公开(公告)号：CN102386169B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110321630.5

申请日：2011-10-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘胜 ,  汪学方 ,  吕植成 ,  袁娇娇 ,  宋斌 ,  杨亮

IPC: H01L23/544 ,  G01R31/28

Abstract: 本发明公开了一种硅通孔金属互联线的电迁移测试结构，包括硅片，硅片上分布有多个硅通孔单元，所述硅通孔单元包括三个硅通孔，第一、二、三硅通孔通过硅片反面金属层相连，第二硅通孔与后继相邻硅通孔单元的第一硅通孔通过硅片正面金属层相连，四探针的一个测头置于第三硅通孔正面端口处，另一测头置于硅片上与第一硅通孔通过正面金属层相连的位置处。本发明可在一个硅片上测试多种规格的硅通孔金属互联线的电迁移性能，并且在测试过程中可以将串联中的某些试样切除进行截面分析而不影响其他剩余试样的继续测试，具有测试成本低，操作便捷，测试效率高的特点。

公开(公告)号：CN102420157A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110324421.6

申请日：2011-10-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘胜 ,  汪学方 ,  吕植成 ,  袁娇娇 ,  宋斌 ,  陈星

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种提高硅片减薄后机械强度的方法，具体为：首先在硅片的一表面旋转涂覆一层高分子聚合物并加温固化，再将高分子聚合物层与托盘粘接，然后对硅片减薄和掩膜，在硅片的减薄面上旋转涂覆上另一层高分子聚合物并加温固化，最后分离硅片与托盘。本发明将两层高分子聚合物先后分别涂覆在减薄的硅片的两面，使硅片在高分子聚合物薄膜的保护下脆性降低，以利于以后各道工序的进行。

公开(公告)号：CN102386169A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110321630.5

申请日：2011-10-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘胜 ,  汪学方 ,  吕植成 ,  袁娇娇 ,  宋斌 ,  杨亮

IPC: H01L23/544 ,  G01R31/28

Abstract: 本发明公开了一种硅通孔金属互联线的电迁移测试结构，包括硅片，硅片上分布有多个硅通孔单元，所述硅通孔单元包括三个硅通孔，第一、二、三硅通孔通过硅片反面金属层相连，第二硅通孔与后继相邻硅通孔单元的第一硅通孔通过硅片正面金属层相连，四探针的一个测头置于第三硅通孔正面端口处，另一测头置于硅片上与第一硅通孔通过正面金属层相连的位置处。本发明可在一个硅片上测试多种规格的硅通孔金属互联线的电迁移性能，并且在测试过程中可以将串联中的某些试样切除进行截面分析而不影响其他剩余试样的继续测试，具有测试成本低，操作便捷，测试效率高的特点。

公开(公告)号：CN202275826U

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201120402902.X

申请日：2011-10-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘胜 ,  汪学方 ,  吕植成 ,  袁娇娇 ,  宋斌 ,  杨亮

IPC: H01L23/544 ,  G01R31/26

Abstract: 本实用新型公开了一种硅通孔金属互联线的电迁移测试结构，包括硅片，硅片上分布有多个硅通孔单元，所述硅通孔单元包括三个硅通孔，第一、二、三硅通孔通过硅片反面金属层相连，第二硅通孔与后继相邻硅通孔单元的第一硅通孔通过硅片正面金属层相连，四探针的一个测头置于第三硅通孔正面端口处，另一测头置于硅片上与第一硅通孔通过正面金属层相连的位置处。本实用新型可在一个硅片上测试多种规格的硅通孔金属互联线的电迁移性能，并且在测试过程中可以将串联中的某些试样切除进行截面分析而不影响其他剩余试样的继续测试，具有测试成本低，操作便捷，测试效率高的特点。