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公开(公告)号：CN113337277A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110548572.3
申请日：2021-05-20
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于半导体材料制备与应用技术领域，公开了一种有机‑无机杂化铜基卤化物闪烁体及其制备与应用，其中闪烁体的化学通式为AxCuyXz，其中，A为[(CH3)(CH2)n]4N+，Cu为一价铜离子Cu+；X为卤素，选自Cl、Br、I中的至少一种。本发明与现有技术相比，能够有效扩展单晶闪烁体的种类，实现了发射光谱在可见光区域内可调，且荧光量子产率(PLQY)高达96.7％，能够应用于高能射线探测、X射线医学成像与安检、无损检测、工业探伤等领域。并且，本发明制备工艺简单，成本低，能够实现大规模工业化生产。基于本发明得到的柔性薄膜，尤其可应用于柔性X射线成像，得到很高的成像分辨率与极佳的成像效果。
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公开(公告)号：CN108502927B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810535204.3
申请日：2018-05-29
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种铯铋溴钙钛矿纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将溴化铋与油酸、油胺、1‑十八烯四者混合形成混合物，接着，在持续抽真空的条件下，将该混合物加热至100‑120℃，并维持60‑120min，得到含有溴化铋的混合溶液；(2)向含有溴化铋的混合溶液充入氮气，并将温度升至170‑180℃，然后注入油酸铯溶液，反应时间维持5‑60s，即可得到包括Cs3Bi2Br9钙钛矿纳米片在内的反应产物。本发明通过对该制备方法整体的工艺流程设置、关键参数条件进行改进，能够有效解决纳米片制备方法复杂、成本高的问题，是全新溶液法工艺、低成本制备纳米片的方法，并且制备得到的纳米片具有高度结晶性、极好的稳定性、良好的光学特性等特点。
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公开(公告)号：CN106882837B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201710117705.5
申请日：2017-03-01
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种控制PbS或PbSe量子点尺寸分布的方法，其步骤包括：(1)首先在铅的前驱物中注入较大尺寸的CdSe(或者CdS)量子点，此时通过阳离子交换反应得到了较大尺寸PbSe(或者PbS)量子点，(2)然后继续注入较小尺寸CdSe(或者CdS)量子点，这时通过阳离子交换反应会得到较小尺寸PbSe(或者PbS)量子点，(3)然后在奥斯特瓦尔德熟化效应的作用下，PbSe(或者PbS)量子点的尺寸分布会越来越窄，从而控制了PbSe(或者PbS)量子点的尺寸分布。通过该方法可以得到尺寸分布极好的各种尺寸的PbSe(或者PbS)量子点，而且在空气中特别稳定，该方法成本低、操作简单、对环境要求不严格。
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公开(公告)号：CN108502927A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810535204.3
申请日：2018-05-29
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种铯铋溴钙钛矿纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将溴化铋与油酸、油胺、1-十八烯四者混合形成混合物，接着，在持续抽真空的条件下，将该混合物加热至100-120℃，并维持60-120min，得到含有溴化铋的混合溶液；(2)向含有溴化铋的混合溶液充入氮气，并将温度升至170-180℃，然后注入油酸铯溶液，反应时间维持5-60s，即可得到包括Cs3Bi2Br9钙钛矿纳米片在内的反应产物。本发明通过对该制备方法整体的工艺流程设置、关键参数条件进行改进，能够有效解决纳米片制备方法复杂、成本高的问题，是全新溶液法工艺、低成本制备纳米片的方法，并且制备得到的纳米片具有高度结晶性、极好的稳定性、良好的光学特性等特点。
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公开(公告)号：CN118724053A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410715447.0
申请日：2024-06-04
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C01G21/21 , B82Y40/00 , B82Y20/00 , B82Y15/00 , G01V8/10 , C09K11/66 , H01L31/032 , H01L31/0352
Abstract: 本申请公开了一种硫化铅纳米立方体量子点、制备方法及应用，该制备方法通过将ZnS量子点溶液和PbS量子点溶液按一定比例进行混合，在混合反应的过程中，ZnS在非极性溶剂中产生较高浓度的硫源，硫源会与PbS量子点吸附的配体反应，生成额外的PbS附加在PbS的量子点表面；同时由于PbS量子点的表面配体的减少，少量的配体就可实现钝化，有利于PbS(100)面的生长，最终形成PbS立方体量子点。该制备方法制备的PbS立方体量子点尺寸小，具有较强的量子限域效应，非常适用于红外探测器、太阳能电池、近红外激光器等光学器件，另外，该制备方法，流程简单，稳定性好，适合PbS立方体量子点的大规模制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108447915A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810174504.3
