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公开(公告)号：CN1283853C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200410019732.1
申请日：2004-06-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种近化学比铌酸锂晶体的制备，特别是成分均匀的铌酸锂晶体的制备工艺，属于光电材料制备技术领域。由于铌酸锂晶体不是同成分共熔，结晶出来的固体成分与熔体成分不一致，熔体的成分不断发生变化，结晶的固体成分也不断发生变化。因此难以得到成分均匀的铌酸锂晶体。为此本发明公开了一种近化学比铌酸锂晶体制备工艺，其技术方案是：在双坩埚直拉法生长铌酸锂晶体的工艺中，随着晶体的生长，往熔体中加入Nb∶Li＝64∶36的熔融原料颗粒，使熔体的成分维持不变。本发明的有益效果：加入熔体有利于扩散，使晶体生长速度加快，提高生产效率；原料是含量36mol%的Li，是Li含量小于50mol%的Li2O·Nb2O5体系中熔点最低的共晶点原料，有利于熔体的加入。
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公开(公告)号：CN119932499A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510022222.1
申请日：2025-01-07
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供一种局域掺杂铌酸锂薄膜及其制备方法和应用，属于集成光学领域。本方法包括：磁控溅射法在铌酸锂晶片表面局域镀膜、局域镀膜的铌酸锂晶片在缺锂坩埚中进行扩散、利用Smart‑cutting技术制备局域掺杂铌酸锂薄膜。本发明制备方法工艺简单，克服了现有技术无法在铌酸锂晶片表面局部区域定制成膜的问题，还克服了有源无源薄膜拼接时存在的对准、接口损耗等问题。
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公开(公告)号：CN107059123A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710045195.5
申请日：2017-01-18
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种四偏磷酸二钾锶晶体的制备方法，将含K、Sr和P的化合物按摩尔比2∶1∶4配料并混合均匀，经预烧与烧结后，在坩埚中加热至熔化，并在高于熔点温度下恒温1～50小时，制成熔体；将熔体降温到高于其熔点1～5℃的温度，采用泡生法或提拉法在熔体中生长四偏磷酸二钾锶晶体。该晶体可用于制作非线性光学器件，该非线性光学器件包含一装置，该装置中包含至少一块四偏磷酸二钾锶晶体。
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公开(公告)号：CN102296365B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201010207689.7
申请日：2010-06-24
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种掺钒铌酸锂晶体，采用Czochralski提拉法生长。元素钒掺杂量范围：0.1～5.0mol％(摩尔百分比)。本发明在掺杂量比较少的情况下，晶体具有优异的光折变性能，特别是在紫外光波段(351nm)，光折变性能大大增强，如响应时间短，衍射效率高，光耦合系数大等，并且光吸收系数较小，综合性能优于其他掺杂元素(如：Mg、Zn、In)；此外，由于掺杂量低，利于生长高光学质量的晶体。在掺杂量达到2.0mol％后，晶体将具有104W/cm2以上的抗光折变能力，钒成为抗光折变掺杂。作为铌酸锂晶体新型的掺杂元素，钒无论在光折变还是在抗光折变方面均具有优异的性能，尤其是在紫外光折变方面，既性能突出，又掺杂量低，易于生长高光学质量的单晶，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1974888A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610129356.0
申请日：2006-11-11
Applicant: 南开大学
Abstract: 掺锆铌酸锂晶体。本发明属非线性光学晶体领域。它的特征是在铌酸锂晶体中掺入锆离子，锆离子Zr4+的掺入量大于0.01mol％。本发明提供了一种新的抗光折变掺杂离子Zr4+，它的掺杂阈值低，易于生长出高品质的晶体，且抗光折变能力强，超过阈值以后晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高6个量级，比同成分掺镁(4.6mol％)铌酸锂晶体提高了3个量级。本发明之掺锆铌酸锂晶体，完全可以取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1151318C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN01144331.6
