚀刻掉，且PSS图形侧面的AlN缓冲层也被部分蚀刻，而平面上第二3D层部分蚀刻；六，重复以上循环多次；七，接着在最上层3D层上依次生长非故意掺杂层、n型导电层、有源区和P型导电层。本发明解决在外延生长过程产生外延片的一致性变差，影响外延片的良率的问题。
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公开(公告)号：CN106328775A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610788677.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L33/12 , H01L21/203
Abstract: 本发明公开一种提高发光二极管外延良率的生长方法，一，采用PVD蒸镀衬底；二，采用MOCVD在AlN缓冲层上三维生长第一3D层；三，蚀刻PSS图形侧面和衬底平面上的第一3D层，直至PSS图形侧面的第一3D层被完全蚀刻掉；四，降温继续三维生长第二3D层；五，蚀刻PSS图形侧面和衬底平面上的第二3D层，直至PSS图形侧面的第二3D层被完全蚀刻掉，且PSS图形侧面的AlN缓冲层也被部分蚀刻，而平面上第二3D层部分蚀刻；六，重复以上循环多次；七，接着在最上层3D层上依次生长非故意掺杂层、n型导电层、有源区和P型导电层。本发明解决在外延生长过程产生外延片的一致性变差，影响外延片的良率的问题。
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公开(公告)号：CN116487496A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310530354.6
申请日：2023-05-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，包括衬底及依次层叠于所述衬底表面的N型半导体层、应力释放层、隧穿势垒层、量子点结构以及P型半导体层；其中，所述应力释放层用于释放应力且俘获载流子，其包括交替堆叠的量子阱和量子垒；且所述应力释放层具有量子限制斯塔克效应，以减少载流子在所述应力释放层中的辐射复合，促使载流子经所述隧穿势垒层进入所述量子点结构，从而提高载流子在量子点结构的辐射复合。
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公开(公告)号：CN116093224A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310218117.6
申请日：2023-03-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于III‑V族化合物应用的LED外延结构及其制备方法，包括衬底及依次层叠于所述衬底表面的N型半导体层、红光阱层以及P型半导体层；其中，所述红光阱层包括交替层叠生长的量子阱和量子垒，所述量子阱包括若干个InGaN/InN周期结构，且在相邻两InGaN/InN周期结构之间还设有InGaN中间层。如此，可通过InN插入层应力调制实现发光向长波偏移以获得更加充分的红光；同时，通过设置InGaN中间层，并通过调节各所述InGaN/InN周期结构的周期数以及周期单元的生长时间，以平衡InGaN/InN周期结构两端的极化电场，从而达到增加电子空穴波函数交叠、提高发光效率的目的。
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