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公开(公告)号：CN113140524A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110348467.5
申请日：2021-03-31
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体模块结构，包括：基板、半导体芯片、触点元件和顶板，所述半导体芯片设有第一主电极和第二主电极，所述第一主电极耦接所述基板，所述第二主电极耦接所述触点元件，所述触点元件为螺纹结构，所述顶板与所述触点元件通过螺纹连接。通过采用触点元件的方式，单独旋转调节触点元件的高度来调整半导体芯片所承载的压力，实现单颗芯片压力可调，解耦芯片间的压力，实现芯片间应力均衡，一致性更高；通过采用螺纹结构的触点元件增大导电面积，降低热阻，提高通流能力，提高可靠性；针对超过阈值压力的部分通过承压体来承担，使得半导体芯片上的压力在规定的范围内，外部压力变化不会导致半导体芯片表面的压力变化。
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公开(公告)号：CN111787695A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010721380.3
申请日：2020-07-24
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H05K1/18
Abstract: 本发明公开了一种采用超声焊接端子的半导体功率模块，所述下壳体设置在金属基板上，下壳体内设置有多个间隔，每个间隔内设置有绝缘陶瓷衬板，每块绝缘陶瓷衬板上设置有IGBT芯片和FWD芯片，IGBT芯片和FWD芯片构成一个半桥电路，多个半桥电路构成一个全桥电路；所述下壳体两端分别嵌入有功率端子，功率端子的末端与绝缘陶瓷衬板相连接；所述信号端子嵌入间隔内设置的横梁，信号端子末端分别与绝缘陶瓷衬板相连接。本发明简化了模块的生产过程，提高了模块的生产效率，增强模块工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN113013147B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202110410365.1
申请日：2021-04-16
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了半导体器件封装技术领域的一种半导体模块，采用柔性压接，芯片受力均匀，抗压能力强。包括管壳，所述管壳的一端与模块发射极导电体滑动连接，另一端与模块集电极导电体滑动连接；在所述模块发射极导电体和所述模块集电极导电体之间设有承压限位框，所述承压限位框的一端与所述模块集电极导电体固定连接，所述承压限位框包括多个限位单元，每个所述限位单元内依次设有集电极导电体、芯片、发射极导电体、第一导电体和弹性导电组件，所述集电极导电体上远离芯片的一端抵接在所述模块集电极导电体上，所述弹性导电组件上远离第一导电体的一端抵接在所述模块发射极导电体上。
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公开(公告)号：CN112951790B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110112529.2
申请日：2021-01-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体模块，包括模块集电极、模块发射极、子模组、子单元、导电承压体和导电片；所述子单元包括芯片、集电极导体、发射极导体，将芯片通过焊接、烧结或者压接的方式设在集电极导体和发射极导体之间；所述子模组包括承压限位框，承压限位框的腔体中设有若干个所述子单元；所述模块集电极与子单元的集电极导体连接，连接处位于所述承压限位框的腔体中；所述子单元的发射极导体底部连接导电承压体，导电承压体底部连接导电片，导电片底部在承压时与模块发射极连接，在未承压时与模块发射极电分离。优点：通过将芯片子单元模组化的形式，能够降低热阻，提高模块的功率密度及电流等级，降低物料成本与减少加工工序。
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公开(公告)号：CN115377013A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211017577.4
申请日：2022-08-23
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种模块密封壳体及高压IGBT模块，在不增加外壳的制造成本的基础上，改变外壳的局部结构，使外壳和环氧树脂的结合面积增加，从而消除环氧树脂和外密封性差的问题;在局部位置添加隔栅设计，减少硅胶的灌注量，降低制造成本。包括：基板、侧部外壳、盖板以及相应的模块组件，所述侧部外壳底部与基板密封连接；所述侧部外壳顶部与盖板密封连接；所述侧部外壳的内侧设有U形结构，所述U形结构靠近侧部外壳的一端为环氧树脂阻挡部，另一端为硅胶阻挡部，所述环氧树脂阻挡部的高度大于所述硅胶阻挡部，所述硅胶阻挡部之间的区域为硅胶灌注腔，所述硅胶灌注腔上方及所述环氧树脂阻挡部与硅胶阻挡部之间为环氧树脂灌注腔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113013147A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110410365.1
