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公开(公告)号：CN102623393B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210068633.7
申请日：2012-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种利用锡须生长填充微孔的方法，依次在基片上加工有盲孔或通孔的表面沉积粘附层和金属层，在盲孔内电镀沉积金属直至盲孔开口处，沉积的金属内部自然形成空洞；在盲孔或通孔表面以及相邻盲孔或通孔之间旋涂光刻胶；腐蚀掉旋涂光刻胶处以外部分的金属层和粘附层，从而形成一条连通盲孔或通孔的金属互连线；将金属互连线的两端接电极，通电，促使盲孔内的金属晶须加速生长至晶须填满空洞或金属层晶须加速生长至填满通孔。本发明能够有效填充微盲孔电镀过程中留下的空洞，也可以避免由于电镀液存在表面张力而无法进入微通孔进行电镀的缺陷，从而实现小直径通孔的填充。
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公开(公告)号：CN102420201B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110363430.6
申请日：2011-11-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种硅通孔结构的制造方法，包括以下步骤：将硅片的厚度减薄至5微米至20微米；去除硅片表面的所有绝缘层；在硅片的导电区表面和绝缘区表面制作掺杂掩膜，以对导电区和绝缘区分别进行粒子掺杂，绝缘区与导电区掺杂的粒子的极性相反；在粒子掺杂完成后去除掺杂掩膜；在导电区表面覆盖金属电极；在硅片的表面除金属电极之外的区域覆盖绝缘层。本发明的方法制造工艺简单，可避免刻蚀、绝缘处理等工艺对硅片的破坏，并能够提高制造硅通孔结构的成品率。本发明还公开了一种硅通孔结构。
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公开(公告)号：CN102368042A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110175617.3
申请日：2011-06-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 微型流量传感器，属于MEMS器件，用于气流流量测量，解决现有流量传感器功耗大、衬底存在热传导、响应时间长的问题。本发明之一种微型流量传感器，衬底上具有凹槽，凹槽表面架有两个分离的隔热层，各隔热层上溅射有加热体，加热体的两端溅射有金属电极。本发明另一种微型流量传感器，衬底上具有凹槽，凹槽表面架有两个分离的隔热层，各隔热层表面覆盖绝缘层，绝缘层上溅射有加热体，加热体的两端溅射有金属电极。本发明体积小、重量轻而且性能稳定，能有效降低衬底传热导致的测量误差，通过测量两个加热体间的电阻差值来测定气流流量，有效的解决了现有流量传感器功耗大、衬底存在热传导、响应时间长的问题。
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公开(公告)号：CN102623393A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210068633.7
申请日：2012-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种利用锡须生长填充微孔的方法，依次在基片上加工有盲孔或通孔的表面沉积粘附层和金属层，在盲孔内电镀沉积金属直至盲孔开口处，沉积的金属内部自然形成空洞；在盲孔或通孔表面以及相邻盲孔或通孔之间旋涂光刻胶；腐蚀掉旋涂光刻胶处以外部分的金属层和粘附层，从而形成一条连通盲孔或通孔的金属互连线；将金属互连线的两端接电极，通电，促使盲孔内的金属晶须加速生长至晶须填满空洞或金属层晶须加速生长至填满通孔。本发明能够有效填充微盲孔电镀过程中留下的空洞，也可以避免由于电镀液存在表面张力而无法进入微通孔进行电镀的缺陷，从而实现小直径通孔的填充。
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公开(公告)号：CN102420201A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110363430.6
申请日：2011-11-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种硅通孔结构的制造方法，包括以下步骤：将硅片的厚度减薄至5微米至20微米；去除硅片表面的所有绝缘层；在硅片的导电区表面和绝缘区表面制作掺杂掩膜，以对导电区和绝缘区分别进行粒子掺杂，绝缘区与导电区掺杂的粒子的极性相反；在粒子掺杂完成后去除掺杂掩膜；在导电区表面覆盖金属电极；在硅片的表面除金属电极之外的区域覆盖绝缘层。本发明的方法制造工艺简单，可避免刻蚀、绝缘处理等工艺对硅片的破坏，并能够提高制造硅通孔结构的成品率。本发明还公开了一种硅通孔结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102214602A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110148201.2
