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公开(公告)号：CN102593049A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210068065.0
申请日：2012-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种硅晶圆微盲孔金属填充方法，将加工有多个小孔的孔板置于硅晶圆的表面，孔板上的小孔与硅晶圆的微盲孔位置一一对应；将多个金属小球洒在孔板上，并用毛刷扫动使得孔板的每一个小孔内有一个金属小球，清除孔板上多余的金属小球；将硅晶圆置于真空环境加热，小孔内的金属小球熔化；对熔化的金属小球加压实现微盲孔填充。本发明还提供了填充装置，主要包括孔板和真空回流装置。本发明通过孔板小孔大小和厚度，金属小球的大小来控制每个小孔内外金属体积和位置，并通过抽真空来避免盲孔填充金属时由于孔内气室和金属表面张力的作用而导致空洞缺陷。
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公开(公告)号：CN119027385A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411093692.9
申请日：2024-08-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06T7/00 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/26 , G06V10/82 , G06N3/045 , G06N3/096
Abstract: 本发明涉及计算机视觉技术领域，提供了一种基于掩膜引导对比学习的工业缺陷新类别发现方法。方法包括：对待分类的无标注数据集和辅助的标注数据集进行预处理，得到对应的掩膜；使用掩膜引导对比学习；基于掩膜中缺陷区域的面积对子图预测进行加权合并，得到原始图像的分类结果。本发明基于掩膜引导对比学习，能够使用掩膜去有效引导模型关注到对应的缺陷区域，进而通过对比学习后提升网络模型对不同类型的缺陷的区分能力。
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公开(公告)号：CN102420201B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110363430.6
申请日：2011-11-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种硅通孔结构的制造方法，包括以下步骤：将硅片的厚度减薄至5微米至20微米；去除硅片表面的所有绝缘层；在硅片的导电区表面和绝缘区表面制作掺杂掩膜，以对导电区和绝缘区分别进行粒子掺杂，绝缘区与导电区掺杂的粒子的极性相反；在粒子掺杂完成后去除掺杂掩膜；在导电区表面覆盖金属电极；在硅片的表面除金属电极之外的区域覆盖绝缘层。本发明的方法制造工艺简单，可避免刻蚀、绝缘处理等工艺对硅片的破坏，并能够提高制造硅通孔结构的成品率。本发明还公开了一种硅通孔结构。
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公开(公告)号：CN102368042A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110175617.3
申请日：2011-06-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 微型流量传感器，属于MEMS器件，用于气流流量测量，解决现有流量传感器功耗大、衬底存在热传导、响应时间长的问题。本发明之一种微型流量传感器，衬底上具有凹槽，凹槽表面架有两个分离的隔热层，各隔热层上溅射有加热体，加热体的两端溅射有金属电极。本发明另一种微型流量传感器，衬底上具有凹槽，凹槽表面架有两个分离的隔热层，各隔热层表面覆盖绝缘层，绝缘层上溅射有加热体，加热体的两端溅射有金属电极。本发明体积小、重量轻而且性能稳定，能有效降低衬底传热导致的测量误差，通过测量两个加热体间的电阻差值来测定气流流量，有效的解决了现有流量传感器功耗大、衬底存在热传导、响应时间长的问题。
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公开(公告)号：CN102368042B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110175617.3
申请日：2011-06-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 微型流量传感器，属于MEMS器件，用于气流流量测量，解决现有流量传感器功耗大、衬底存在热传导、响应时间长的问题。本发明之一种微型流量传感器，衬底上具有凹槽，凹槽表面架有两个分离的隔热层，各隔热层上溅射有加热体，加热体的两端溅射有金属电极。本发明另一种微型流量传感器，衬底上具有凹槽，凹槽表面架有两个分离的隔热层，各隔热层表面覆盖绝缘层，绝缘层上溅射有加热体，加热体的两端溅射有金属电极。本发明体积小、重量轻而且性能稳定，能有效降低衬底传热导致的测量误差，通过测量两个加热体间的电阻差值来测定气流流量，有效的解决了现有流量传感器功耗大、衬底存在热传导、响应时间长的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102494949A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110320865.2
