-
公开(公告)号：CN102605429A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210068606.X
申请日：2012-03-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法，在基片上沉积金属层，利用光刻工艺形成条纹状的纳米级金属细线；将金属细线的两端接电极，通电，促使金属层加速生长晶须得到一维纳米线。本发明能够有效控制纳米级细线的直径大小和长度，生长出来的一维纳米线直径均匀，并直接在基底上生成，有利于三维封装的连接。
-
公开(公告)号：CN102605429B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210068606.X
申请日：2012-03-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法，在基片上沉积金属层，利用光刻工艺形成条纹状的纳米级金属细线；将金属细线的两端接电极，通电，促使金属层加速生长晶须得到一维纳米线。本发明能够有效控制纳米级细线的直径大小和长度，生长出来的一维纳米线直径均匀，并直接在基底上生成，有利于三维封装的连接。
-
公开(公告)号：CN102664159B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201210091897.4
申请日：2012-03-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/68
Abstract: 本发明提出了一种多芯片对准方法和装置，将方形芯片置于模具中，模具提供限制芯片移动的边界，通过离心力使芯片紧靠模具实现对准，最后夹紧转移。该装置包括底板和压板，压板的上表面连接吸盘，吸盘的中心开有第一通孔，第一通孔连接空心杆；底板的上表面固接有开有方孔的模具，底板的下表面放置于托盘上；托盘中心处开有第二通孔，第二通孔连接空心轴的上端，空心轴的上端开有气孔，空心轴的下端连接电机；空心轴置于真空腔内，在空心轴侧壁开气孔与真空腔相通。本发明结构简单，操作方便，效率高，在三维封装、光电集成等领域有广泛应用。
-
公开(公告)号：CN102664159A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210091897.4
申请日：2012-03-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/68
Abstract: 本发明提出了一种多芯片对准方法和装置，将方形芯片置于模具中，模具提供限制芯片移动的边界，通过离心力使芯片紧靠模具实现对准，最后夹紧转移。该装置包括底板和压板，压板的上表面连接吸盘，吸盘的中心开有第一通孔，第一通孔连接空心杆；底板的上表面固接有开有方孔的模具，底板的下表面放置于托盘上；托盘中心处开有第二通孔，第二通孔连接空心轴的上端，空心轴的上端开有气孔，空心轴的下端连接电机；空心轴置于真空腔内，在空心轴侧壁开气孔与真空腔相通。本发明结构简单，操作方便，效率高，在三维封装、光电集成等领域有广泛应用。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.015 seconds)
