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公开(公告)号：CN111965231B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010762909.6
申请日：2020-07-31
Applicant: 华中科技大学 , 华中科技大学同济医学院附属协和医院
IPC: G01N27/327 , G01N27/48 , G01N27/27 , G01N33/569 , G01N33/68
Abstract: 本发明属于生化传感技术领域，公开了一种用于病毒检测的半导体传感器及其制备方法与应用，其中制备方法包括以下步骤：(1)准备氧化物或硫族化合物胶体半导体纳米材料；(2)在胶体半导体纳米材料表面包被病毒特异性抗原或抗体，得到敏感材料；(3)基于所述敏感材料，采用化学修饰电极或场效应晶体管等器件结构制备病毒检测传感器。本发明通过在胶体半导体纳米材料表面引入病毒特异性抗原或抗体，将病毒抗原抗体之间的特异性结合反应引起的电荷转移通过半导体敏感效应转换为传感器电信号输出，提高病毒检测技术的实时性与便捷性。
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公开(公告)号：CN111965231A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010762909.6
申请日：2020-07-31
Applicant: 华中科技大学 , 华中科技大学同济医学院附属协和医院
IPC: G01N27/327 , G01N27/48 , G01N27/27 , G01N33/569 , G01N33/68
Abstract: 本发明属于生化传感技术领域，公开了一种用于病毒检测的半导体传感器及其制备方法与应用，其中制备方法包括以下步骤：(1)准备氧化物或硫族化合物胶体半导体纳米材料；(2)在胶体半导体纳米材料表面包被病毒特异性抗原或抗体，得到敏感材料；(3)基于所述敏感材料，采用化学修饰电极或场效应晶体管等器件结构制备病毒检测传感器。本发明通过在胶体半导体纳米材料表面引入病毒特异性抗原或抗体，将病毒抗原抗体之间的特异性结合反应引起的电荷转移通过半导体敏感效应转换为传感器电信号输出，提高病毒检测技术的实时性与便捷性。
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公开(公告)号：CN119310287A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411424929.7
申请日：2024-10-12
Applicant: 华中科技大学 , 温州医科大学 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
IPC: G01N33/68 , G01N33/58 , G01N33/53 , G01N33/532 , G01N27/327 , G01N27/26
Abstract: 本发明属于生化传感技术领域，更具体地，涉及一种基于硫化物胶体量子点的外泌体检测用生物传感器、其制备和应用。将硫化物胶体量子点溶液转移至高电子迁移率晶体管的金属栅电极上或丝网印刷三电极的工作电极上，形成硫化物胶体量子点薄膜；在所述硫化物胶体量子点薄膜上包被抗体蛋白修饰层，并采用牛血清白蛋白封闭所述抗体蛋白修饰层上的非特异性活性位点；所述抗体蛋白能够与待检测外泌体表面对应的跨膜蛋白发生特异性结合，从而将待检测外泌体捕获在所述电极表面，同时基于所述硫化物胶体量子点的独特的理化效应，使得修饰后的电极具有“感知”外界电荷分布变化的能力，从而实现对外泌体的快速、定量检测。
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公开(公告)号：CN108447915B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810174504.3
申请日：2018-03-02
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L29/786 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L21/34 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种薄膜场效应晶体管(TFT)型气体传感器及其制备方法，其中该传感器为底栅顶接触式结构或底栅底接触式结构的薄膜场效应晶体管；以底栅顶接触式结构的薄膜场效应晶体管为例，该晶体管自下而上包括衬底、栅极绝缘层、沟道有源层，沟道有源层为量子点薄膜，其上方沉积有源电极和漏电极；衬底还引出有栅电极。本发明通过对薄膜场效应晶体管型气体传感器其内部组成及结构、相应制备方法的整体工艺及各个步骤的参数进行改进，以量子点薄膜同时作为沟道有源层和气体敏感层，利用栅极偏压的调控综合多参数的气体响应，制备出高灵敏、低功耗和高选择性气体传感器，达到检测低浓度目标气体如NO2、H2S的效果。
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公开(公告)号：CN112666229A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011464478.1
申请日：2020-12-14
Applicant: 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种场效应管氢气传感器及其制备方法，属于气体传感器领域。主要特点是将氢气敏感薄膜与场效应晶体管进行集成，利用场效应管将氢气敏感薄膜与氢气作用发生的物理化学变化转化为电信号，放大实现对低浓度氢气的检测。本发明的氢气传感器具有功耗低、灵敏度高和易于集成的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108447915A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810174504.3