申请日：2011-06-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提出了一种TSV通孔的电镀方法，该方法首先将带有TSV通孔的硅片和种子层铜片紧密贴合；之后将硅片表面与电镀液接触，进行硅片自底到顶的电镀；最后将电镀后的硅片和种子层铜片分离。所述的种子层铜片为纯铜片或者为在表面溅射了一层铜的硅片。本发明所述的电镀方法不需要在带TSV通孔的硅片上溅射种子层，也不需要局部电镀封口，整个电镀过程一次完成，工艺简单，而且避免了溅射与局部电镀封口后的操作对硅片造成损坏。本发明由于工艺简单，操作性好，能显著地提高TSV通孔电镀的填充效率和质量。
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公开(公告)号：CN102368042B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110175617.3
申请日：2011-06-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 微型流量传感器，属于MEMS器件，用于气流流量测量，解决现有流量传感器功耗大、衬底存在热传导、响应时间长的问题。本发明之一种微型流量传感器，衬底上具有凹槽，凹槽表面架有两个分离的隔热层，各隔热层上溅射有加热体，加热体的两端溅射有金属电极。本发明另一种微型流量传感器，衬底上具有凹槽，凹槽表面架有两个分离的隔热层，各隔热层表面覆盖绝缘层，绝缘层上溅射有加热体，加热体的两端溅射有金属电极。本发明体积小、重量轻而且性能稳定，能有效降低衬底传热导致的测量误差，通过测量两个加热体间的电阻差值来测定气流流量，有效的解决了现有流量传感器功耗大、衬底存在热传导、响应时间长的问题。
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公开(公告)号：CN102494949A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110320865.2
申请日：2011-10-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N3/10
Abstract: 一种焊球强度测试装置，属于位移和气体压强测试装置，解决现有接触式测量方法需要制造加工更小的测量元件并保证其强度的问题。本发明包括气源、增压泵、左支架、丝杆、喷嘴、喷嘴载台、光栅尺位移传感器、元件载台、右支架、底座和光栅尺支架；本发明空气或氮气通过喷嘴输出，对焊球施加作用力，与接触式的测量装置相比，喷嘴的口径可以大于焊球直径，不需要制造加工与焊球尺寸相近并且高强度的探针或者切刀，在实际测量中也避免了测试工具的损耗和误差，喷嘴输出压力可以设置，测量的灵活性和测量范围较大，可以有效保护测量仪器并保证测量结果的准确；适用于微电子封装器件强度测试。
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公开(公告)号：CN102376689A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110266286.4
申请日：2011-09-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种具有台阶的硅通孔结构，包括半导体衬底和贯穿所述半导体衬底的具有台阶的通孔，所述台阶通孔侧壁依次沉积有绝缘层、粘附层、阻挡层，通孔内填充有金属导体，半导体衬底表面上还依次沉积有由绝缘层、粘附层、阻挡层、导电层沉积构成的互连结构，互连结构中的导电层与金属导体相连接。本发明提供了上述硅通孔结构的制备工艺。本发明硅通孔中的台阶能够容忍电镀填孔过程中局部电镀速率差异引起的铜柱凸出高度差异，避免在化学机械抛光(CMP)工艺、键合工艺中由于前述问题引起的硅片破裂。
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公开(公告)号：CN203798395U
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201420197126.8
申请日：2014-04-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种石墨烯微型流量传感器，属于MEMS器件，用于气流流量测量，解决现有流量传感器功耗大、衬底存在热传导、响应时间长的问题。本实用新型之石墨烯微型流量传感器，衬底上具有凹槽，凹槽上架有隔热层，隔热层上溅射有加热体，加热体的两端溅射有电极。本实用新型的另一种微型流量传感器，衬底上具有凹槽，凹槽上架有隔热层，隔热层上覆盖有绝缘层，绝缘层上溅射有加热体，加热体的两端溅射有金属电极。本实用新型体积小、重量轻而且性能稳定，能有效降低衬底传热导致的测量误差，通过测量通入气体前后加热体的电阻差值来测定气流流量，有效的解决了现有流量传感器功耗大、衬底存在热传导、响应时间长的问题。
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