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公开(公告)号：CN108228356A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810006502.3
申请日：2018-01-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F9/50
Abstract: 本发明涉及一种流数据的分布式动态处理方法，至少包括：分析并预测用户流数据处理程序数据中至少一个数据特征块的执行模式，基于流数据的平均排队时延的大小以及排队时延的阈值来动态调整所述执行模式，和基于所述执行模式处理对应的至少一个所述数据特征块。本发明通过将流数据计算中不相关的流水线模式和微批模式进行关联，实现了两种模式的自动转换和数据处理，同时具有吞吐量高和延迟低的双重优势。
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公开(公告)号：CN106505839A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611004739.5
申请日：2016-11-15
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H02M1/08 , H02M1/44 , H02M2001/0054
Abstract: 本发明公开了一种降低开关损耗的IGBT器件驱动电路及方法，包括检测模块，电流驱动模块，比较模块和逻辑控制模块；逻辑控制模块的输入端用于连接外部的脉宽调制信号和数字位选信号，逻辑控制模块的反馈端连接比较模块的输出端，电流驱动模块的输入端连接至逻辑控制模块的输出端，电流驱动模块的输出端用于连接IGBT器件的控制端，检测模块的输入端用于连接至IGBT器件的输出端，检测模块的输出端连接至比较模块的输入端。本发明可降低IGBT器件的关断功率损耗，避免因关断导致的电流电压过冲烧毁器件，同时可以精确控制驱动电路的输出电压和电流，在不增大IGBT关断过冲电压的同时加快关断速度，信号延迟较小，可保证IGBT器件在短暂的关断时间内驱动模块的反馈回路正常工作。
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公开(公告)号：CN103296174A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310160891.2
申请日：2013-05-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种LED倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产品，包括LED倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的长度与芯片的长度相同；硅基板的反面加工有两组通孔，两通孔与凹腔相连通；在凹腔和两通孔的表面沉积有绝缘层；凹腔表面的绝缘层上沉积有散热金属层和反光金属层；两通孔内填充有金属体，通孔内的金属体与凹腔表面的散热金属层相接；凹腔内底部的两金属层存在一开口，用于将该金属层隔离为两部分；硅基板的反面沉积有绝缘层，该绝缘层表面布线用于电极连接的金属层；凹腔内涂覆有荧光粉，凹腔的外围加工有用于固定透镜的环形定位腔。本发明能够提高LED出光效率、加强散热能力且完成自对准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118839469A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410757061.6
申请日：2024-06-13
Applicant: 武汉重型机床集团有限公司 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多秩修正辨识装配体全空间模态参数方法及系统，其方法包括以下步骤：对装配体的各子部件进行自由状态下的模态参数测试，获取装配体各子部件的自由模态参数；组装装配体的各子部件，对多点连接下的装配体进行一次模态参数测试，获取装配体模态参数；根据每一个子部件的所述自由模态参数及所述装配体模态参数，基于多秩修正方程解耦装配体多点连接处的相对连接刚度对应的多秩特征值；根据每一个子部件的所述自由模态参数及所述多秩特征值，基于多秩修正方程得到装配体全空间模态参数。因此本发明基于多秩修正理论，通过对各子部件和装配体进行一次实验模态测试，获取多结构装配体全空间的模态参数。
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公开(公告)号：CN103296174B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310160891.2
申请日：2013-05-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种LED倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产品，包括LED倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的长度与芯片的长度相同；硅基板的反面加工有两组通孔，两通孔与凹腔相连通；在凹腔和两通孔的表面沉积有绝缘层；凹腔表面的绝缘层上沉积有散热金属层和反光金属层；两通孔内填充有金属体，通孔内的金属体与凹腔表面的散热金属层相接；凹腔内底部的两金属层存在一开口，用于将该金属层隔离为两部分；硅基板的反面沉积有绝缘层，该绝缘层表面布线用于电极连接的金属层；凹腔内涂覆有荧光粉，凹腔的外围加工有用于固定透镜的环形定位腔。本发明能够提高LED出光效率、加强散热能力且完成自对准。
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公开(公告)号：CN108228356B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201810006502.3
申请日：2018-01-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F9/50
Abstract: 本发明涉及一种流数据的分布式动态处理方法，至少包括：分析并预测用户流数据处理程序数据中至少一个数据特征块的执行模式，基于流数据的平均排队时延的大小以及排队时延的阈值来动态调整所述执行模式，和基于所述执行模式处理对应的至少一个所述数据特征块。本发明通过将流数据计算中不相关的流水线模式和微批模式进行关联，实现了两种模式的自动转换和数据处理，同时具有吞吐量高和延迟低的双重优势。
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公开(公告)号：CN208023999U
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201820325241.7
申请日：2018-03-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型属于快速建造房屋领域，并具体公开了一种可快速建造的模块化居住装置，包括多个依次间隔布置的框架单元，框架单元包括第一六边形框架以及由另两个六边形框架构成的六边形框架组，六边形框架组中的两个六边形框架对称布置在第一六边形框架的两侧，并且对称布置的两个六边形框架以夹装第一六边形框架的方式与第一六边形框架装配在一起；相邻框架单元中的两个第一六边形框架之间通过第一木板连接形成第一六棱柱框架；相邻框架单元中的两六边形框架组之间通过第二木板连接形成第二六棱柱框架；第一六棱柱框架和第二六棱柱框架的侧面上装有格栅。本实用新型具有搭建方便快捷，便于移动和携带，施工过程操作简单等特点。
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公开(公告)号：CN203351661U
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201320235749.5
申请日：2013-05-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种LED倒装芯片的圆片级封装结构，包括LED倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的长度与芯片的长度相同；硅基板的反面加工有两组通孔，两通孔与凹腔相连通；在凹腔和两通孔的表面沉积有绝缘层；凹腔表面的绝缘层上沉积有散热金属层和反光金属层；两通孔内填充有金属体，通孔内的金属体与凹腔表面的散热金属层相接；凹腔内底部的两金属层存在一开口，用于将该金属层隔离为两部分；硅基板的反面沉积有绝缘层，该绝缘层表面布线用于电极连接的金属层；凹腔内涂覆有荧光粉，凹腔的外围加工有用于固定透镜的环形定位腔。本实用新型能够提高LED出光效率、加强散热能力且完成自对准。
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