申请日：2001-12-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属光电材料领域。它提供了一种生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法：采用填加K2O助溶剂的方法，降低铌酸锂的熔点，提高晶体的锂铌比，在熔融状态下，利用提拉法生长近化学计量比铌酸锂晶体(包括名义纯和各种掺杂)。该技术生长的晶体中Li2O的含量在49mol.%以上，且光学质量好，适用于产业化。在表面波滤波器、电光调制、电光开关、光波导其激光器、倍频、参量振荡、高密度信息存储、光电器件集成等方面有着非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118308791A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410715418.4
申请日：2024-06-04
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种掺锑铌酸锂晶体及其制备方法和用途，属于非线性光学晶体领域。本发明提供的掺锑铌酸锂晶体由纯度为99.99%的Li2CO3、Nb2O5、Sb2O3和MgO制成，其中，Li和Nb的原子摩尔比为0.90～1.0，Sb2O3的掺杂摩尔分数为0.50%～2.00%，MgO的掺杂摩尔分数为0.00%～6.00%。本发明制备的掺锑铌酸锂晶体的光折变效应显著增强，相比短波长光折变响应时间显著缩短的铋镁双掺铌酸锂晶体，在671 nm激光作用下，响应时间缩短73%，同时抗光损伤能力至少提高了近3倍。
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公开(公告)号：CN113403683B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010184540.5
申请日：2020-03-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种氨合氟化硼酸锌晶体及其制备方法和用途。该晶体的化学式为Zn2BO3F(NH3)，分子量为225.66，属于六方晶系，空间群为P63mc，晶胞参数为#imgabs0##imgabs1#Z＝2。该晶体有较宽的透光范围，紫外透过截止边低于200nm，粉末倍频效率约为KDP的0.8倍。该晶体可采用水热法，通过程序降温的方法制备。该晶体可用于制作非线性光学器件，包括倍频发生器、频率转换器以及光参量振荡器。
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公开(公告)号：CN112899781B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110074754.1
申请日：2021-01-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种铋锌双掺铌酸锂晶体及其制备方法和用途，属于非线性光学晶体领域。本发明提供的铋锌双掺铌酸锂晶体由纯度为99.99％的LiCO3、Nb2O5、Bi2O3和ZnO制成，其中，Li和Nb的原子摩尔比为0.90～1.0，Bi2O3的掺杂摩尔分数为0.50％～1.25％，ZnO的掺杂摩尔分数为5.00％～8.00％。本发明制备的铋锌双掺铌酸锂晶体的光折变效应显著增强，相比熟知的名义纯铌酸锂晶体响应时间缩短2个数量级，光折变灵敏度提高2个数量级；相比目前报道最优的铋镁双掺铌酸锂晶体，饱和衍射效率提高12.9％，响应时间缩短10.1％，同时抗光损伤能力提高1个数量级，并且易于生长掺锌浓度可达8.0mol％。
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公开(公告)号：CN106929917A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710280810.0
申请日：2017-04-25
Applicant: 南开大学 , 泰山体育产业集团有限公司
CPC classification number: C30B29/30 , C30B15/00 , G02F1/3551
Abstract: 本发明涉及非线性光学晶体领域，特别是涉及一种室温90°相位匹配的双掺铌酸锂晶体。所述的双掺铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、ZrO2和MgO制成，其中Li2CO3和Nb2O5的摩尔比为0.88～0.94∶1，ZrO2的掺入量按摩尔百分比计为1.1～1.9mol％，MgO的掺入量按摩尔百分比计为3.0～6.0mol％。本发明解决了现有掺镁铌酸锂晶体存在高的90°相位匹配温度(大于100℃)和窄的匹配温度半宽度(小于0.5℃)的问题。本发明提供的双掺铌酸锂晶体的90°相位匹配温度低至25.1℃，匹配温度半宽度达到1.2℃，不需要使用加热炉和精密温度控制部件，在室温条件下即可实现90°相位匹配，同时具有突出的抗光折变能力，比同成分掺镁(5.0mol％)铌酸锂晶体提高了2个数量级，可应用于激光倍频、光参量振荡、调Q开关和光波导等领域。
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