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公开(公告)号：CN102931342A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210421031.5
申请日：2012-10-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L43/10
Abstract: 本发明涉及磁性功能薄膜和以磁性多层膜材料为基础的新型材料及其元器件。一种霍尔自旋天平材料，所述材料包括多层薄膜，由两个具有垂直磁各向异性的磁性层，中间被非磁性绝缘层隔离所组成；其中一磁性层被反铁磁层钉扎，另外一磁性层与一功能层相连；材料制成Hallbar的形状。此发明保留了MTJ的优点，以低成本实现NVM，并具有与晶体管媲美的状态变化比率，能够实现3D存储阵列，且具有复杂逻辑处理的能力。解决了NVM现存的主要问题。
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公开(公告)号：CN101974746B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201010271293.9
申请日：2010-09-02
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C22/68
Abstract: 本发明提供了一种环保、高效的坡莫合金在线表面钝化的方法，属于金属材料领域，用于提高坡莫合金表面的防锈蚀能力。通过表面除油清洗、钝化、烘干等处理，在坡莫合金表面获得一层致密的钝化膜，耐锈蚀时间比钝化前大大提高，膜层对坡莫合金本身的表面粗糙度、电磁及力学性能却无明显影响。本发明方法不同于以往的钝化等表面处理方法，不使用浓硫酸、浓硝酸等强酸，没有六价铬等毒性物质，可避免传统工艺的环境污染问题；另外，由于钝化时间短，一般只有几秒钟，适合于企业、工厂的在线生产，是一种高效、节能的表面钝化方法。
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公开(公告)号：CN102024904A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010500518.3
申请日：2010-09-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明设计内容为一种高灵敏度金属霍尔传感器薄膜材料及制备方法，涉及磁性薄膜材料。发明设计的薄膜材料结构为：绝缘层/Pt1/[Co/Pt2]n/绝缘层。此结构材料具有很强的霍尔信号，通过优化各层厚度并将其加工成磁场传感器元件后具有很高的磁场灵敏度。该发明的主要优点是设计的材料制备工艺简单，磁场感应范围大，磁场灵敏度提高明显，优化的磁场灵敏度高于现今报道的最高的金属霍尔传感器的灵敏度；并且电阻率低，响应频率宽；同时克服了以往材料体系中霍尔信号低，各向异性不易调整的缺点。因此，该材料可以用于制作高灵敏度霍尔传感器。
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公开(公告)号：CN101974746A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010271293.9
申请日：2010-09-02
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C22/68
Abstract: 本发明提供了一种环保、高效的坡莫合金在线表面钝化的方法，属于金属材料领域，用于提高坡莫合金表面的防锈蚀能力。通过表面除油清洗、钝化、烘干等处理，在坡莫合金表面获得一层致密的钝化膜，耐锈蚀时间比钝化前大大提高，膜层对坡莫合金本身的表面粗糙度、电磁及力学性能却无明显影响。本发明方法不同于以往的钝化等表面处理方法，不使用浓硫酸、浓硝酸等强酸，没有六价铬等毒性物质，可避免传统工艺的环境污染问题；另外，由于钝化时间短，一般只有几秒钟，适合于企业、工厂的在线生产，是一种高效、节能的表面钝化方法。
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公开(公告)号：CN101710525A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910243307.3
申请日：2009-12-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种超高灵敏磁电阻薄膜材料及其制备方法，涉及磁性薄膜材料。本发明设计的薄膜材料结构为：缓冲层/MgO/NiFe/MgO/保护层；然后在磁场中高温退火。该结构材料具有很高的磁场灵敏度，而且将其加工成磁传感元件同样也具有很高的磁场灵敏度。该方法主要优点是材料结构设计简单，磁场灵敏度提高明显，基本上能够与某些隧道磁电阻(TMR)薄膜材料和相应元件磁场灵敏度相当；同时克服了以往材料体系工艺中当NiFe层较薄时在一定温度下处理材料或器件带来的薄膜界面处固相反应所导致的“磁死层”，因此，该材料可以用于制作高灵敏磁电阻传感元器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100438115C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410009937.1
申请日：2004-12-02
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种具有高磁电阻效应的磁性隧道结及其制备方法。磁性隧道结由底电极层、反铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层组成。本发明采用二氧化硅基片，通过等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段制备成磁性隧道结。本发明的优点在于：巧妙的利用金属钌层和绝缘层的组合，大幅度地提高隧道结在室温下的磁电阻效应。
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公开(公告)号：CN1317695C
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200510012096.4
申请日：2005-07-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种用表面活化剂改善L10-FePt薄膜性能的方法，属于高密度磁记录材料技术领域。在磁控溅射仪中，在清洗干净的玻璃基片沉积Bi和FePt，其特征在于，沉积的顺序依次为150～500铋Bi和100～500铁铂FePt；溅射室本底真空度为1×10-5～7×10-5Pa，溅射时氩气压为0.4～0.6Pa，基片保持室温；退火时本底真空度为2×10-5～7×10-5Pa。本发明的优点在于：大幅度地提高了退火后薄膜的平行膜面矫顽力。此外由于薄膜只采用双层结构，且厚度均较小，同时在制备过程中没有采用基片加热等复杂性工艺，所以它还具有成本低，制备简单等优点，适用于未来的生产。
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公开(公告)号：CN1281925C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200510011202.7
申请日：2005-01-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种提高磁编码器磁鼓分辨率的方法。采用涂布工艺，挤压成形制备磁鼓后，用精细抛光砂纸抛光磁性层，使磁性涂层减薄至0.1～0.05mm。再用窄漏磁间隙的磁头对磁鼓写入磁极，采用的窄漏磁间隙为0.1～0.05mm漏磁间隙的磁头对磁鼓进行充磁，写入磁极为512对极。本发明的优点在于，工艺精简，易于操作，可写入512对极，脉冲计数完整，输出波形信号良好，元器件性能优异。
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公开(公告)号：CN1741142A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510012096.4
申请日：2005-07-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种用表面活化剂改善L10－FePt薄膜性能的方法，属于高密度磁记录材料技术领域。在磁控溅射仪中，在清洗干净的玻璃基片沉积Bi和FePt，其特征在于，沉积的顺序依次为150～500铋Bi和100～500铁铂FePt；溅射室本底真空度为1×10－5～7×10－5Pa，溅射时氩气压为0.4～0.6Pa，基片保持室温；退火时本底真空度为2×10－5～7×10－5Pa。本发明的优点在于：大幅度地提高了退火后薄膜的平行膜面矫顽力。此外由于薄膜只采用双层结构，且厚度均较小，同时在制备过程中没有采用基片加热等复杂性工艺，所以它还具有成本低，制备简单等优点，适用于未来的生产。
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公开(公告)号：CN1674147A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510011392.2
申请日：2005-03-07
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种抑制具有垂直磁各向异性薄膜中Mn扩散的方法，在FeMn或其他反铁磁Mn合金与Pt/Co多层膜之间插入Co的纳米氧化层或CoFe的纳米氧化层来阻止Mn的扩散。本发明的优点在于：因为采用纳米氧化层NOL插入(Pt/Co)n与FeMn或其它反铁磁Mn合金之间。Mn原子将与NOL中的Co的氧化物或Fe的氧化物反应形成MnO，从而使Mn原子陷在NOL中，阻止它的向(Pt/Co)n中的进一步扩散。这样就保证了多层膜具有良好的垂直磁各向异性及垂直交换耦合场。本发明具有制备方便、成本低、交换耦合场提高明显等优点。
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