申请日：2018-03-02
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L29/786 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L21/34 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种薄膜场效应晶体管(TFT)型气体传感器及其制备方法，其中该传感器为底栅顶接触式结构或底栅底接触式结构的薄膜场效应晶体管；以底栅顶接触式结构的薄膜场效应晶体管为例，该晶体管自下而上包括衬底、栅极绝缘层、沟道有源层，沟道有源层为量子点薄膜，其上方沉积有源电极和漏电极；衬底还引出有栅电极。本发明通过对薄膜场效应晶体管型气体传感器其内部组成及结构、相应制备方法的整体工艺及各个步骤的参数进行改进，以量子点薄膜同时作为沟道有源层和气体敏感层，利用栅极偏压的调控综合多参数的气体响应，制备出高灵敏、低功耗和高选择性气体传感器，达到检测低浓度目标气体如NO2、H2S的效果。
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公开(公告)号：CN115561294A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211064854.7
申请日：2022-09-01
Applicant: 华中科技大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/414 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种栅敏场效应晶体管嗅觉传感器及其制备方法，属于智能传感器领域。嗅觉传感器包括高电子迁移率晶体管和气敏薄膜；晶体管的栅极包括控制栅与延长栅，二者之间的气敏薄膜作为气味受体，与气体分子作用后薄膜电阻发生改变引起栅压变化，进而引起源漏电流的改变，实现信号转导与放大。本发明提供的嗅觉传感器具有高灵敏度、高信噪比与低功耗的特点，通过传感器阵列化并结合算法，可实现高可靠智能嗅觉感知。
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公开(公告)号：CN109781947B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910143612.9
申请日：2019-02-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明属于半导体器件与集成系统技术领域，具体公开了一种基于量子点的电子鼻芯片及其设计方法，其中设计方法包括以下步骤：(1)电子鼻芯片上气体传感器阵列的设计：(1‑1)以量子点材料作为嗅觉受体材料，设计量子点气体传感器单元，设计得到在衬底上的电阻型或场效应晶体管型传感器单元；(1‑2)基于量子点气体传感器单元设计采用MEMS或TFT器件结构的量子点传感器阵列；(2)设计信号处理单元与微控制单元。本发明使用量子点材料作为嗅觉受体材料，设计并制备微纳气体传感器，结合MEMS和TFT器件结构得到传感器阵列，并在芯片上集成包含模式识别算法的MCU和信号处理单元，可得到高灵敏、小体积、低功耗的量子点电子鼻芯片。
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公开(公告)号：CN109374687B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201811299535.8
申请日：2018-11-02
Applicant: 华中科技大学 , 中国工程物理研究院化工材料研究所
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种基于NiO纳米晶的NO2气体传感器及其制备方法，其中制备方法具体是将NiO纳米晶溶液涂覆在印有电极的绝缘衬底上，使其均匀成膜得到NiO纳米晶薄膜；接着，在向所述电极施加电压的条件下对该NiO纳米晶薄膜进行热处理；然后，向所述电极施加老化电压持续老化6～10天，即可得到NO2气体传感器。本发明通过对关键气敏层的制备工艺进行改进，得到基于NiO半导体电阻式的气体传感器的薄膜，该气体传感器可以采用陶瓷衬底室温成膜，制作工艺简单，成本低，无需高温(400℃以上)处理，在较低温度下能迅速探测到目标气体的浓度变化，且响应速度快，在半导体式气体传感器中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111115565A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911354191.0
申请日：2019-12-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C1/00 , B81B7/00 , B81B7/02 , G01J5/20 , G01N21/3504
Abstract: 本发明属于红外光源领域，具体公开了一种MEMS红外光源的制备方法及其应用，制备方法包括：在单晶硅片的一面上制备能透红外光的支撑层；在单晶硅片的另一面上采用MEMS工艺刻蚀并将该单晶硅片的中间区域刻穿，形成掏空结构；在支撑层上进行图案溅射，得到红外热辐射体，并在红外热辐射体表面沉积能透红外光且绝热的隔离层，以及在隔离层上沉积反射层，得到背发射式结构的硅基MEMS红外光源。本发明在单晶硅片的一面设置支撑层后，在另一面进行MEMS工艺刻蚀，形成边缘为硅基且中间区域刻穿的掏空结构，同时在支撑层依次设置红外热辐射体、隔离层和反射层。本发明制备得到背发射式的红外光源，红外发射效率高，在应用是能够有效降低集成难度、集成成本。
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