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公开(公告)号：CN116141215B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202210935317.9
申请日：2022-08-04
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种含稀土化合物的软胶抛光垫的制备方法，选取涤纶制的网状结构进行骨架支撑，使得加工时长可以等到足够的保障，并且本发明可采用多层结构设计，使得在金刚石磨抛加工过程初期得到更高的材料去除率的同时，也能在后续的磨抛加工过程中得到更好的表面质量；采用镀钛金刚石磨粒/镀铁金刚石磨粒，不仅仅可以提升抛光垫基体对金刚石磨粒的把持力，同时还可以参与金刚石石墨化反应；La0.6Sr0.4Co3粉在金刚石磨抛加工过程中，对金刚石石墨化起到类似催化剂的作用，使得加工效率更好，同时也可以对抛光垫进行优化作用。
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公开(公告)号：CN115229647B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210853059.X
申请日：2022-07-20
Applicant: 华侨大学
IPC: B24B29/02 , B24B27/033 , B24B19/22 , B24B51/00 , B24B49/00 , B24B1/00 , B23K26/362
Abstract: 本发明公开了一种飞秒激光辅助抛光金刚石的装置及其抛光方法，它包括第一机台、第二机台和控制装置，第一机台能沿水平X轴移动，第二机台能沿形成正交体系的X、Y、Z轴移动并能绕Z轴转动，第一机台上设有用于装接金刚石工件的加装装置，第二机台上装接有测距传感器和飞秒激光烧蚀装置，第二机台上还装接有用于磨抛金刚石工件的磨抛砂轮，控制装置与该第一机台、第二机台、测距传感器及飞秒激光烧蚀装置信号连接并能控制该第一机台、第二机台在相应的自由度内动作以及与该测距传感器和飞秒激光烧蚀装置形成数据交互。该抛光方法包括金刚石表面平坦化过程和去石墨化过程。它具有如下优点：提高加工效率，提高加工质量。
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公开(公告)号：CN116141214A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210934985.X
申请日：2022-08-04
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种可循环利用的混合磨料抛光膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将热塑性弹性体TPE加热至熔融状态，获得熔融态TPE；(2)将微米级硬质磨料与微米级稀土磨料混合均匀，制成混合磨料；(3)将混合磨料与熔融态TPE混合均匀；(4)将步骤(3)所得的物料进行挤出流延成型，即得所述混合磨料抛光膜。本发明制备的混合磨料抛光膜的应用范围广，普遍适用于陶瓷基材抛光、平坦石材表面抛光、半导体晶圆抛光以及大尺寸平面的精密加工，在有破损的情况下，可通过简单的加热至熔融状态后，再次经过挤出流延的方法再次成型，大大降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN116000807A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211670628.3
申请日：2022-12-26
Applicant: 华侨大学
IPC: B24B41/06
Abstract: 本发明提供了一种用于自旋转磨抛机的多晶金刚石夹具，包括本体，所述本体上设置有具有螺纹孔的凸台，还包括：夹紧组件和调节组件，其中，所述夹紧组件包括第一夹板、第二夹板以及固定在所述本体上的固定板，所述第一夹板、第二夹板以及所述固定板围成用于放置多晶金刚石晶圆衬底片的装夹位；调节组件包括螺纹滑杆、调节件以及固定件；通过在本体上设置具有定位壁，边缘处有凸台，U形滑块与螺纹滑杆连接成一整体，通过螺纹滑杆带动U形滑块运动，来实现第一夹板和第二夹板的相对运动，进而夹紧多晶金刚石晶圆衬底片。本发明还提供了一种装夹方法。通过本发明方案，提高了夹具的装夹效果，简化了结构，且能实现精准控制。
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公开(公告)号：CN115799144A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211634022.4
申请日：2022-12-19
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体倾角可控的贴片加工装置，包括底板，还包括：贴片机构、液压机构、测量机构、固定及调节机构，其中，所述底板上固定设置有贴片机构，所述贴片结构包括固定在底板上方的下板和上板，所述下板和上板之间设置有双曲柄机构，且所述上板上设置有适于放置贴片加工台；所述固定及调节机构设置于所述下板上，且连接至所述双曲柄机构所述液压机构设置于所述加工台上方。本发明还提供了一种贴片加工方法。通过本发明方案，使得该贴片加工装置的结构简单稳定，可操作性、可维护性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118927141A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410994159.3
