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公开(公告)号：CN119043505A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411155978.5
申请日：2024-08-22
Applicant: 北京理工大学长三角研究院(嘉兴) , 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种六孔径DIMM湍流动态特征测量装置及大气湍流特征评估方法，方法包括：使用六孔径DIMM湍流动态特征测量装置获得具有6个光斑的光斑图像，对所述光斑图像进行预处理；对预处理后的光斑图像进行遍历，获取光斑图像的外接矩形；使用聚类算法处理所述外接矩形生成的ROI区域；对聚类后的光斑使用几何矩计算光斑质心坐标；根据所述光斑质心坐标，计算光斑间的相对距离；基于所述相对距离获取抖动方差估计，基于所述抖动方差估计得到大气相干长度，基于所述大气相干长度实现对湍流动态特征的评估结果。本发明通过六孔径丰富了大气湍流统计特征的方向信息，进而减小测量误差，提高测量结果的准确性。
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公开(公告)号：CN118981025A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411056697.4
申请日：2024-08-02
Applicant: 北京理工大学长三角研究院(嘉兴) , 长春理工大学
Abstract: 本发明提出了一种远距离近红外目标湍流成像的模拟方法，包括：基于物方近红外图像上不同两像素点成像至像方同一点时的两像素偏移量相关性，获取可调制近红外输出图像所有像素产生湍流随机偏移效果的x轴偏移量和y轴偏移量；基于x轴和y轴偏移量，对湍流相位协方差函数进行处理，获取大气湍流相位矩阵；基于大气湍流相位矩阵，获取可调制输出近红外图像产生由高阶像差造成的湍流模糊效果的点扩散函数，进而获得模糊量；将模糊量和x轴和y轴偏移量加到物方输入图像上，得到湍流图像。本发明无需分步传播，直接模拟造成湍流图像畸变的随机偏移和模糊，符合湍流效应，计算速度快，为模拟大气湍流下的近红外图像成像提供了一种依据。
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公开(公告)号：CN115734629A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211425533.5
申请日：2022-11-14
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本公开实施例涉及一种CMOS量子点成像芯片及其制备方法和驱动方法，该CMOS量子点成像芯片包括基底；探测单元，设置在基底的一侧，且阵列排布；探测单元包括紫外光‑可见光探测子单元和红外光探测子单元；紫外光‑可见光探测子单元在基底上的垂直投影与红外光探测子单元在基底上的垂直投影间错开；紫外光‑可见光探测子单元用于响应入射的紫外光和入射的可见光输出对应的电信号；红外光探测子单元用于响应红外光输出对应的电信号。由此，在现有的探测可见光CMOS成像芯片的基础上，将紫外光‑可见光探测子单元和红外光探测子单元结合至同一芯片，扩展了紫外光和红外光探测波段，实现了基于同一CMOS量子点成像芯片的紫外光‑可见光‑红外光宽光谱的成像探测。
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公开(公告)号：CN115188778A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210753518.7
申请日：2022-06-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种非倒装键合体式硫系铅焦平面阵列器及其制备方法与应用，属于光电传感器制备工艺技术领域。本发明设计的制备方法解决了倒装键合工艺复杂，成品率低，成本高的问题，采用硫系铅薄膜具备的大面积均匀性和易与硅衬底集成的特性，直接在硅衬底上沉积生长制备焦平面阵列，同时在化学水浴沉积过程中，采用竖直布置衬底的方式，可一次性生成多个基片，有利于保证产品质量稳定性。故本发明设计的阵列器件质量稳定，探测率、响应率也表现良好。
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公开(公告)号：CN115132769A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210625624.7
申请日：2022-06-02
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L27/146 , H01L31/0296 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及一种非倒装键合体式捕获型胶体量子点短波红外焦平面阵列器及其制备方法与应用，属于光电传感器技术领域。该阵列器的制备方法包括首先采用光刻和真空蒸镀工艺在焦平面阵列读出电路表面的每个像素内沉积出一个中心像素电极和一个环形电极，各中心像素电极和各环形电极构成金属电极，再将制备好的硫系汞量子点墨水、汞盐掺杂的硫系汞量子点墨水或硫化物掺杂的硫系汞量子点墨水采用一步涂覆法依次修饰在所述焦平面阵列读出电路表面，在涂覆过程中采用1,2‑二硫醇、盐酸、异丙醇进行固体配体交换直至涂覆成膜完成。采用该工艺制备的焦平面阵列器具备光谱调控容易、探测波段相对较宽、光电响应强及应用成本低的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119890029A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411727075.X
申请日：2024-11-28
