公开(公告)号：CN113571636A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110848928.5

申请日：2021-07-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 韩翱泽 ,  张缪城 ,  秦琦 ,  陈子洋 ,  陈星宇 ,  童祎

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种柔性忆阻器件及其制备方法，柔性忆阻器件，包括由上到下依次设置的顶电极、阻变层、底电极和衬底，阻变层为淀粉样多肽纳米纤维负载的金纳米颗粒材料层。制备步骤包括：淀粉样多肽纳米纤维负载的金纳米颗粒复合材料的制备、底电极溅射、阻变层滴铸和顶电极溅射。本发明通过在底电极之上覆盖一层淀粉样多肽纳米纤维—金纳米颗粒复合材料膜构成阻变层，使阻变层及整个忆阻器件的导电性和稳定性，在不同的电流限制情况下，开启后的阻值量级不同，具有用于存算一体架构的潜力。且本发明的制备方法简单、高效，成本低，可广泛用于工业生产。

公开(公告)号：CN113206192A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110430005.8

申请日：2021-04-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈星宇 ,  张缪城 ,  秦琦 ,  倪康 ,  陈子洋 ,  韩翱泽 ,  童祎

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种基于MXene/钡铁氧体的铁电忆阻器、阵列及其制备方法，其特征在于，包括多个相互平行且设有间隙的第二电极层，所述第二电极层上设有阻变层，所述阻变层包括设于第二电极层上的介质层和设于介质层上的MXene，所述介质层为钡铁氧体，所述介质层上设有多个相互平行且设有间隙的第一电极层，所述第一电极层与第二电极层之间交叉布设。本发明能够显著提高阻变层的开关特性和稳定性，使得基于MXene/钡铁氧体的铁电忆阻器能够更好的应用于多值存储，大大增加了铁电存储器的存储密度和应用范围。

公开(公告)号：CN109935686A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201910129393.9

申请日：2019-02-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 童祎 ,  高斐 ,  渠开放 ,  张缪城 ,  郭宇锋 ,  万相 ,  连晓娟

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供了一种具有双脉冲易化特性的忆阻器件及其制备方法，所述忆阻器件包括位于中部的阻变层，以及分别设置在所述阻变层顶部、底部的顶电极、底电极，所述顶电极和底电极均与外部电源电连接，所述底电极、阻变层与所述衬底的形状、尺寸一一匹配；所述阻变层包括介质层和敷设在该介质层上方的Mxene材料膜，所述顶电极通过掩膜板的开孔溅射在所述Mxene材料膜的顶部，所述底电极的顶部、底部分别与所述介质层、衬底相触接。该忆阻器件的导电性和稳定性佳，可实现突触功能的仿生，具有广阔的应用前景；此外，本发明的制备方法简便、高效，成本低，可广泛用于工业生产。

公开(公告)号：CN109920909A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201910129631.6

申请日：2019-02-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 沈心怡 ,  刘鑫伟 ,  高斐 ,  张缪城 ,  童祎 ,  连晓娟 ,  万相

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供了一种基于二维MXene材料的忆阻器件及其制备方法，所述忆阻器件包括从上至下依次排列的顶电极、阻变层和底电极，且所述阻变层、底电极与所述衬底的形状、尺寸一一匹配；所述阻变层包括介质层和敷设在该介质层上方的MXene材料膜，所述顶电极对称设置在所述MXene材料膜的顶部两端，所述底电极的顶部、底部分别与所述介质层、衬底相触接。该忆阻器件的导电性和稳定性佳，阻态更稳定，可用于多值存储，具有广阔的应用前景；此外，本发明的提供的忆阻器件的制备方法简便、高效，成本低，可广泛用于工业生产。

公开(公告)号：CN109560195A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811365078.8

申请日：2018-11-15

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张缪城 ,  王宇 ,  沈心怡 ,  何南 ,  童祎 ,  连晓娟 ,  万相

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明揭示了一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用，首先将二维MXene粉末和二甲基亚砜溶液超声混合均匀得到混合分散液，然后再利用甩胶的方法在具有疏水性的硅片生长了一层均匀致密的MXene薄膜，极大地扩展了MXene这种二维材料在硅基半导体器件上的应用前景。最后成功用这种方法制备出了以MXene为介变层的忆阻器单一器件，推动了忆阻器新型二维材料的介变层的研究进展。本发明制备出的均匀MXene薄膜，具有良好的稳定性、较高的导电性、稳定性、机械性能，所述方法简单、成本低廉、适合大规模应用。

公开(公告)号：CN109545961A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811363429.1

申请日：2018-11-15

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王宇 ,  王钰琪 ,  张缪城 ,  何南 ,  童祎 ,  连晓娟 ,  万相

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明揭示了一种基于二维材料的类脑阻变开关的制备方法，该方法包括如下步骤：S1：制备MXene粉末与去离子水的混合溶液：S2：制备底电极：采用磁控溅射法在硅片上沉积底电极铜；S3：制备二维材料层：将S2步骤得到的硅片放在甩胶机上设置转速，将S1步骤获得的混合溶液均匀滴在硅片上，MXene混合液均匀甩在底电极铜上；S4：制备顶电极：将掩模版贴在S3步骤得到的硅片上，采用磁控溅射法在二维材料层上沉积顶电极铜，获得基于二维材料MXene的阻变开关。本技术方案首次将新型二维材料MXene引入类脑器件领域，在本发明结构中作为阻变层，在外加电压刺激下能够使金属离子在其缺陷中形成导电细丝从而实现器件的打开。