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公开(公告)号：CN104378161A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410565988.6
申请日：2014-10-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04B10/25 , H04B10/278
Abstract: 本发明公开了一种基于AXI4总线架构的FCoE协议加速引擎IP核，属于以太网光纤通道领域，应用于FCoE融合网络适配器中。本发明包括发送模块、接收模块和控制模块。本发明建立在AXI4总线架构基础之上，利用AXI4-Lite总线对本发明IP核配置寄存器，利用AXI4总线进行发送/接收描述符的读写，利用AXI4-Stream高速通道传送发送/接收的数据。本发明可以由FCoE融合网络适配器CPU进行控制，专门针对以太网光纤通道领域中硬件处理FCoE数据帧的需要，采用全双工工作模式，工作实时高效，数据吞吐量大，传输速率高，并且能够实现无损传输。本发明支持FCoE数据分段/合并处理、无损以太网功能和单根虚拟化。
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公开(公告)号：CN101982401A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN201010277692.6
申请日：2010-09-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于碳纳米螺旋微加热器的运动传感器及其制备方法。传感器由制作有碳纳米螺旋微加热器的玻璃衬底或硅衬底和经微加工的玻璃盖板键合而成。碳纳米螺旋、二个金电极以及二氧化硅层构成碳纳米螺旋微加热器；碳纳米螺旋架设于金电极之间；碳纳米螺旋与金电极的接触部位覆盖二氧化硅层；在玻璃盖板的背面开有凹槽；衬底与基底键合，使碳纳米螺旋微加热器与凹槽的位置相对，形成传感器工作室。其制备方法是在衬底上制作碳纳米螺旋微加热器，在玻璃盖板上制作凹槽，再将二者键合即可。本发明克服了传统热传导运动传感器中微加热器的功耗大的缺点，具有良好的集成潜力，在移动式、手持式的相关应用领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101436532B
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810236930.1
申请日：2008-12-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/316 , H01L21/8247
Abstract: 本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法，属于微电子信息功能材料与器件领域。本发明铁电存储器用PZT前驱体溶液浓度为0.1～0.3mol/l。每次旋转匀胶后，都对薄膜进行烘烤并辅以均匀紫外光辐照，光照度为10～15mW/cm2，接着进行热解处理，最后PZT薄膜在550～600℃下退火处理。本发明铁电存储器用PZT铁电薄膜为多晶薄膜，具有良好的铁电性能、抗疲劳性能及漏电流特性，且结晶温度低的优点，可与现有的Si半导体工艺兼容。
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公开(公告)号：CN101434408A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810236931.6
申请日：2008-12-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及信息存储薄膜材料领域，公开了一种A位Pr掺杂BTO薄膜材料，它是由镨、铋、钛和氧离子组成的，其组成分子式为Bi(4－11x/9)PrxTi3O12，x取值为0.3～0.9。该薄膜材料采用射频磁控溅射方法制备，具体为：将Bi(4－11x/9)PrxTi3O12靶材沉积在Pt/TiO2/SiO2/p－Si衬底上，抽至高真空，预溅射，通入氧气和氩气调节工作气压，再次溅射，最后快速退火，得到薄膜。本发明制得的薄膜为随机取向的多晶薄膜，薄膜表面光滑，晶粒尺寸均匀，具有低的漏电流和较好的电滞回线，可与现有CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN101159271A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710168367.4
申请日：2007-11-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/115 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于铁电存储器技术，公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法。铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、底电极金属层、缓冲层、铁电薄膜层和顶电极金属层构成，缓冲层的材料为TiO2，厚度为10－30nm。制备过程中，采用磁控溅射法在底电极金属层上制备10－30nm厚度的TiO2缓冲层，溅射工艺条件为：溅射气压1～3Pa，溅射基片温度为200－400℃，溅射气氛为O2和Ar的混合气体；本发明铁电薄膜结晶性能良好、非c轴取向度高、电滞回线饱满、剩余极化值大。
