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公开(公告)号：CN102583218A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210056917.4
申请日：2012-03-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81B7/00
Abstract: 本发明公开了一种基于硅基的气密性封装外壳结构，该外壳采用单晶硅作为气密性封装材料，用于对MEMS芯片进行气密性封装。外壳包括管座和盖帽，管座为带有凹槽的单晶硅片，凹槽槽底带有通孔，通孔内镀有导电金属材料，通孔作为TSV信号通道，凹槽内用于放置待封装的MEMS芯片，盖帽为单晶硅片，用于与管座键合。盖帽与管座键合可以采用硅-硅直接键合，或者共晶键合的方式。硅作为一种气密性材料，可以用于气密性封装。本发明不需要高温烧结工艺，并且可以降低封装成本。
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公开(公告)号：CN102605429B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210068606.X
申请日：2012-03-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法，在基片上沉积金属层，利用光刻工艺形成条纹状的纳米级金属细线；将金属细线的两端接电极，通电，促使金属层加速生长晶须得到一维纳米线。本发明能够有效控制纳米级细线的直径大小和长度，生长出来的一维纳米线直径均匀，并直接在基底上生成，有利于三维封装的连接。
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公开(公告)号：CN102403217B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110357375.X
申请日：2011-11-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明公开了一种超薄芯片的制备方法，具体为：首先在硅晶圆表面光刻形成掩膜以暴露出需要减薄的区域，再采用刻蚀工艺对硅晶圆进行局部减薄，对减薄后的区域进行芯片后续工艺处理得到芯片，最后将芯片与硅晶圆分离。本发明只是部分减薄了硅片，所以硅晶圆的机械强度仍然可以支持硅片进行后续的加工工艺，相对于传统的利用支撑基底来减薄芯片的方法，简化了工艺流程，降低了工艺成本。另外由于不需要用机械研磨工艺来进行减薄，所以不会因为机械研磨对硅晶圆造成的轻微震动而使厚度不能减得过小，通过本发明可以使芯片减薄到比机械研磨方法更薄的程度。
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公开(公告)号：CN103296174A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310160891.2
申请日：2013-05-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种LED倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产品，包括LED倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的长度与芯片的长度相同；硅基板的反面加工有两组通孔，两通孔与凹腔相连通；在凹腔和两通孔的表面沉积有绝缘层；凹腔表面的绝缘层上沉积有散热金属层和反光金属层；两通孔内填充有金属体，通孔内的金属体与凹腔表面的散热金属层相接；凹腔内底部的两金属层存在一开口，用于将该金属层隔离为两部分；硅基板的反面沉积有绝缘层，该绝缘层表面布线用于电极连接的金属层；凹腔内涂覆有荧光粉，凹腔的外围加工有用于固定透镜的环形定位腔。本发明能够提高LED出光效率、加强散热能力且完成自对准。
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公开(公告)号：CN102386169B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110321630.5
申请日：2011-10-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/544 , G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种硅通孔金属互联线的电迁移测试结构，包括硅片，硅片上分布有多个硅通孔单元，所述硅通孔单元包括三个硅通孔，第一、二、三硅通孔通过硅片反面金属层相连，第二硅通孔与后继相邻硅通孔单元的第一硅通孔通过硅片正面金属层相连，四探针的一个测头置于第三硅通孔正面端口处，另一测头置于硅片上与第一硅通孔通过正面金属层相连的位置处。本发明可在一个硅片上测试多种规格的硅通孔金属互联线的电迁移性能，并且在测试过程中可以将串联中的某些试样切除进行截面分析而不影响其他剩余试样的继续测试，具有测试成本低，操作便捷，测试效率高的特点。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN102385031A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110357374.5
申请日：2011-11-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种非接触式金属互连线电迁移测量方法，具体为：使用平行光照射标定用金属互联线，同时采用四探针检测标定用金属互联线的电阻；建立四探针检测到的标定用金属互联线的电阻与标定用金属互联线的表面反射光强的对应关系；使用平行光照射待测金属互联线；实时检测待测金属互联线表面反射光的强度；依据建立的电阻与反射光强的对应关系获取待测金属互联线在某反射光强下对应的电阻值。本发明还提供了测量装置，主要包括四探针、平行光光源、光学显微镜和计算机。本发明不接触试样的情况下对试样上的较大范围金属互连线电迁移同时进行实时检测，与普通的四探针检测方法相比，检测范围更大，时间更快、成本更低。
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公开(公告)号：CN203351661U
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201320235749.5
申请日：2013-05-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种LED倒装芯片的圆片级封装结构，包括LED倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的长度与芯片的长度相同；硅基板的反面加工有两组通孔，两通孔与凹腔相连通；在凹腔和两通孔的表面沉积有绝缘层；凹腔表面的绝缘层上沉积有散热金属层和反光金属层；两通孔内填充有金属体，通孔内的金属体与凹腔表面的散热金属层相接；凹腔内底部的两金属层存在一开口，用于将该金属层隔离为两部分；硅基板的反面沉积有绝缘层，该绝缘层表面布线用于电极连接的金属层；凹腔内涂覆有荧光粉，凹腔的外围加工有用于固定透镜的环形定位腔。本实用新型能够提高LED出光效率、加强散热能力且完成自对准。
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公开(公告)号：CN202275826U
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201120402902.X
申请日：2011-10-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/544 , G01R31/26
Abstract: 本实用新型公开了一种硅通孔金属互联线的电迁移测试结构，包括硅片，硅片上分布有多个硅通孔单元，所述硅通孔单元包括三个硅通孔，第一、二、三硅通孔通过硅片反面金属层相连，第二硅通孔与后继相邻硅通孔单元的第一硅通孔通过硅片正面金属层相连，四探针的一个测头置于第三硅通孔正面端口处，另一测头置于硅片上与第一硅通孔通过正面金属层相连的位置处。本实用新型可在一个硅片上测试多种规格的硅通孔金属互联线的电迁移性能，并且在测试过程中可以将串联中的某些试样切除进行截面分析而不影响其他剩余试样的继续测试，具有测试成本低，操作便捷，测试效率高的特点。
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公开(公告)号：CN202330632U
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201120446175.7
申请日：2011-11-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型公开了一种非接触式金属互连线电迁移测量装置，包括四探针，用于检测局部金属互联线的电阻；平行光光源，用于照射晶圆上的所有金属互联线；光学显微镜，用于实时采集所有金属互联线的光反射图像；计算机，用于依据光反射图像获取金属互联线的光强度，以及建立局部金属互联线的电阻与反射光强度的对应关系。本实用新型在不接触试样的情况下对试样上的较大范围金属互连线电迁移同时进行实时检测，与普通的四探针检测方法相比，检测范围更大，时间更快、成本更低。
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