Applicant: 长春理工大学 , 北京理工大学 , 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于量子点的耦合碳化硅原位生长的离子束抛光方法，属于SiC表面抛光技术领域。本发明的原位生长有量子点牺牲层的SiC材料的制备方法，包括以下步骤：将铅源、铯源与溶剂混合，得到CsPbBr3前驱体溶液；将所述CsPbBr3前驱体溶液滴加到SiC材料表面，涂平，升温析晶，退火，得到原位生长有量子点牺牲层的SiC材料。本发明提出了一种基于量子点耦合碳化硅原位生长的离子束抛光方法，将量子点层作为SiC晶圆的牺牲层，不仅可以有效降低牺牲层厚度，显著改善SiC表面的平整度，也可以实现良好的荧光标记效果。本发明制得的CsPbBr3量子点具有极小的纳米尺寸，能够深入填充SiC晶圆表面的微裂纹和微纳划痕，与SiC晶圆表面的微裂痕完全耦合，实现对缺陷的精准填补。
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公开(公告)号：CN119811980A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411726662.7
申请日：2024-11-28
Applicant: 长春理工大学 , 北京理工大学 , 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H01L21/02 , B82Y40/00 , C01G21/16 , C01G21/00 , C01B32/956 , B24B29/02 , B24B49/00 , C09K11/66 , C09K11/02 , B82Y20/00
Abstract: 本发明公开了一种基于轻金属离子掺杂量子点的碳化硅离子束抛光优化方法，属于牺牲层材料技术领域。本发明的SiC材料表面原位生长CsPbBr3量子点牺牲层的方法，包括以下步骤：将铅源、铯源与溶剂混合，得到CsPbBr3前驱体溶液；在所述CsPbBr3前驱体溶液中掺杂轻金属离子，得到轻金属离子掺杂的CsPbBr3前驱体溶液；将所述轻金属离子掺杂的CsPbBr3前驱体溶液滴加到SiC材料表面，涂平，升温析晶，退火，得到原位生长有CsPbBr3量子点牺牲层的SiC材料。本发明将CsPbBr3量子点层作为SiC晶圆的牺牲层，通过轻金属离子掺杂提高了其量子点的发光性能，同时增强了量子点层与SiC晶圆的界面结合力。
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公开(公告)号：CN118538801A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310182200.2
申请日：2023-02-21
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/10
Abstract: 本公开实施例涉及一种偏压调控的同质结量子点光伏型探测器及其制备方法，该制备方法包括：提供量子点光导型探测器；量子点光导型探测器形成有基底、设置于基底一侧且平面耦合的电极和量子点薄膜；提供掺杂溶液并将量子点光导型探测器浸泡至掺杂溶液；向浸泡后的量子点光导型探测器施加预设电压，形成偏压调控的同质结量子点光伏型探测器；其中，同质结包括PP结、PN结或NN结。本公开实施例，通过对浸泡至掺杂溶液后的量子点光导型探测器进行偏压调控，基于施加的预设电压得到对应同质结的量子点光伏型探测器，突破了传统制备方法中对器件固有层面的限制，实现了对器件结构的调节和功能的扩展，利于实时适应实际生产中对光探测器的需求。
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公开(公告)号：CN113984216B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202111248637.9
申请日：2021-10-26
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本公开涉及红外‑可见光多色上转化成像焦平面器件及其制备方法，该制备方法形成的器件包括：量子点红外光电探测器与量子点发光二极管；量子点红外光电探测器与量子点发光二极管通过中间导电层串联连接；且，量子点红外光电探测器用于探测不同波段的红外光；对应的，量子点发光二极管用于发出至少两种不同颜色的可见光。基于此，量子点红外光电探测器接收到不同波段的红外光时，其内部的电阻减小，与量子点红外光电探测器串联的量子点发光二极管的电流增大，当电流大于量子点发光二极管的开启电流时，量子点发光二极管发出对应颜色的可见光；通过设置探测不同波段的红外光时对应发出至少两种不同颜色的可见光，使得该器件能够对红外图像进行彩色显示。
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公开(公告)号：CN116904197A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310629714.8
申请日：2023-05-30
Applicant: 北京理工大学
IPC: C09K11/89 , B82Y20/00 , H01L31/0352 , H01L27/146
Abstract: 本公开实施例涉及红外量子点、红外器件及其制备方法，该红外量子点的制备方法包括：提供用于制备红外量子点的材料；基于材料，形成汞前驱体溶液、具有第一活性的第一碲前驱体溶液以及具有第二活性的第二碲前驱体溶液；第一活性高于第二活性；基于第一碲前驱体溶液和汞前驱体溶液，形成量子点过渡溶液；以及基于量子点过渡溶液和第二碲前驱体溶液，形成包含红外量子点的溶液，以得到红外量子点。由此，通过形成活性不同的碲前驱体溶液，采用两步法合成量子点，使得量子点分散性较好，利于大面积器件的均一化制备的同时，其半峰宽窄且吸收边尖锐，有利于降低薄膜中量子点的热激发载流子浓度，降低了因吸收边宽而导致的暗电流和噪声。
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