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公开(公告)号：CN110937893B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201911154752.2
申请日：2019-11-22
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01L35/34 , H01L35/18 , H01L35/22
Abstract: 本发明属于热释电能量收集领域，更具体地，涉及一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法。本发明提供了一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法，其通过在热释电陶瓷材料中引入高热导率半导体材料，利用半导体材料的电荷补偿效应来调控自由电荷的传输从而提高复合陶瓷材料的热释电系数，同时半导体材料的高热导率提升了复合陶瓷的温度变化率，从而提高该复合陶瓷材料的能量密度，由此解决现有技术制备表面形状复杂的热释电陶瓷工艺复杂，成本高，难以与无源器件的应用需求相兼容等的技术问题。
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公开(公告)号：CN108447915B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810174504.3
申请日：2018-03-02
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L29/786 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L21/34 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种薄膜场效应晶体管(TFT)型气体传感器及其制备方法，其中该传感器为底栅顶接触式结构或底栅底接触式结构的薄膜场效应晶体管；以底栅顶接触式结构的薄膜场效应晶体管为例，该晶体管自下而上包括衬底、栅极绝缘层、沟道有源层，沟道有源层为量子点薄膜，其上方沉积有源电极和漏电极；衬底还引出有栅电极。本发明通过对薄膜场效应晶体管型气体传感器其内部组成及结构、相应制备方法的整体工艺及各个步骤的参数进行改进，以量子点薄膜同时作为沟道有源层和气体敏感层，利用栅极偏压的调控综合多参数的气体响应，制备出高灵敏、低功耗和高选择性气体传感器，达到检测低浓度目标气体如NO2、H2S的效果。
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公开(公告)号：CN108726485A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810715284.0
申请日：2018-06-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多孔中空氧化物纳米微球及其制备方法与应用，属于纳米材料技术领域。制备方法包括先制备胶体氧化物纳米晶溶液，将该胶体氧化物纳米晶溶液作为静电喷雾溶液，进行静电喷雾，得到多孔中空氧化物纳米微球。本发明以胶体氧化物纳米晶作为静电喷雾溶液，制备多孔中空微球，制备工艺简单，条件温和，在气体传感器，太阳能电池，催化剂和锂离子电池等领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108192247A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810134566.1
申请日：2018-02-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铁电聚合物电卡材料及其制备方法，其中铁电聚合物电卡材料为聚偏氟乙烯(PVDF)基铁电聚合物电卡纳米线阵列，该聚偏氟乙烯基铁电聚合物电卡纳米线阵列还内嵌于多孔阳极氧化铝AAO模板中。本发明是将聚偏氟乙烯基铁电聚合物电卡材料控制形成纳米线阵列，并将该纳米线阵列还内嵌于多孔阳极氧化铝AAO模板中，通过溶液浸润法在多孔阳极氧化铝AAO模板中制备该铁电聚合物纳米线阵列，通过对关键的铁电聚合物的形貌、结构、内部微观连接构造等进行改进，与现有技术相比能够有效解决铁电聚合物电卡强度低、电卡材料内的热传导困难、电卡器件的制冷功率密度低等问题。
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公开(公告)号：CN105330287B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201510736091.X
申请日：2015-11-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种电卡材料及其制备方法。电卡材料由覆盖在柔性衬底上的BST陶瓷纳米线阵列构成，所述BST陶瓷纳米线阵列中，Ba和Sr的摩尔比为(1～3):1。本发明首次将BST陶瓷纳米线阵列用作电卡材料，通过将BST陶瓷纳米线阵列转移到柔性衬底上，充分利用铁电陶瓷良好的电卡效应和纳米线阵列特殊微结构具有的柔韧性，制得具有良好柔韧性和理想电卡效应的电卡材料，实现了无机柔性电卡材料的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104909794A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510305224.8
申请日：2015-06-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B37/00 , B23K35/362
