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公开(公告)号：CN109369154B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201811541537.3
申请日：2018-12-17
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/626 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种储能效率提高的反铁电储能陶瓷及其制备方法与应用，属于电能储存材料领域。制备方法为将反铁电介质和线性介质进行复合，得到反铁电储能陶瓷为反铁电介质与线性介质的复合物。所述反铁电介质为(Pb0.93Ba0.04La0.02)(Zr0.95‑xSnxTi0.05)O3，其中x的取值范围为0.3≤x≤0.45，所述线性介质为Ca(ZryTi1‑y)O3，其中y的取值范围为0.3≤y≤0.5。本发明通过高储能密度介质与高储能效率介质的复合，获得了储能密度达到4.39J/cm3、储能效率为92.23％的储能材料。
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公开(公告)号：CN111933725A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010735666.7
申请日：2020-07-27
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L33/42 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种超薄宽谱透明电极及其制备方法，属于透明电极材料领域。本发明的方法包括：在基板上以1∶1的厚度比分别沉积金薄膜和铝薄膜，得到沉积的金铝薄膜；将所述金铝薄膜进行高温真空退火。本发明的技术方案通过将金薄膜与铝薄膜进行真空退火形成合金薄膜，由于金属薄膜在纳米级厚度下透明，通过金原子与铝原子之间内部扩散作用，抑制了薄膜的表面扩散，并进而抑制了薄膜在高温下的分裂获得了连续、导电的透明薄膜。解决了现有的透明电极存在红外不透光、温度稳定性差以及电极厚度厚的技术问题，对于实际应用具有重要价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110190141B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910285735.6
申请日：2019-04-10
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L31/0232 , H01L31/08 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种三维等离子纳米复合结构及其制备方法和应用，结构包括：铝反射层，氧化铝阵列支架，以及金纳米天线。氧化铝阵列支架设置于铝反射层上；金纳米天线设置于氧化铝阵列支架的与铝反射层相对的一侧表面。为防止入射光的溢出，本发明引入铝反射层和氧化铝阵列共振腔，结合强光干涉效果的铝反射层和氧化铝阵列共振腔及强表面等离子效应的自组装金纳米天线的优势，通过反射层、氧化铝阵列支架和金纳米天线的耦合作用，可将光波有效钳制于纳米复合结构表面，实现入射光波的反复利用，有效提升光敏感层的光利用率，突破了传统光探测材料光吸收率的限制。
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公开(公告)号：CN110190141A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910285735.6
申请日：2019-04-10
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L31/0232 , H01L31/08 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种三维等离子纳米复合结构及其制备方法和应用，结构包括：铝反射层，氧化铝阵列支架，以及金纳米天线。氧化铝阵列支架设置于铝反射层上；金纳米天线设置于氧化铝阵列支架的与铝反射层相对的一侧表面。为防止入射光的溢出，本发明引入铝反射层和氧化铝阵列共振腔，结合强光干涉效果的铝反射层和氧化铝阵列共振腔及强表面等离子效应的自组装金纳米天线的优势，通过反射层、氧化铝阵列支架和金纳米天线的耦合作用，可将光波有效钳制于纳米复合结构表面，实现入射光波的反复利用，有效提升光敏感层的光利用率，突破了传统光探测材料光吸收率的限制。
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公开(公告)号：CN109369154A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811541537.3
申请日：2018-12-17
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/626 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种储能效率提高的反铁电储能陶瓷及其制备方法与应用，属于电能储存材料领域。制备方法为将反铁电介质和线性介质进行复合，得到反铁电储能陶瓷为反铁电介质与线性介质的复合物。所述反铁电介质为(Pb0.93Ba0.04La0.02)(Zr0.95-xSnxTi0.05)O3，其中x的取值范围为0.3≤x≤0.45，所述线性介质为Ca(ZryTi1-y)O3，其中y的取值范围为0.3≤y≤0.5。本发明通过高储能密度介质与高储能效率介质的复合，获得了储能密度达到4.39J/cm3、储能效率为92.23％的储能材料。
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公开(公告)号：CN108192247A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810134566.1
申请日：2018-02-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铁电聚合物电卡材料及其制备方法，其中铁电聚合物电卡材料为聚偏氟乙烯(PVDF)基铁电聚合物电卡纳米线阵列，该聚偏氟乙烯基铁电聚合物电卡纳米线阵列还内嵌于多孔阳极氧化铝AAO模板中。本发明是将聚偏氟乙烯基铁电聚合物电卡材料控制形成纳米线阵列，并将该纳米线阵列还内嵌于多孔阳极氧化铝AAO模板中，通过溶液浸润法在多孔阳极氧化铝AAO模板中制备该铁电聚合物纳米线阵列，通过对关键的铁电聚合物的形貌、结构、内部微观连接构造等进行改进，与现有技术相比能够有效解决铁电聚合物电卡强度低、电卡材料内的热传导困难、电卡器件的制冷功率密度低等问题。
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公开(公告)号：CN108192247B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201810134566.1
申请日：2018-02-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铁电聚合物电卡材料及其制备方法，其中铁电聚合物电卡材料为聚偏氟乙烯(PVDF)基铁电聚合物电卡纳米线阵列，该聚偏氟乙烯基铁电聚合物电卡纳米线阵列还内嵌于多孔阳极氧化铝AAO模板中。本发明是将聚偏氟乙烯基铁电聚合物电卡材料控制形成纳米线阵列，并将该纳米线阵列还内嵌于多孔阳极氧化铝AAO模板中，通过溶液浸润法在多孔阳极氧化铝AAO模板中制备该铁电聚合物纳米线阵列，通过对关键的铁电聚合物的形貌、结构、内部微观连接构造等进行改进，与现有技术相比能够有效解决铁电聚合物电卡强度低、电卡材料内的热传导困难、电卡器件的制冷功率密度低等问题。
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