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公开(公告)号：CN113846196A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111041153.7
申请日：2021-09-06
Abstract: 一种基于填充式停炉条件下的扒炉方法，包括风口打水推出焦炭；风口扒料；水渣封闭；通氮降温；炉内扒料。本发明相比现有技术可以降低人力消耗，快速扒净炉内存焦，在较低成本投入的同时缩短了10％‑20％的扒炉时间；扒炉过程无需打水降温可以保证炉内干燥，为后续开炉收益奠定了良好的基础；快速扒炉的同时降低了操作人员的劳动强度，保证了工作人员的安全。
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公开(公告)号：CN119541949A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411784665.6
申请日：2024-12-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电石墨烯铜导线及其制备方法，涉及复合材料应用的技术领域，本发明旨在解决石墨烯铜导线制备过程中如何批量化生产以及石墨烯铜界面破碎的问题，本发明包括有以下步骤：S1：配料，将石墨烯粉末与铜粉末进行混合，得到石墨烯铜混合粉料；S2：将步骤S1中的所述石墨烯铜混合粉末装入进铜管内，封盖后焊接密封，以得到石墨烯铜棒；S3：将步骤S2中的所述石墨烯铜棒经过热轧、线切割、拉拔后制得高导电石墨烯铜导线。
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公开(公告)号：CN119459047A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411680462.2
申请日：2024-11-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: B32B9/04 , H01B1/02 , H01B1/04 , H01B13/00 , B32B15/20 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B37/00 , B32B38/00 , G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种高导电导热图案化石墨烯铜复合材料及其制备方法，涉及复合材料制备的技术领域，本发明旨在解决如何提高石墨烯铜复合材料性能的问题，本发明包括有以下步骤：S1：将光刻胶涂布于石墨烯包覆铜箔的两侧石墨烯层上，并固化，固化成型后对所述光刻胶进行图案化处理；S2：将步骤S1中的所述石墨烯包覆铜箔放置进光刻机内，按照图案化的光刻胶对石墨烯层进行刻蚀，去除光刻胶层，制得图案化石墨烯包覆铜箔；S3：将多块步骤S2中制得的所述图案化石墨烯包覆铜箔放置进热压腔室内，设定适当的热压温度和压强，利用叠层热压法对所述图案化石墨烯包覆铜箔进行热压成形，以得到高导电导热石墨烯铜复合材料。
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公开(公告)号：CN119351812A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411533140.5
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明介绍了一种三维互联石墨烯增强铜复合材料及其制备方法，旨在解决铜及其合金在电子、电气等领域应用时面临的耐腐蚀性和导电性能局限性问题。通过采用化学气相沉积（CVD）技术，本发明在铜基体中引入石墨烯，形成三维互联网络结构，显著提升了复合材料的导电率和耐腐蚀性。本发明的三维互联石墨烯增强铜复合材料不仅具有优异的导电性能和耐腐蚀性，还展现出了良好的机械性能和加工性能，为高性能电子设备、能量存储系统和高效散热材料等领域的应用提供了广阔的前景。
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公开(公告)号：CN115321980A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210854041.1
申请日：2022-07-13
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/495
Abstract: 一种铌酸钾钠(KNN)基无铅压电陶瓷的制备方法，属于无铅压电陶瓷制备技术领域。所述陶瓷化学式为Li0.05(NaxK1‑x)0.95(Nb0.93Sb0.07)O3‑0.04BaZrO3，其中x为Na的摩尔分数，x＝0.42～0.58。经过称料、混料、焙烧，再利用传统球磨和高能球磨分别制备平均粒径为1～7μm和120～250nm的焙烧粉，按照不同摩尔分数称取两种不同粒度的焙烧粉，再经过混料、压片、冷等静压、烧结等步骤制备微纳复合结构KNN基无铅压电陶瓷。通过在晶粒间构建分级畴结构，利用晶界对畴壁的钉扎作用，协同提高了d33和Qm，制得的KNN基压电陶瓷的具有高d33＝300～386pC/N和良好的Qm＝90～141。本发明的压电陶瓷是不含铅的环境友好型材料，且制备过程简单、成本低、综合压电性能优异，有利于实现工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119502529A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411652266.4
