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公开(公告)号：CN103942837A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410186781.8
申请日：2014-05-05
Applicant: 华中科技大学无锡研究院
IPC: G06T17/00
Abstract: 本发明公开了一种基于序列线性规划的叶片点云模型截面曲线直接构造方法，其针对叶片散乱点云模型，通过数学形态学建立叶片散乱点云的拓扑结构信息，利用叶片的形状特征建立叶片截面曲线和点云模型的距离函数，得到一阶微分增量，由此建立序列线性规划的优化模型，提高叶片截面曲线的构造精度，使截面曲线的曲率分布趋于合理。本发明的方法可避免耗时严重及拓扑缺陷的三角网格化或曲面参数化，可从叶片散乱点云模型中直接构造截面曲线，提高叶片质量检测的效率。
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公开(公告)号：CN112994472A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110389383.6
申请日：2021-04-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种高频LLC谐振变换器最优死区计算方法、变死区控制方法，属于开关电源数字控制领域。本发明考虑不同工况下功率器件的寄生参数，精确的计算出原边功率管寄生电容充放电的时间，进而得到最优死区时间，使得在最优死区时间内，功率管的寄生电容刚好完成充放电，减小功率管截止状态反向导通的时间，从而减小反向导通损耗，提高高频LLC谐振变换器的效率，可适用于不同功率等级，不同拓扑结构(全桥或半桥结构)，不同谐振频率的LLC谐振变换器，适用范围广，可靠性高。将本发明方法应用于由GaN MOSFET构成原边功率管构成的谐振变换器时，能够显著降低反向导通损耗，随着GaN第三代半导体器件的大规模应用，本发明方法具有广泛的实用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106505839A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611004739.5
申请日：2016-11-15
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H02M1/08 , H02M1/44 , H02M2001/0054
Abstract: 本发明公开了一种降低开关损耗的IGBT器件驱动电路及方法，包括检测模块，电流驱动模块，比较模块和逻辑控制模块；逻辑控制模块的输入端用于连接外部的脉宽调制信号和数字位选信号，逻辑控制模块的反馈端连接比较模块的输出端，电流驱动模块的输入端连接至逻辑控制模块的输出端，电流驱动模块的输出端用于连接IGBT器件的控制端，检测模块的输入端用于连接至IGBT器件的输出端，检测模块的输出端连接至比较模块的输入端。本发明可降低IGBT器件的关断功率损耗，避免因关断导致的电流电压过冲烧毁器件，同时可以精确控制驱动电路的输出电压和电流，在不增大IGBT关断过冲电压的同时加快关断速度，信号延迟较小，可保证IGBT器件在短暂的关断时间内驱动模块的反馈回路正常工作。
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公开(公告)号：CN103106632B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210496833.2
申请日：2012-11-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于均值漂移的不同精度下的三维点云数据的融合方法，针对两组精度等级不同的三维点云数据，利用高精度点云建立低精度点云的误差分布，进而对低精度点云进行均值漂移，消除低精度点云的漂移误差，从而实现两组数据信息的融合，该方法包括：S1：建立低精度点云的拓扑结构信息，包括每个样点的邻域点集和单位法矢；S2：利用高精度点云对低精度点云进行密度聚类，根据聚类结果确定低精度点云每个样点的漂移误差；S3：利用低精度点云的拓扑结构信息和所述漂移误差确定低精度点云各样点的漂移矢量，根据该漂移矢量对低精度点云的各样点进行漂移，实现融合。本发明的方法在消除低精度点云漂移误差的同时，可实现小幅度噪声的光顺。
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公开(公告)号：CN103942837B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410186781.8
申请日：2014-05-05
Applicant: 华中科技大学无锡研究院
IPC: G06T17/00
Abstract: 本发明公开了一种基于序列线性规划的叶片点云模型截面曲线直接构造方法，其针对叶片散乱点云模型，通过数学形态学建立叶片散乱点云的拓扑结构信息，利用叶片的形状特征建立叶片截面曲线和点云模型的距离函数，得到一阶微分增量，由此建立序列线性规划的优化模型，提高叶片截面曲线的构造精度，使截面曲线的曲率分布趋于合理。本发明的方法可避免耗时严重及拓扑缺陷的三角网格化或曲面参数化，可从叶片散乱点云模型中直接构造截面曲线，提高叶片质量检测的效率。
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公开(公告)号：CN103106632A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210496833.2
申请日：2012-11-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于均值漂移的不同精度下的三维点云数据的融合方法，针对两组精度等级不同的三维点云数据，利用高精度点云建立低精度点云的误差分布，进而对低精度点云进行均值漂移，消除低精度点云的漂移误差，从而实现两组数据信息的融合，该方法包括：S1：建立低精度点云的拓扑结构信息，包括每个样点的邻域点集和单位法矢；S2：利用高精度点云对低精度点云进行密度聚类，根据聚类结果确定低精度点云每个样点的漂移误差；S3：利用低精度点云的拓扑结构信息和所述漂移误差确定低精度点云各样点的漂移矢量，根据该漂移矢量对低精度点云的各样点进行漂移，实现融合。本发明的方法在消除低精度点云漂移误差的同时，可实现小幅度噪声的光顺。
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公开(公告)号：CN112994472B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110389383.6
申请日：2021-04-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种高频LLC谐振变换器最优死区计算方法、变死区控制方法，属于开关电源数字控制领域。本发明考虑不同工况下功率器件的寄生参数，精确的计算出原边功率管寄生电容充放电的时间，进而得到最优死区时间，使得在最优死区时间内，功率管的寄生电容刚好完成充放电，减小功率管截止状态反向导通的时间，从而减小反向导通损耗，提高高频LLC谐振变换器的效率，可适用于不同功率等级，不同拓扑结构(全桥或半桥结构)，不同谐振频率的LLC谐振变换器，适用范围广，可靠性高。将本发明方法应用于由GaN MOSFET构成原边功率管构成的谐振变换器时，能够显著降低反向导通损耗，随着GaN第三代半导体器件的大规模应用，本发明方法具有广泛的实用价值。
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