一种复合热释电材料及其制备方法与制备硅基厚膜的方法

    公开(公告)号:CN101260217B

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN200810047179.0

    申请日:2008-03-28

    CPC classification number: Y02P20/125

    Abstract: 本发明公开了一种复合热释电材料及其制备方法与制备硅基厚膜的方法,材料为聚偏二氟乙烯与Pb1+x(Sc0.5Ta0.5)O3纳米陶瓷粉体的复合材料,0.05≤x≤0.1,其中纳米陶瓷粉体的体积分数为30~70%。复合热释电材料的制备方法及其硅基厚膜的方法包括:①配制钪钽酸铅先驱体溶胶,并利用溶胶制备钪钽酸铅纳米粉;②制备PVDF溶液并制备钪钽酸铅PVDF复合浆料;③硅基片预处理后沉积隔热层和底电极;④旋涂沉积复合热释电厚膜;⑤沉积上电极后极化。本发明材料兼有有机和无机热释电材料的优点,介电常数小,热导率低,电压响应优值很高;成膜温度极低,适合于半导体集成工艺;复合热释电厚膜厚度在5~20μm可以控制,成膜效率较高。

    一种制备钛酸铋钠基无铅压电厚膜的方法

    公开(公告)号:CN101215172B

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN200810046659.5

    申请日:2008-01-09

    Abstract: 本发明公开了一种制备钛酸铋钠基无铅压电厚膜的方法,包括①按固相法制备结构式为(Na0.5Bi0.5)(1-x)BaxTiO30<x<1的陶瓷粉料,加入粘合剂,松油醇,分散剂和增塑剂,碾磨再球磨成浆料并印刷、烘烤和预烧得单层膜;②以三乙醇胺为催化剂,乙酰丙酮为稳定剂配制BNT-BT前驱体溶液,分成两份,一份经过烘烤、碾磨、预烧和球磨后加入到另一份溶胶中,得复合溶胶;③复合溶胶旋涂至预烧后的厚膜上后,改为垂直放置,再次旋转、烘干、预烧、重复填充数次,退火;④重复印刷、放平、烘干、预烧、填充、预烧和结晶步骤,得到所需厚度的厚膜素坯再烧结即可。本发明的优点是工艺简单,成膜致密度高,电性能优异,能应用于压电微马达、微流体泵、超声换能器及微执行器等。

    一种无铅压电厚膜制备方法

    公开(公告)号:CN101217180B

    公开(公告)日:2012-05-09

    申请号:CN200810046660.8

    申请日:2008-01-09

    Abstract: 本发明公开了一种无铅压电厚膜的丝网印刷制备方法,包括:①固相法制备无铅压电陶瓷粉体;②将粘合剂按质量比为3∶100~9∶100溶解到松油醇中得到有机混合物;③将无铅压电陶瓷粉料与有机混合物按质量比15∶10~90∶10混合,加入分散剂,增塑剂混合碾磨后再球磨,得到待印刷浆料;④将浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上,经过放平,烘烤,预烧并重复得到所需厚度的厚膜素坯;⑤将素坯在1050~1300℃下烧结,保温15~45分钟即可。本发明工艺简单,环保,成膜效率高,可重复性好,成膜较致密,电性能优异,厚度可在10~100μm内随意控制,可无需光刻工艺得到各种印刷厚膜图形,与MEMS技术兼容,适合于制备压电微马达、微流体泵、超声换能器及微执行器。

    一种制备钛酸铋钠基无铅压电厚膜的方法

    公开(公告)号:CN101215172A

    公开(公告)日:2008-07-09

    申请号:CN200810046659.5

    申请日:2008-01-09

    Abstract: 本发明公开了一种制备钛酸铋钠基无铅压电厚膜的方法,包括①按固相法制备结构式为(Na0.5Bi0.5)(1-x)BaxTiO30<x<1的陶瓷粉料,加入粘合剂,松油醇,分散剂和增塑剂,碾磨再球磨成浆料并印刷、烘烤和预烧得单层膜;②以三乙醇胺为催化剂,乙酰丙酮为稳定剂配制BNT-BT前驱体溶液,分成两份,一份经过烘烤、碾磨、预烧和球磨后加入到另一份溶胶中,得复合溶胶。③复合溶胶旋涂至预烧后的厚膜上后,改为垂直放置,再次旋转、烘干、预烧、重复填充数次,退火;④重复印刷、放平、烘干、预烧、填充、预烧和结晶步骤,得到所需厚度的厚膜素坯再烧结即可。本发明的优点是工艺简单,成膜致密度高,电性能优异,能应用于压电微马达、微流体泵、超声换能器及微执行器等。

    一种复合热释电材料及其制备方法与制备硅基厚膜的方法

    公开(公告)号:CN101260217A

    公开(公告)日:2008-09-10

    申请号:CN200810047179.0

    申请日:2008-03-28

    CPC classification number: Y02P20/125

    Abstract: 本发明公开了一种复合热释电材料及其制备方法与制备硅基厚膜的方法,材料为聚偏二氟乙烯与Pb1+x(Sc0.5Ta0.5)O3纳米陶瓷粉体的复合材料,0.05≤x≤0.1,其中纳米陶瓷粉体的体积分数为30~70%。复合热释电材料的制备方法及其硅基厚膜的方法包括:①配制钪钽酸铅先驱体溶胶,并利用溶胶制备钪钽酸铅纳米粉;②体制备PVDF溶液并制备钪钽酸铅PVDF复合浆料;③硅基片预处理后沉积隔热层和底电极;④旋涂沉积复合热释电厚膜;⑤沉积上电极后极化。本发明材料兼有有机和无机热释电材料的优点,介电常数小,热导率低,电压响应优值很高;成膜温度极低,适合于半导体集成工艺;复合热释电厚膜厚度在5~20μm可以控制,成膜效率较高。

    一种无铅压电厚膜制备方法

    公开(公告)号:CN101217180A

    公开(公告)日:2008-07-09

    申请号:CN200810046660.8

    申请日:2008-01-09

    Abstract: 本发明公开了一种无铅压电厚膜的丝网印刷制备方法,包括:①固相法制备无铅压电陶瓷粉体;②将粘合剂按质量比为3∶100~9∶100溶解到松油醇中得到有机混合物;③将无铅压电陶瓷粉料与有机混合物按质量比15∶10~90∶10混合,加入分散剂,增塑剂混合碾磨后再球磨,得到待印刷浆料;④将浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上,经过放平,烘烤,预烧并重复得到所需厚度的厚膜素坯;⑤将素坯在1050~1300℃下烧结,保温15~45分钟即可。本发明工艺简单,环保,成膜效率高,可重复性好,成膜较致密,电性能优异,厚度可在10~100μm内随意控制,可无需光刻工艺得到各种印刷厚膜图形,与MEMS技术兼容,适合于制备压电微马达、微流体泵、超声换能器及微执行器。

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