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公开(公告)号：CN112994472B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110389383.6
申请日：2021-04-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种高频LLC谐振变换器最优死区计算方法、变死区控制方法，属于开关电源数字控制领域。本发明考虑不同工况下功率器件的寄生参数，精确的计算出原边功率管寄生电容充放电的时间，进而得到最优死区时间，使得在最优死区时间内，功率管的寄生电容刚好完成充放电，减小功率管截止状态反向导通的时间，从而减小反向导通损耗，提高高频LLC谐振变换器的效率，可适用于不同功率等级，不同拓扑结构(全桥或半桥结构)，不同谐振频率的LLC谐振变换器，适用范围广，可靠性高。将本发明方法应用于由GaN MOSFET构成原边功率管构成的谐振变换器时，能够显著降低反向导通损耗，随着GaN第三代半导体器件的大规模应用，本发明方法具有广泛的实用价值。
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公开(公告)号：CN111934406B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202010641455.7
申请日：2020-07-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电源自主管理适配器电路及充电控制方法，包括交流‑直流电压变换电路、直流非稳压变换电路、直流精准调压电路、通信控制电路。交流‑直流电压变换电路将输入的电网交流电压转化为直流电压，输入到直流非稳压变换电路中，直流非稳压变换电路实现直流高电压至低电压非稳压变换，直流非稳压变换电路输出信号作为直流精准调压电路的输入信号，直流精准调压电路根据充电设备确定恒定的电压输出；通信控制电路实现通信功能以及对交流‑直流电压变换电路、直流非稳压变换电路和直流精准调压电路进行控制。本电路减小了损耗，消除了充电芯片过热对设备导致的隐患，实现了对设备供电的实时控制，具有相当好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112994472A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110389383.6
申请日：2021-04-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种高频LLC谐振变换器最优死区计算方法、变死区控制方法，属于开关电源数字控制领域。本发明考虑不同工况下功率器件的寄生参数，精确的计算出原边功率管寄生电容充放电的时间，进而得到最优死区时间，使得在最优死区时间内，功率管的寄生电容刚好完成充放电，减小功率管截止状态反向导通的时间，从而减小反向导通损耗，提高高频LLC谐振变换器的效率，可适用于不同功率等级，不同拓扑结构(全桥或半桥结构)，不同谐振频率的LLC谐振变换器，适用范围广，可靠性高。将本发明方法应用于由GaN MOSFET构成原边功率管构成的谐振变换器时，能够显著降低反向导通损耗，随着GaN第三代半导体器件的大规模应用，本发明方法具有广泛的实用价值。
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公开(公告)号：CN111934406A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010641455.7
申请日：2020-07-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电源自主管理适配器电路及充电控制方法，包括交流-直流电压变换电路、直流非稳压变换电路、直流精准调压电路、通信控制电路。交流-直流电压变换电路将输入的电网交流电压转化为直流电压，输入到直流非稳压变换电路中，直流非稳压变换电路实现直流高电压至低电压非稳压变换，直流非稳压变换电路输出信号作为直流精准调压电路的输入信号，直流精准调压电路根据充电设备确定恒定的电压输出；通信控制电路实现通信功能以及对交流-直流电压变换电路、直流非稳压变换电路和直流精准调压电路进行控制。本电路减小了损耗，消除了充电芯片过热对设备导致的隐患，实现了对设备供电的实时控制，具有相当好的应用前景。
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