申请日：2011-10-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N3/10
Abstract: 一种焊球强度测试装置，属于位移和气体压强测试装置，解决现有接触式测量方法需要制造加工更小的测量元件并保证其强度的问题。本发明包括气源、增压泵、左支架、丝杆、喷嘴、喷嘴载台、光栅尺位移传感器、元件载台、右支架、底座和光栅尺支架；本发明空气或氮气通过喷嘴输出，对焊球施加作用力，与接触式的测量装置相比，喷嘴的口径可以大于焊球直径，不需要制造加工与焊球尺寸相近并且高强度的探针或者切刀，在实际测量中也避免了测试工具的损耗和误差，喷嘴输出压力可以设置，测量的灵活性和测量范围较大，可以有效保护测量仪器并保证测量结果的准确；适用于微电子封装器件强度测试。
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公开(公告)号：CN102385031A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110357374.5
申请日：2011-11-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种非接触式金属互连线电迁移测量方法，具体为：使用平行光照射标定用金属互联线，同时采用四探针检测标定用金属互联线的电阻；建立四探针检测到的标定用金属互联线的电阻与标定用金属互联线的表面反射光强的对应关系；使用平行光照射待测金属互联线；实时检测待测金属互联线表面反射光的强度；依据建立的电阻与反射光强的对应关系获取待测金属互联线在某反射光强下对应的电阻值。本发明还提供了测量装置，主要包括四探针、平行光光源、光学显微镜和计算机。本发明不接触试样的情况下对试样上的较大范围金属互连线电迁移同时进行实时检测，与普通的四探针检测方法相比，检测范围更大，时间更快、成本更低。
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公开(公告)号：CN102376689A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110266286.4
申请日：2011-09-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种具有台阶的硅通孔结构，包括半导体衬底和贯穿所述半导体衬底的具有台阶的通孔，所述台阶通孔侧壁依次沉积有绝缘层、粘附层、阻挡层，通孔内填充有金属导体，半导体衬底表面上还依次沉积有由绝缘层、粘附层、阻挡层、导电层沉积构成的互连结构，互连结构中的导电层与金属导体相连接。本发明提供了上述硅通孔结构的制备工艺。本发明硅通孔中的台阶能够容忍电镀填孔过程中局部电镀速率差异引起的铜柱凸出高度差异，避免在化学机械抛光(CMP)工艺、键合工艺中由于前述问题引起的硅片破裂。
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公开(公告)号：CN119027384A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411093690.X
申请日：2024-08-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及计算机视觉技术领域，提供了一种基于连通域数量稳定性的异常分数图二值化方法和装置。方法包括：统计每张异常分数图对应的全图异常分数，自适应地确定阈值的搜索空间；对于异常分数图，在阈值搜索空间内进行等间隔的穷尽搜索，统计每个阈值下二值化结果中的连通域数量；根据阈值变化时二值化结果的连通域数量变化情况来自适应估计对应的阈值，并进行二值化。本发明通过自适应确定阈值搜索空间，并根据阈值变化时二值化结果的连通域数量变化情况来自适应地获得每张异常分数图像的二值化阈值，从而比较准确地定位缺陷在原图像中的位置，对于缺陷的误漏检具有较强的抑制能力，进而增强二值化结果的稳健性和可靠性。
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公开(公告)号：CN102385031B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110357374.5
申请日：2011-11-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种非接触式金属互连线电迁移测量方法，具体为：使用平行光照射标定用金属互联线，同时采用四探针检测标定用金属互联线的电阻；建立四探针检测到的标定用金属互联线的电阻与标定用金属互联线的表面反射光强的对应关系；使用平行光照射待测金属互联线；实时检测待测金属互联线表面反射光的强度；依据建立的电阻与反射光强的对应关系获取待测金属互联线在某反射光强下对应的电阻值。本发明还提供了测量装置，主要包括四探针、平行光光源、光学显微镜和计算机。本发明不接触试样的情况下对试样上的较大范围金属互连线电迁移同时进行实时检测，与普通的四探针检测方法相比，检测范围更大，时间更快、成本更低。
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