申请日：2024-11-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯铜复合材料的界面调控方法，涉及金属基复合材料制备的技术领域，本发明旨在解决如何改善石墨烯与铜之间的电子交换弱的问题，本发明包括以下步骤：S1：原材料选择；选择市售的Gr/Cu/Gr箔片作为基体，选择高纯度的金属颗粒作为蒸镀靶材；S2：沉积金属；利用真空热蒸发镀膜工艺在所述基体的双面沉积不同厚度的异质金属层，得到被异质金属层包裹的所述基体；S3：沉积金属预处理；对步骤S2所得到的所述基体进行热退火处理，得到结晶度高的异质金属镀层；S4：将多张经过步骤S3处理的所述基体堆叠起来，构建利于导电的界面结构，再通过真空热压成型工艺，制备得到高导电的石墨烯铜块材料。
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公开(公告)号：CN119372516A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411532966.X
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种利用累积轧制复合法（ARC）制造GNPs/Al纳米复合材料的方法，该方法能够在铝基体中均匀分散GNPs，并形成超细晶粒的Al基体，从而显著提高了复合材料的拉伸强度、延展性和导电性。
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公开(公告)号：CN117238580B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311515648.8
申请日：2023-11-15
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MXene/铜层状复合导电材料及其制备方法，涉及铜基导电复材的技术领域，本发明旨在提出一种新的制备方法，解决液相电沉积法造成MXene材料受损的问题。本发明包括以下步骤：S1、在铜箔的两面制备Ti薄膜，得到Ti/Cu/Ti材料；S2、将所述Ti/Cu/Ti材料置于放入CVD炉，在第一混合气流下加热至600‑1000℃；随后切断第一混合气流，同时引入第二混合气流,保持预定时间后得到MXene/Cu/MXene材料；S3、将若干片所述MXene/Cu/MXene材料层叠放入热压炉模具中，经真空热压后得到最终产物MXene/铜层状复合导电材料。
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公开(公告)号：CN117238580A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311515648.8
申请日：2023-11-15
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MXene/铜层状复合导电材料及其制备方法，涉及铜基导电复材的技术领域，本发明旨在提出一种新的制备方法，解决液相电沉积法造成MXene材料受损的问题。本发明包括以下步骤：S1、在铜箔的两面制备Ti薄膜，得到Ti/Cu/Ti材料；S2、将所述Ti/Cu/Ti材料置于放入CVD炉，在第一混合气流下加热至600‑1000℃；随后切断第一混合气流，同时引入第二混合气流,保持预定时间后得到MXene/Cu/MXene材料；S3、将若干片所述MXene/Cu/MXene材料层叠放入热压炉模具中，经真空热压后得到最终产物MXene/铜层状复合导电材料。
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公开(公告)号：CN114959197B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210648617.9
申请日：2022-06-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种含有全薄膜状残余奥氏体的高塑性钢及其处理工艺，包括：将样品钢进行奥氏体化‑淬火处理，得到全马氏体组织；将全马氏体组织的钢缓慢加热至两相区或快速加热至两相区较低温的针状奥氏体形成区进行等温逆转变，以获得全针状逆变奥氏体；将获得全针状逆变奥氏体的钢进行相变诱导塑性钢(TRIP钢)的贝氏体等温相变处理或者淬火‑配分钢(Q&P钢)的淬火和配分处理等，得到室温下全薄膜状的残余奥氏体。本发明高强钢中含有全薄膜状残余奥氏体，其抗拉强度>1000MPa，屈强比>0.51，延伸率>30％，强塑积>30GPa·％，适用于汽车底盘结构件，可冲制较复杂的零件且具有高碰撞吸收性能。
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