申请日：2021-04-16
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了半导体器件封装技术领域的一种半导体模块，采用柔性压接，芯片受力均匀，抗压能力强。包括管壳，所述管壳的一端与模块发射极导电体滑动连接，另一端与模块集电极导电体滑动连接；在所述模块发射极导电体和所述模块集电极导电体之间设有承压限位框，所述承压限位框的一端与所述模块集电极导电体固定连接，所述承压限位框包括多个限位单元，每个所述限位单元内依次设有集电极导电体、芯片、发射极导电体、第一导电体和弹性导电组件，所述集电极导电体上远离芯片的一端抵接在所述模块集电极导电体上，所述弹性导电组件上远离第一导电体的一端抵接在所述模块发射极导电体上。
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公开(公告)号：CN112820700A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110133498.9
申请日：2021-02-01
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种新型IGBT模块装配结构，包括底板、焊片和陶瓷覆铜板（DBC），所述焊片置于所述底板和所述DBC之间，在所述底板朝向焊片的一侧设置有若干定位柱，在所述DBC上设置有若干定位孔，所述定位柱和定位孔位置相对应，所述定位柱一端延伸至所述定位孔内，所述定位柱的高度与所述定位孔的深度之差小于所述焊片的厚度，所述焊片用于焊接时连接所述底板和所述DBC。该模块通过合理涉及定位柱和定位孔的位置和尺寸，实现快速精确装配。
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公开(公告)号：CN112234055A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011260802.8
申请日：2020-11-12
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种单开关IGBT模块的芯片布局结构，由三组IGBT芯片组构成；每组IGBT芯片组由8颗IGBT芯片和反并联的4颗续流二极管FRD芯片构成；所述每组IGBT芯片组均焊接在上下两个DBC衬板上；上下两个DBC衬板上，位于左上和右上位置的IGBT芯片的栅极位于IGBT芯片的下部中间位置；位于左下和右下位置的IGBT芯片的栅极位于IGBT芯片的上部中间位置；反并联的续流二极管FRD芯片位于同一个DBC衬板的上下两颗IGBT芯片之间。本发明结构中IGBT芯片的结温温升降低约2℃，芯片结温温升的降低，有利于芯片的长期稳定运行。
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公开(公告)号：CN215644407U
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202121287568.8
申请日：2021-06-09
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型公开了一种用于压接式IGBT子模组压力灌胶的夹持装置，包括施压机构、用于设于施压机构下方的施压平台和设于施压平台上的压力保持机构，所述施压机构通过导柱与施压平台连接，所述施压机构底部设有光栅传感器，所述施压机构能够向放置于压力保持机构内的压接式IGBT子模组施压。本实用新型结构简单，成本低廉，能够使具有弹性特性的压接式IGBT子模组在灌胶过程中处于保压状态，避免胶水大量浸入压接式IGBT子模组的刚性接触界面并固化，增大接触电阻。
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公开(公告)号：CN215644409U
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202121383844.0
申请日：2021-06-22
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型公开了一种用于IGBT器件大翘曲度长基板的焊接工装，旨在解决IGBT器件焊接过程中铜基板预弯翘曲度过大容易出现焊接变形的技术问题。所述焊接工装包括限位框、接触面板和底板，底板固定在限位框内部，底板与限位框形成焊接凹槽，接触面板放置在焊接凹槽内，接触面板的上表面为下凹曲面，且下凹曲面的曲面率与IGBT器件的散热铜基板的曲面率一致，接触面板的下表面与底板贴合，底板的底部镂空。本实用新型能够增大铜基板与焊接热板的接触面积，避免焊接变形，提高焊接的效率和可靠性，进而提高整个IGBT器件的可靠性。
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