-
公开(公告)号：CN114132891A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111479847.9
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种微光机电的制备方法，包括以下步骤：在第一SOI硅片的顶层硅上形成图形化的高反膜和顶层硅电极以及检测电极；图形化的第二SOI硅片顶层硅与高反射薄膜共同形成可动滤光结构，图形化的金属支撑柱下方与顶层硅连接；将S3制备好的可动滤光结构层晶圆对准键合于S2制备好的固定滤光结构层晶圆上方，可动滤光结构中的金属支撑柱与固定滤光结构中的金属支撑柱键合形成支撑柱；取两面抛光后的标准晶圆作为盖帽层，在盖帽正面制备有金属Pad点与垂直导电引线连接；本发明的有益效果是：该制备方法兼容光学与MEMS制备工艺，可批量制造，采用该方法制备得到的微光机电系统具有集成度高、光学占空比大、静电驱动力大、易与探测器集成等优点。
-
-
公开(公告)号：CN110702332A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910793433.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种评价MEMS真空封装性能的方法，包括以下步骤：S1、在真空探针台中对未封装时的MEMS产品测量在目标封装真空度P1下的Q值，记为Q11；S2、计算MEMS产品在目标气体泄漏速率下放置10年后真空腔室的真空度P2，测量在真空度P2下的Q值，记为Q21；S3、将MEMS产品真空封装，测量MEMS产品的Q值，记为Q12；S4、对比Q11与Q12，若Q12小于80%的Q11，则MEMS真空封装未达到目标真空度；S5、将真空封装的MEMS产品进行氩气加压实验，然后测量MEMS产品的Q值，记为Q22；S6、对比Q21与Q22，若Q22小于80%的Q21，则真空封装气体泄漏速率不合格。
-
公开(公告)号：CN110531242A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910816110.8
申请日：2019-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种雪崩二极管热电疲劳试验夹持装置，其特征在于：它包括二极管夹持组件（1），在二极管夹持组件（1）一端设有对应配合的接插式手柄（2），在设置一个与二极管夹持组件（1）对应配合的二极管分离组件（3）。本发明结构简单、使用方便，在热电疲劳试验时为雪崩二极管提供了可靠的固定夹具，实现雪崩二极管的安全可靠连接，使得雪崩二极管在整个热电疲劳试验过程中保持稳定，试验完成后便于对二极管的拆取，从而提高整个试验的实验效率，并确保了试验过程的安全性、可靠性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117008321A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310994431.3
申请日：2023-08-09
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种宽可调范围的MEMS法布里珀罗滤波器芯片结构，它包括固定镜结构和连接在其上方的可动镜结构，可动镜结构和固定镜结构共同构成FP谐振腔，固定镜结构具有第一电极、可动镜结构具有第二电极，当第一、第二电极存在电势差时，可动镜结构向固定镜结构偏移，FP谐振腔的腔长减小，可动镜结构上方设有与之连接的顶部固定结构，顶部固定结构与可动镜结构之间具有空腔，顶部固定结构具有第三电极，当第二、第三电极存在电势差时，可动镜结构向顶部固定结构偏移，使FP谐振腔的腔长增大。本发明拓展了FP谐振腔可动镜的位移方向，同样的作用力下可动镜运动的位移大小并未改变，进而在增加了腔长调谐范围的同时，其腔长调谐精度未受到影响。
-
公开(公告)号：CN112271135B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202011026812.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/3213 , H01L29/66 , H01L29/864
Abstract: 本发明公开一种晶圆级Au金属膜层湿法腐蚀图形化的方法，包括以下步骤：S1、清洗硅片，去除硅片表面污垢；S2、在硅片表面磁控溅射Au金属膜层；S3、采用光刻工艺，在Au金属膜层表面制备IMPATT二极管管芯电极图形；S4、配置腐蚀溶液，腐蚀溶液由体积比1:1:1的Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液与K3Fe(CN)6溶液混合构成；Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液以及K3Fe(CN)6溶液的浓度均为10％；通过腐蚀溶液按照湿法腐蚀工艺对Au金属膜层进行图形化腐蚀；S5、采用有机溶剂去除光刻胶，得到IMPATT二极管管芯电极；该方法提高了晶圆级Au膜层图形化腐蚀工艺后的线条控制精度，且实施成本较低,减小环境污染。
-
-
公开(公告)号：CN110562910A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910793427.4
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：S1、制作衬底层：在双抛硅片上制作出填充好绝缘介质的环形槽，形成硅垂直引线，并刻蚀出深腔作为MEMS可动结构的活动空间；S2、制作结构层；S3、制作盖帽层：在双抛硅片正面制作出真空腔室和真空缓冲腔室，然后制作Ti/Au金硅键合键合环，最后在真空腔室和真空缓冲腔室中制备吸气剂层；S4、真空封装：将制备好的盖帽和结构层进行金硅键合工艺，完成MEMS圆片级真空封装，最后制备金焊点用于引线键合；通过真空腔室与真空缓冲腔室提高MEMS器件的真空度，并吸气剂吸除多余的气体，使真空度能够长期保持。
-
公开(公告)号：CN213517422U
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202022138255.8
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本实用新型提供一种二极管晶圆级半自动低频参数测试装置，它包括底座（1），在底座（1）上设有显微镜（3），其特征在于：在显微镜（3）一侧的底座（1）上设有探针夹持装置（5），在探针夹持装置（5）上设有测试探针（6），在底座（1）上还设有BNC测试单元（8），所述的BNC测试单元（8）通过线缆与测试探针（6）形成电信号连接配合。本实用新型结构简单、使用方便，能够避免测量不同低频参数时频繁拆装与测试仪表连接的外部测试电缆，实现半自动测试，提高测试效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.04 seconds)
