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公开(公告)号：CN102368086B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110253293.0
申请日：2011-08-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R27/00
Abstract: 本发明涉及一种惠斯通电桥补偿电阻的测试方法，其特征在于包括以下步骤：a.在惠斯通电桥各桥臂电阻两端，分别并连接一个由电流表和开关组成的并联支路；b.每次只有一个电流表接通工作，分别测得每一个桥臂电阻对应的电流I1、I2、I3和I4，然后利用公式或计算得出R的阻值。本发明与现有技术相比，其显著优点是：通过电学测试电路以及数学公式变换，可以精确计算出需要在桥臂上补偿的电阻值，计算方法可编程价值高，易于在测试系统上开发，实现在线生产的大规模测试，从而高效的解决问题。
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公开(公告)号：CN102901845A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210409192.2
申请日：2012-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明涉及一种压阻式加速度传感器零位补偿测试装置，由输入模块INP、程控电压源PVS、回路开关SW、差分放大器DA、数据采集单元ADC、主控制器MCU、开关网络MUX1、开关网络MUX2、固定补偿单元R、可调补偿单元DPOT和显示单元DIS组成。本发明优点在于固定、可调两种补偿回路并用，相对于单路补偿可降低传感器补偿回路硬件配置的要求，同时准确快速得到被测传感器达到规定电平输出状态时的补偿条件。
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公开(公告)号：CN113823626B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202111111193.4
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/50 , H01L21/56 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , G01P1/12 , G01P15/08
Abstract: 本发明涉及基于Fanout技术制造侵彻测量用加速度值记录装置，将放大器裸芯片（4）、滤波器裸芯片、处理器裸芯片（6）、电源电路裸芯片、存储器裸芯片集成在塑封成型体（7）内，通过BGA球（5）引出并与基板（14）上的线路对应连接；MEMS加速度计（11）粘接在基板上，通过BGA球将MEMS加速度计与基板上线路连接；MEMS另一面使用绝缘胶（12）粘接至管壳（1）底部；MEMS与管壳底部之间采用硬胶（10）保护灌封，基板另一面用软胶（8）保护灌封。本发明的有益效果是：克服了目前单纯由实验或理论分析评价弹体侵彻过载的不足，具有评价结果精准快速的特点，有助于降低试验成本，缩短研究周期，不仅可应用于侵彻过载的评价，还可应用于侵彻实验弹体的设计。
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公开(公告)号：CN115881710A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211515312.7
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种小型化光电耦合器，包括管壳底板和与之形成密封腔体的管壳盖帽，管壳底板上表面设有金属化区域，在腔体内设有发光元件、受光元件、导电支撑块和安装基板，受光元件固定在管壳底板上表面并与对应的金属化区电性连接，安装基板上设有金属化区域，导电支撑块一端固定在管壳底板上表面并与对应的金属化区域形成电性连接、另一端固定在安装基板上并与对应的金属化区域形成电性连接，安装基板位于管壳底板上方，发光元件固定在安装基板上并与对应金属化区域电性连接，发光元件与受光元件相对设置。本发明通为发光元件提供了稳定支撑的基础，形成对射式竖向结构，有利于减小整个管壳的外形尺寸，提高耐冲击的稳定性，降低生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113823626A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111111193.4
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/50 , H01L21/56 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , G01P1/12 , G01P15/08
Abstract: 本发明涉及基于Fanout技术制造侵彻测量用加速度值记录装置，将放大器裸芯片（4）、滤波器裸芯片、处理器裸芯片（6）、电源电路裸芯片、存储器裸芯片集成在塑封成型体（7）内，通过BGA球（5）引出并与基板（14）上的线路对应连接；MEMS加速度计（11）粘接在基板上，通过BGA球将MEMS加速度计与基板上线路连接；MEMS另一面使用绝缘胶（12）粘接至管壳（1）底部；MEMS与管壳底部之间采用硬胶（10）保护灌封，基板另一面用软胶（8）保护灌封。本发明的有益效果是：克服了目前单纯由实验或理论分析评价弹体侵彻过载的不足，具有评价结果精准快速的特点，有助于降低试验成本，缩短研究周期，不仅可应用于侵彻过载的评价，还可应用于侵彻实验弹体的设计。
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公开(公告)号：CN110672878A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910956339.1
申请日：2019-10-10
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明公开一种三轴高量程加速度传感器横向灵敏度比测试装置，包括沿X轴向设置的撞击体与霍普金森杆，霍普金森杆的尾部设置待测的传感器，传感器的X轴、Y轴与Z轴分别对应设置有X轴激光多普勒分析仪、Y轴激光多普勒分析仪与Z轴激光多普勒分析仪；所述测试装置还包括通讯连接的数据采集卡与工控机，三个激光多普勒分析仪的输出端分别连接数据采集卡；通过在三个方向上安装激光多普勒分析仪实现三个方向上同步的加速度测量，实现传感器的横向灵敏度比测试。
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公开(公告)号：CN105259372A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510664521.1
申请日：2015-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明公开晶圆级电容式加速度计自动测试系统，包括微处理器以及与微处理器相连的上位机，四个电容数字转换器、第一数模转换器、第二数模转换器、第一继电器与第二继电器；微处理器控制数模转换器与继电器，向电容式加速度计的其中两个固定电极上在不同时刻分别施加直流电压，产生静电力，模拟外界加速度，所述四个电容数字转换器由微处理器控制，并向微处理器发送所采集不同时刻的电容式加速度计的电容值，再由微处理器计算得出电容变化量，实现参数测试的目的，并判断出电容式加速度计的品质。
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公开(公告)号：CN102393484A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110253260.6
申请日：2011-08-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R19/25
Abstract: 本发明涉及一种电子线路电流稳定性检测装置，MCU根据采集数据单元ADC控制数模转换器DAC输出一阈值基准电压Vref，要求Vref等于V0。Vref和被差分放大器输出的取样电阻两端的实时压差V1经差分放大器放大后通过ADC数据采集单元送入主控单元MCU。此时电流变化量△I可通过本方法得到的公式进行计算，最后通过软件判断单位时间内电流变化量是否满足要求，从而判定整个回路电流的稳定性。本发明优点是：可以有效的排除系统噪声的干扰，精确的检测到电流微小的变化；具体实施的硬件通用性强，可适用于各种直流回路中安培级以下电流稳定性检测，适用范围广。
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公开(公告)号：CN102096036A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010571941.2
申请日：2010-12-03
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种集成三极管阵列电路测试装置，集成三极管阵列电路测试装置包括：一个两层分体式结构的测试盒，下层主要分布单片机、AD转换器、继电器、模拟开关、稳压电源、恒流源、运算放大器和转接口；上层主要分布数码管、开关、选择按键、被测电路夹具、发光二极管、蜂鸣器、通用仪表接口，上下层电路通过转接口连接。测试盒是该装置的核心部分，测试盒下层板主要实现数据采集、数据处理、数据判断、接口功能；测试盒上层板主要实现信号输入输出、判断结果显示、参数测试数据显示、判断步骤显示功能。本发明装置能完成全管子、全参数的单步、自动测试，高温、低温和常温测试。
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