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公开(公告)号：CN1356728A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01138334.8
申请日：2001-12-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开的铁电场效应晶体管,其存储介质层为钛酸铋(BIT)薄膜。其制备方法为:在清洗后Si基片上涂布光刻胶、曝光、显影,得到套刻标记图形后,再刻蚀,得到套刻标记凹痕;涂布光刻胶,光刻形成源区和漏区的注入窗口;进行N+离子注入,形成源区和漏区;采用Sol－Gel工艺淀积BIT铁电薄膜;刻蚀掉源区和漏区上方的BIT铁电薄膜,得到源、漏电极窗口;采用直流磁控溅射方法镀Ag金属层,反刻Ag金属层得到源、漏、栅极。本发明有效地克服了一般铁电存储场效应器件界面特性差、易疲劳的缺点,使信息存储时间延长;简化了制作工艺,并有效地提高器件的成品率。本发明仍保持了MFS结构存储器件的优点,并与标准IC工艺兼容。
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公开(公告)号：CN114491519B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210337125.8
申请日：2022-04-01
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 华中科技大学
Abstract: 本发明实施例提供一种检测信号的电路、方法及芯片，所述电路至少包括：延时单元及输出单元；所述延时单元包括第一链路和第二链路，所述第一链路的延时大于第二链路的延时，所述第一链路用于在待测信号经过时输出状态信号，所述第二链路用于在所述待测信号经过时输出采样脉冲；所述输出单元用于通过所述采样脉冲对所述状态信号进行采样得到采样信号。所述检测信号的电路成本低，无需时钟，能有效的感知外界环境变化，保证采集信号稳定有效。
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公开(公告)号：CN110443345B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910699882.8
申请日：2019-07-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于人工智能技术领域，涉及一种利用氧化/还原分子吸附调控多金属氧酸盐‑半导体低维纳米材料神经网络电脉冲发放行为的方法以及基于该调控方法获得的一种新型的三元分子神经网络。通过调控氧化/还原分子在所述多金属氧酸盐‑半导体低维纳米材料复合结构表面的吸附，改变多金属氧酸盐与半导体低维纳米材料间的电荷转移，从而改变多金属氧酸盐‑半导体低维纳米材料复合结构的电导，进而改变多金属氧酸盐‑半导体低维纳米材料复合结构单元之间的电荷势垒及对应的电荷传输机制，从而调控多金属氧酸盐‑半导体低维纳米材料神经网络的电脉冲发放行为，由此解决现有技术提出的分子神经网络中电脉冲行为不可控的技术问题。
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公开(公告)号：CN106945404B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201710200069.2
申请日：2017-03-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: B41J2/16
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯‑碳纳米管复合结构的热喷印头及其制备方法，采用ICP工艺以及PDMS填充深沟的表面平坦化工艺，在硅片衬底上制备主通道、喷墨腔室、进墨通道、喷嘴、喷墨通道；采用阳极键合工艺，以石墨烯碎片作为中间层，将玻璃基底和硅片衬底键合。主通道和喷墨腔室通过进墨通道连通，进墨通道深度小于喷墨腔室深度；喷嘴设置在喷墨腔室底部；碳纳米管‑石墨烯复合结构微气泡发生器阵列和碳纳米管温度传感器阵列制备在玻璃基底对应喷墨腔室的区域，且朝向喷墨腔室设置。该喷头进液关闭可靠、键合强度高、不易污染喷印腔室，制备时精度易于控制。
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公开(公告)号：CN103885840B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410138005.0
申请日：2014-04-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于AXI4总线的FCoE协议加速引擎IP核，包括发送模块和接收模块，其中发送模块包括发送帧封装单元、发送描述符与寄存器管理单元、发送帧FIFO单元、发送队列选择单元、发送buffer单元和发送AXI4总线单元；接收模块包括接收FCoE帧解封装单元、接收描述符与寄存器管理单元、接收帧FIFO单元、接收队列选择单元、接收buffer单元和接收AXI4总线单元。该IP核建立在AXI4总线基础之上，专门针对以太网光纤通道领域以硬件处理FCoE帧加速协议处理的需要，由FCoE网络适配器CPU进行控制，采用全双工工作模式，实时高效，数据吞吐量大，传输速率高。
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