申请日：2024-07-24
Applicant: 华侨大学
IPC: B24B41/04 , B24B51/00 , B24B19/00 , B24B1/00 , B24D7/02 , B24D7/16 , B24D3/32 , B24D3/00 , B24D18/00
Abstract: 本发明提供了一种磨削和抛光工具、制备方法、使用方法，通过制备的弹性磨削和抛光工具，其中得到的结块物料均匀性充足，硬度合适，抗折弯、韧性好，能够对铝合金外壳进行分区并充分的进行磨削和抛光，有效提高磨削和抛光质量与加工效率；工具的使用寿命长，有效提高工具的利用率，在磨抛过程中损耗较小，且由于其如橡胶般的特性，能够适应工件的曲面，从而根据不同区域进行适配磨抛，功能丰富，且磨抛不易产生碎屑粉尘，减少对操作者造成身体损害。
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公开(公告)号：CN115101455B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210856973.X
申请日：2022-07-20
Applicant: 华侨大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种金刚石晶片的贴片装置，他包括装接底座以及均装接在该装接底座上的带控制器的控制模块、旋转底座、第一垂直驱动机构、第二垂直驱动机构、衬底吸取机构、点胶机构、装膜机构及切膜机构；该旋转底座能相对装接底座水平转动，并用于放置至少一金刚石晶片；该衬底吸取机构用于吸取装接衬底；该点胶机构用于给金刚石晶片点胶；该装膜机构用于薄膜的缠绕安装；该切膜机构用于薄膜的切断。他具有如下优点：设计巧妙、操作方便，自动化程度高，可以实现多片金刚石晶片在一块衬底的贴合作业。
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公开(公告)号：CN117817448B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410244827.0
申请日：2024-03-05
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种磨粒放电诱导去除绝缘晶圆表面的磨抛加工方法，通过制备的带有软质磨粒和金属颗粒的磨抛盘，并利用磁场将工作液中的金属粉末吸附到工件表面形成金属层，再通过控制脉冲电源，使金属层与磨抛盘表层的金属颗粒间形成电火花放电通道，放电产生高温仅诱导绝缘晶圆表层熔融变质而不产生裂纹，由软质磨粒去除变质层，显著提高大尺寸绝缘晶圆的加工效率，得到无损伤绝缘晶圆表面，实现绝缘晶圆的超精密加工，尤其是，在工件表面形成变质层以及金属层，通过至少两层防护于工件表面，达到更为快速的去除操作和更为有效的晶圆保护。
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公开(公告)号：CN117961656A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410248104.8
申请日：2024-03-05
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种基于磨粒放电诱导去除半导体晶圆表面的抛光方法，通过制备的带有软质磨粒和金属颗粒的抛光垫，控制脉冲电源可使工件与抛光垫表层的金属颗粒间形成电火花放电通道，放电产生高温仅诱导半导体晶圆表层氧化而不产生裂纹，再由软质磨粒对应去除氧化层，显著提高大尺寸半导体晶圆的抛光效率，获取无损伤半导体晶圆表面，实现半导体晶圆的超精密加工，结合磨粒放电和特制抛光垫，对半导体晶圆表面氧化层的高效去除，同时确保了抛光过程中的无损伤，在半导体制造中提供更高效、更可控的抛光工艺。
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公开(公告)号：CN117532492A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311542005.2
申请日：2023-11-17
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明属于半导体抛光技术领域，具体涉及一种用于二维材料高取向生长的蓝宝石衬底的加工方法，其包括：将C向[0001]单晶蓝宝石衬底安装于倾角加工设备，加工出具有C轴偏A轴方向或C轴偏M轴方向的单晶蓝宝石衬底；将单晶蓝宝石衬底和柔性抛光垫分别安装在抛光设备上，并加入多羟基官能团化合物和去离子水作为抛光液；柔性抛光垫表面设置有带电磨粒；设置抛光设备的载荷及转速，使单晶蓝宝石衬底与柔性抛光垫发生相对摩擦，单晶蓝宝石衬底与抛光液中的多羟基官能团化合物在带电磨粒摩擦诱导下生成硬度较低的摩擦反应层；通过带有回弹效果的带电磨粒的机械作用将反应层均匀去除。本发明能极大提高单晶蓝宝石衬底原子台阶加工效率。
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