Abstract: 本发明公开了一种用于油气运输的陶瓷复合钢管内衬连接焊剂,该焊剂由下述重量百分比的成份构成：Al2O370％，MgO 0～15％，SiO215～30％。本发明提供一种用于油气运输的陶瓷复合钢管内衬连接焊剂及其制备方法，该焊剂结合激光钎焊技术，能与陶瓷内衬实现紧密互融连接，其抗弯强度达257MPa；焊缝具有较好的耐腐蚀性(在10％HCl中失重率≤0.0002g/h·m2)和较高的熔融温度(＞1500℃)，可有效避免焊接外层钢管时热传导的高温对其造成破坏，满足油气运输中对管道环境耐腐蚀等要求。
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公开(公告)号：CN104485177A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410733580.5
申请日：2014-12-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明公开了一种摩擦制备柔性透明导电膜的方法，该方法将聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜平铺在基板上，再将纳米石墨粉按0.005～0.02毫克/平方厘米均匀铺在聚乙烯或者聚氯乙烯膜上，然后将纳米石墨粉在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜上借助基板进行摩擦，使纳米石墨粉在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜表面形成的微导电沟道，得到柔性、透明的导电膜。本发明具有工艺周期短，实施便捷的特点。产品与目前市场上的透明导电ITO玻璃相比，表现出良好的柔韧性以及较低的成本。
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公开(公告)号：CN101260217B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200810047179.0
申请日：2008-03-28
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P20/125
Abstract: 本发明公开了一种复合热释电材料及其制备方法与制备硅基厚膜的方法，材料为聚偏二氟乙烯与Pb1+x(Sc0.5Ta0.5)O3纳米陶瓷粉体的复合材料，0.05≤x≤0.1，其中纳米陶瓷粉体的体积分数为30～70％。复合热释电材料的制备方法及其硅基厚膜的方法包括：①配制钪钽酸铅先驱体溶胶，并利用溶胶制备钪钽酸铅纳米粉；②制备PVDF溶液并制备钪钽酸铅PVDF复合浆料；③硅基片预处理后沉积隔热层和底电极；④旋涂沉积复合热释电厚膜；⑤沉积上电极后极化。本发明材料兼有有机和无机热释电材料的优点，介电常数小，热导率低，电压响应优值很高；成膜温度极低，适合于半导体集成工艺；复合热释电厚膜厚度在5～20μm可以控制，成膜效率较高。
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公开(公告)号：CN101333109A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810048368.X
申请日：2008-07-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种宽温区相变型热释电陶瓷材料的制备方法，包括：①根据化学式Pb[(Mn0.33Nb0.67)0.5(Mn0.33Sb0.67)0.5]0.08(ZrxTi1－x)0.92O3，其中，x表示Zr与Ti之间的摩尔分数比，0.80≤x≤0.98，在x的取值范围内选取二个不同的值，将PbO、ZrO2、TiO2、Nb2O5、Sb2O3粉体和Mn(NO3)2按各自化学式中的化学计量比进行混合，得到二种混合物；②将二种混合物分别在800～900℃保温4～6小时，得到预烧粉体；③将上述预烧粉体作为基料，按质量比1∶2～2∶1进行混合，将粉体成型后，在1250～1300℃保温2～3h进行烧结；④将烧结后的材料进行磨片、清洗、上电极和烧电极；⑤将烧电极后的材料进行极化，然后保压冷却到室温。本发明制备的混合PMN－PMS－PZT热释电陶瓷在较宽的温度范围内具有较高的热释电系数，良好综合热释电性能，符合制作热释电红外探测器的要求。
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公开(公告)号：CN116487476A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310399207.X
申请日：2023-04-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , C23C14/24 , C23C14/06 , H01L31/032 , H01L31/115
Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种面向CMOS集成的掺杂硒化锑短波红外探测器的制备方法，采用双温区管式炉，基于双源气相转移沉积法，以硒化铋或碲化锑粉末作为第一蒸发源，以硒化锑粉末作为第二蒸发源，加热第一温区和第二温区，其中，第一温区不晚于第二温区达到对应的预设工作温度；当第二温区的保温时间达到预设时间后，第一温区和第二温区同时停止加热，即可得到P型吸光层。本发明利用双源气相转移沉积法实现掺杂硒化锑合金薄膜的制备，进一步形成的短波红外探测器具有简单的器件结构，可有效解决现有硒化铋探测器探测范围小于1100nm的问题，能够拓展其在短波红外探测领域的应用，尤其可实现CMOS一体化集成。
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