申请日：2018-03-02
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L29/786 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L21/34 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种薄膜场效应晶体管(TFT)型气体传感器及其制备方法，其中该传感器为底栅顶接触式结构或底栅底接触式结构的薄膜场效应晶体管；以底栅顶接触式结构的薄膜场效应晶体管为例，该晶体管自下而上包括衬底、栅极绝缘层、沟道有源层，沟道有源层为量子点薄膜，其上方沉积有源电极和漏电极；衬底还引出有栅电极。本发明通过对薄膜场效应晶体管型气体传感器其内部组成及结构、相应制备方法的整体工艺及各个步骤的参数进行改进，以量子点薄膜同时作为沟道有源层和气体敏感层，利用栅极偏压的调控综合多参数的气体响应，制备出高灵敏、低功耗和高选择性气体传感器，达到检测低浓度目标气体如NO2、H2S的效果。
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公开(公告)号：CN108444927A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810200969.1
申请日：2018-03-12
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种光谱分析芯片及其制备方法，该光谱分析芯片从下至上依次包括硅衬底层、量子点光敏薄膜、以及光学天线，其中，光学天线是由金属纳米结构周期性排列得到的阵列；该光谱分析芯片还包括至少一对与量子点光敏薄膜接触的金属电极构成光电探测器。探测芯片制备分三步：制备光学天线；制备量子点光敏薄膜；制作电极完成芯片制备。本发明利用金属纳米结构与量子点光敏薄膜之间的协同配合，利用光学天线的滤波和光场增强功能以及量子点的量子限域效应，对量子点光敏薄膜的光电响应进行波长调制和增敏，实现高灵敏、窄通带、可调谐的光电探测器单元，集成制备得到高灵敏光谱分析芯片。
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公开(公告)号：CN118931525A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410817249.5
申请日：2024-06-24
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C09K11/02 , H01L31/18 , H01L31/0352 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K11/66 , C09K11/56 , C09K11/88 , C09K11/89
Abstract: 本发明提出了一种量子点超晶格薄膜的制备方法，该方法的步骤包括：S1、配制量子点溶液和乙二醇溶液；S2、在干燥磨具中注入乙二醇溶液；S3、在乙二醇液面上均铺撒一层滑石粉，作为缓冲层；S4、将量子点溶液滴加在乙二醇液面上，迅速盖上玻璃盖板，待液面上的薄膜干燥；S5、薄膜干燥后，在模具角落注入乙二胺溶液进行配体交换；S6、配体交换结束后，取出最终获得的薄膜进行干燥。该制备方法在气液界面滴加量子点溶液之前，先在液面上铺撒一层滑石粉作为缓冲层，缓冲层能够有效隔离量子点薄膜与模具之间的相互影响，使薄膜制备过程与模具解耦，能够很好地缓解量子点溶液蒸发组装过程中产生的内应力，提高了最终超晶格薄膜的可重复性和均匀性，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113943225A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111131204.5
申请日：2021-09-26
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C07C211/63 , C07C209/68 , C07C209/84 , C09K11/06 , C08J5/18 , C08L25/06 , C08L33/12 , C08K5/17 , C30B7/06 , C30B29/12 , G01T1/202
Abstract: 本发明属于闪烁体材料制备与高能射线探测领域，公开了一种零维有机锰基金属卤化物β射线闪烁体及其制备方法，其中β射线闪烁体的化学通式为A2MnBr4，其中，A为甲基三丁基胺根离子(C13H30N+)或苄基三丁基胺根离子(C19H34N+)中的任意一种，Mn为二价锰离子Mn2+。可通过室温溶剂挥发法制备得到单晶，利用超声破碎法制备得到纳米晶以及纳米晶柔性复合膜β射线闪烁体。本发明与现有技术相比，能够有效扩展β射线闪烁体的种类，且具有高效环保，稳定，对高能电子束的耐辐照性强，荧光量子产率高，无自吸收等特点。并且，本发明制备工艺简单，成本低，能够实现大规模工业化生产。基于本发明制备的纳米晶柔性复合膜，尤其可应用于柔性β射线探测。
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公开(公告)号：CN113201328A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110388977.5
申请日：2021-04-12
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C09K11/61 , C09K11/06 , C07C209/00 , C07C211/07 , H01L33/50
Abstract: 本发明属于发光材料技术领域，公开了一种单基质双带白光发射材料及其制备方法与应用，该材料的化学式为(C16H36N)CuI2，尤其可应用于在白光LED中。本发明通过对材料的化学组成进行改进，得到(C16H36N)CuI2材料，无需稀土元素参与，即可实现单基质双带白光发射，与现有技术相比能够有效扩展单基质白光材料的种类，实现了发射光谱覆盖整个可见光区域，在400～850nm，激发光谱覆盖250～400nm，其PLQY高达54.3％。
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