公开(公告)号：CN102605429A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210068606.X

申请日：2012-03-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘胜 ,  汪学方 ,  吕植成 ,  袁娇娇 ,  胡畅 ,  张学斌 ,  吕亚平

IPC: C30B29/62 ,  C30B29/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法，在基片上沉积金属层，利用光刻工艺形成条纹状的纳米级金属细线；将金属细线的两端接电极，通电，促使金属层加速生长晶须得到一维纳米线。本发明能够有效控制纳米级细线的直径大小和长度，生长出来的一维纳米线直径均匀，并直接在基底上生成，有利于三维封装的连接。

公开(公告)号：CN102605429B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201210068606.X

申请日：2012-03-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘胜 ,  汪学方 ,  吕植成 ,  袁娇娇 ,  胡畅 ,  张学斌 ,  吕亚平

IPC: C30B29/62 ,  C30B29/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法，在基片上沉积金属层，利用光刻工艺形成条纹状的纳米级金属细线；将金属细线的两端接电极，通电，促使金属层加速生长晶须得到一维纳米线。本发明能够有效控制纳米级细线的直径大小和长度，生长出来的一维纳米线直径均匀，并直接在基底上生成，有利于三维封装的连接。